一款0.18μm CMOS辐射加固差分压控振荡器 |
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作者姓名: | 赵振宇 郭斌 张民选 刘衡竹 |
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作者单位: | 国防科技大学计算机学院,湖南,长沙,410073 |
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基金项目: | 国家自然科学基金,教育部高等学校博士学科点专项科研基金,教育部高性能微处理器技术创新团队资助项目 |
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摘 要: | 基于对称负载压控振荡器(VCO)的单粒子瞬变(SET)失效机理,应用设计加固(RHBD)技术分别改进了偏置电路和环形振荡器,设计和实现了一款0.18μm CMOS辐射加固差分VCO.模拟结果表明:加固VCO的SET敏感性大幅降低,同时还降低了抖动对于电源噪声的敏感性.虽然电路结构变化会导致频率下降,但可以通过调整电路尺寸而解决.此外,加固VCO面积开销有所降低,优于其他加固方法.
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关 键 词: | 单粒子效应 单粒子瞬变 压控振荡器 |
收稿时间: | 2009-07-03 |
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