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碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的比较
引用本文:周海亮,赵天磊,张民选,郝跃. 碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的比较[J]. 国防科技大学学报, 2011, 33(3): 77-82
作者姓名:周海亮  赵天磊  张民选  郝跃
作者单位:1. 国防科技大学计算机学院,湖南长沙,410073
2. 西安电子科技大学微电子学院,陕西西安,710071
基金项目:国家863高技术资助项目,湖南省研究生科研创新项目
摘    要:由于具有更为显著的量子隧穿效应,碳纳米管场效应管具有较硅基MOS管不同的尺寸缩小特性,同时,由于工作机理的不同,类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs:Conventional MOS-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors)的尺寸缩小特性与隧穿碳纳米管场效应管(...

关 键 词:碳纳米管场效应管  尺寸缩小特性  带间隧穿  非平衡格林函数  量子电容
收稿时间:2010-09-09

Comparing of the Scaling Property of Carbon Nanotube Field Effect Transistors
ZHOU Hailiang,ZHAO Tianlei,ZHANG Minxuan and HAO Yue. Comparing of the Scaling Property of Carbon Nanotube Field Effect Transistors[J]. Journal of National University of Defense Technology, 2011, 33(3): 77-82
Authors:ZHOU Hailiang  ZHAO Tianlei  ZHANG Minxuan  HAO Yue
Affiliation:1.College of Computer,National Univ.of Defense Technology,Changsha 410073,China;2.School of Microelectronics,Xi’dian University,Xi’an 710071,China)
Abstract:
Keywords:CNFETs(Carbon Nanotube Field Effect Transistors)   scaling property   band-to-band-tunneling   non-equilibrium Green's function   quantum capacitance
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