| 阻变存储器发展现状 |
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| 引用本文： | 刘森,刘琦. 阻变存储器发展现状[J]. 国防科技, 2016, 37(6). DOI: 10.13943/j.issn1671-4547.2016.06.02 |
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| 作者姓名： | 刘森 刘琦 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029;国防科技大学电子科学与工程学院,湖南长沙410073;2. 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室,北京,100029 |
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| 摘 要： | 在纳米电子器件时代,来自量子隧穿和电容耦合等问题的挑战,使得Flash半导体存储器的发展遇到瓶颈。阻变存储器是忆阻器在二值情况下的特殊应用,因其结构简单、高密度、高速、低功耗、与CMOS工艺兼容以及具备三维集成能力,成为最具发展潜力的下一代非易失存储技术之一。在国内外学者的共同努力下,阻变存储器的研究已经取得了诸多突破性的进展。本文主要综述阻变存储器的发展历程、材料体系和阻变机理,并总结展望了阻变存储器进一步发展的优势和面临的挑战。
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| 关 键 词： | 忆阻器 阻变存储器 非易失存储器技术 阻变机理 |
Progress of the resistive random access memory |
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