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PIP工艺制备的C/SiC复合材料的氧化行为
引用本文:邹世钦,张长瑞,周新贵,曹英斌. PIP工艺制备的C/SiC复合材料的氧化行为[J]. 国防科技大学学报, 2005, 27(5): 107-112
作者姓名:邹世钦  张长瑞  周新贵  曹英斌
作者单位:国防科技大学,航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073;国防科技大学,航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073;国防科技大学,航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073;国防科技大学,航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073
基金项目:国家“863”基金资助项目(2002AA305102),国家部委基金资助项目(41312011002)
摘    要:PIP工艺制备的C/SiC复合材料中SiC基体富碳,因此增强体和基体均容易氧化。碳纤维和无涂层保护C/SiC复合材料试样在400~1300℃的氧化速率随温度升高而加快,低温为反应控制,高温为扩散控制。CVD-SiC涂层保护C/SiC复合材料和由CVD-SiC层、自愈合层、CVD-SiC层三层涂层保护C/SiC复合材料在400~1300℃的氧化先随温度升高而加快,然后减慢。三层涂层在800~1300℃有非常好的保护效果。扫描电镜照片显示自愈合层的玻璃态物质进入涂层裂纹中,填充裂纹且阻挡氧的通过,从而有良好的抗氧化保护效果。

关 键 词:C/SiC复合材料  先驱体浸渍裂解  氧化保护涂层  氧化行为
文章编号:1001-2486(2005)05-0107-06
收稿时间:2005-04-14
修稿时间:2005-04-14

The Oxidation Behaviors of C/SiC Composites Prepared by Precursor Infiltration Pyrolysis Process
ZOU Shiqin,ZHANG Changrui,ZHOU Xingui and CAO Yinbin. The Oxidation Behaviors of C/SiC Composites Prepared by Precursor Infiltration Pyrolysis Process[J]. Journal of National University of Defense Technology, 2005, 27(5): 107-112
Authors:ZOU Shiqin  ZHANG Changrui  ZHOU Xingui  CAO Yinbin
Abstract:
Keywords:C/SiC composites  precursor infiltration pyrolysis  oxidation protection coating  oxidation behaviors  
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