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微电子器件方波EMP注入敏感端对的实验研究
引用本文:杨洁,刘尚合,原青云,武占成. 微电子器件方波EMP注入敏感端对的实验研究[J]. 军械工程学院学报, 2004, 16(6): 1-3
作者姓名:杨洁  刘尚合  原青云  武占成
作者单位:军械工程学院静电与电磁防护研究所,军械工程学院静电与电磁防护研究所,军械工程学院静电与电磁防护研究所,军械工程学院静电与电磁防护研究所 河北石家庄 050003,河北石家庄 050003,河北石家庄 050003,河北石家庄 050003
基金项目:国家自然科学基金重点资助项目(50237040)
摘    要:采用方波注入法,对国外某知名公司生产的两个批次的晶体管进行了实验,比较了从CB结反向注入与从EB结反向注入的损伤电压值,发现该类器件的EMP敏感端对与人们一般研究的结论有所不同。

关 键 词:微电子器件  方波注入  敏感端对
文章编号:1008-2956(2004)06-0001-03
修稿时间:2004-09-20

Experimental Research on Square-Wave EMP Sensitive Ports of Microelectronic Device
YANG Jie,LIU Shang-he,YUAN Qing-yun,WU Zhan-cheng. Experimental Research on Square-Wave EMP Sensitive Ports of Microelectronic Device[J]. Journal of Ordnance Engineering College, 2004, 16(6): 1-3
Authors:YANG Jie  LIU Shang-he  YUAN Qing-yun  WU Zhan-cheng
Abstract:Square-wave injection is made in the research.Two different batches of 3358 transistor, which were produced by Japanese NEC Company,are adopted in the experiment.CB injection and EB injection have been compared with to find which is more sensitive.The conclusion is different with what people have confirmed in normal research.
Keywords:microelectronic device  square-wave injection  sensitive port
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