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一款0.18μm CMOS辐射加固差分压控振荡器
作者姓名:赵振宇  郭斌  张民选  刘衡竹
作者单位:国防科技大学计算机学院,湖南,长沙,410073
基金项目:国家自然科学基金,教育部高等学校博士学科点专项科研基金,教育部高性能微处理器技术创新团队资助项目 
摘    要:基于对称负载压控振荡器(VCO)的单粒子瞬变(SET)失效机理,应用设计加固(RHBD)技术分别改进了偏置电路和环形振荡器,设计和实现了一款0.18μm CMOS辐射加固差分VCO.模拟结果表明:加固VCO的SET敏感性大幅降低,同时还降低了抖动对于电源噪声的敏感性.虽然电路结构变化会导致频率下降,但可以通过调整电路尺寸而解决.此外,加固VCO面积开销有所降低,优于其他加固方法.

关 键 词:单粒子效应  单粒子瞬变  压控振荡器
收稿时间:2009-07-03
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