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高压纳秒脉冲形成电路的分析与设计
引用本文:贺元吉 张亚洲 李传胪. 高压纳秒脉冲形成电路的分析与设计[J]. 国防科技大学学报, 2000, 22(Z1): 49-54
作者姓名:贺元吉 张亚洲 李传胪
作者单位:贺元吉(国防科技大学理学院,湖南长沙 410073);张亚洲(国防科技大学理学院,湖南长沙 410073);李传胪(国防科技大学理学院,湖南长沙 410073)
摘    要:分析了储能线和储能电容脉冲发生器中各种因素对脉冲前沿的影响,比较了二者的优劣,并设计了一种储能线脉冲形成电路。初步的试验表明,该装置能产生脉宽为3~4ns的脉冲。

关 键 词:储能线;储能电容;脉冲发生器;气体开关
文章编号:1001-2486(2000)Sup.-0049-06
修稿时间:2000-06-10

Analysis and Design of High Voltage Nanosecond Pulse Forming Circuit
HE Yuan ji,ZHANG Ya zhou,LI Chuan lu. Analysis and Design of High Voltage Nanosecond Pulse Forming Circuit[J]. Journal of National University of Defense Technology, 2000, 22(Z1): 49-54
Authors:HE Yuan ji  ZHANG Ya zhou  LI Chuan lu
Abstract:
Keywords:pulse forming line  capacitive storage  pulse generator  gas switch  
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