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X射线透视对MOS电容性能的影响
作者姓名:李斌
作者单位:基础部
摘    要:利用SOFRONBST-1505C型X光机,对三种MOS电参0、28受X射线照射后的平带电压的漂移量进行测试和分析,从而分析X射一辐射后对MOS电容器件的影响。

关 键 词:X射线  MOS电容  电子元器件
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