| 差分压控振荡器中单粒子瞬变的研究 |
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| 作者姓名： | 赵振宇 蒋仁杰 张民选 胡军 李少青 |
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| 作者单位： | 国防科技大学,计算机学院,湖南,长沙,410073;国防科技大学,计算机学院,湖南,长沙,410073;国防科技大学,计算机学院,湖南,长沙,410073;国防科技大学,计算机学院,湖南,长沙,410073;国防科技大学,计算机学院,湖南,长沙,410073 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,教育部高等学校博士学科点专项科研基金 |
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| 摘 要： | 压控振荡器(VCO)是锁相环(PLL)中对于单粒子瞬变(SET)最为敏感的部件之一.基于180nm体硅CMOS工艺设计了一款经典的对称负载结构差分VCO电路,并利用电流源表征单粒子效应中电荷沉积和收集的过程,模拟了VCO电路的SET响应.模拟和分析表明,SET响应不仅取决于入射能量、振荡频率,还受到轰击时刻的制约,不同轰击时刻产生的最大相位差可以相差300°以上.此外,偏置电路某些结点最为敏感,可以放大SET的影响,导致时钟失效长达7个周期.
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| 关 键 词： | 单粒子效应 单粒子瞬变 压控振荡器 |
| 收稿时间： | 2008-10-06 |
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