| 65 nm工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估 |
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| 作者姓名： | 李鹏 郭维 赵振宇 张民选 邓全 周宏伟 |
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| 作者单位： | 1.国防科技大学 计算机学院， 湖南 长沙 410073,1.国防科技大学 计算机学院， 湖南 长沙 410073,1.国防科技大学 计算机学院， 湖南 长沙 410073,1.国防科技大学 计算机学院， 湖南 长沙 410073；2.国防科技大学 并行与分布处理国家重点实验室， 湖南 长沙 410073,1.国防科技大学 计算机学院， 湖南 长沙 410073,1.国防科技大学 计算机学院， 湖南 长沙 410073 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（61373032，61303069）；高等学校博士学科点专项科研基金资助项目（20124307110016） |
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| 摘 要： | 新兴的三维静态存储器将代替二维静态存储器被广泛用于高性能微处理器中,但它依然会受到软错误的危害。为了能够快速、自动分析多层管芯堆叠结构的三维静态存储器软错误特性,搭建了三维静态存储器软错误分析平台。利用该平台对以字线划分设计的三维静态存储器和同等规模的二维静态存储器分别进行软错误分析,并对分析结果进行对比。研究结果表明二维和三维静态存储器的翻转截面几乎相同,但三维静态存储器单个字中发生的软错误要比二维静态存储器更严重,导致难以使用纠检错技术对其进行加固。静态模式下二维和三维静态存储器敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。
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| 关 键 词： | 三维静态存储器；软错误；分析平台；翻转截面；单粒子翻转；多位翻转 |
| 收稿时间： | 2015-11-11 |
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