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磁控溅射制备SmCo薄膜的工艺及磁性研究
引用本文:邱轶,万红,刘吉燕,斯永敏,赵恂.磁控溅射制备SmCo薄膜的工艺及磁性研究[J].国防科技大学学报,2003,25(5):26-30.
作者姓名:邱轶  万红  刘吉燕  斯永敏  赵恂
作者单位:国防科技大学航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073
基金项目:国家自然科学基金资助项目(59971064)
摘    要:用直流磁控溅射方法制备了SmCo薄膜,通过正交设计实验考察了工艺因素对薄膜沉积速率的影响规律。研究结果表明,影响薄膜沉积速率的主要因素是溅射功率,其次为靶基距,在0.5~2.0Pa的压强范围内,Ar气压强的大小对溅射速率的影响很小。X-射线衍射结果表明:制备态的SmCo薄膜为非晶结构,500℃真空热处理后,薄膜中出现少量的微晶SmCo5化合物。磁性能测试表明:制备态SmCo薄膜的矫顽力随薄膜厚度的增加而显著下降;真空热处理过程中,薄膜结构缺陷及成分起伏减少,薄膜的矫顽力和饱和磁场强度显著下降,初始磁导率和饱和磁化强度显著增加。

关 键 词:磁控溅射  SmCo薄膜  工艺参数  磁化
文章编号:1001-2486(2003)05-0026-05
收稿时间:2003/3/25 0:00:00
修稿时间:2003年3月25日

Technological and Magnetic Study of SmCo Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering
QIU Yi,WAN Hong,LIU Jiyan,SI Yongmin and ZHAO Xun.Technological and Magnetic Study of SmCo Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering[J].Journal of National University of Defense Technology,2003,25(5):26-30.
Authors:QIU Yi  WAN Hong  LIU Jiyan  SI Yongmin and ZHAO Xun
Institution:College of Aerospace and Materials Engineering, National Univ. of Defense Technology, Changsha 410073, China;College of Aerospace and Materials Engineering, National Univ. of Defense Technology, Changsha 410073, China;College of Aerospace and Materials Engineering, National Univ. of Defense Technology, Changsha 410073, China;College of Aerospace and Materials Engineering, National Univ. of Defense Technology, Changsha 410073, China;College of Aerospace and Materials Engineering, National Univ. of Defense Technology, Changsha 410073, China
Abstract:
Keywords:Magnetron sputtering  SmCo thin film  technological parameter  magnetization
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