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| GaAs相关多普勒放大器的抗静电设计 | |
| 作者姓名： | 纪新峰 李宏民 胡丹 张红旗 张好军 |
| 作者单位： | 中国空空导弹研究院,河南洛阳471009;中国电子科技集团第十三研究所,石家庄050002 |
| 摘 要： | 静电放电严重影响砷化镓器件的可靠性,为了提高砷化镓相关多普勒放大器(简称相关多放)的抗静电能力,设计了一种硅隔离和双二极管网络的抗静电保护电路;硅器件建立了敏感芯片核心区域和电压及电流的缓冲隔离,双向对称导通的双二极管网络有利于泄放大电流;基于静电放电人体模型,运用静电模拟仪器对相关多放进行了模拟试验,并对其性能进行测... |
| 关 键 词： | GaAs开关 静电释放 静电放电模型 静电防护 硅隔离 双二极管网络 |
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