帐篷辐射供暖试验研究

帐篷具有特殊的围护结构,其供暖不同于其他建筑。从特殊的使用及功能要求出发,确定研制以导电涂料发热为机理的新型电热供暖装置,制定并实现了其基本性能指标。针对帐篷在寒区取暖的现状,选择了较为合理的供暖方式,有效地解决了寒冷地区帐篷的供暖问题。分别在环境试验室模拟条件和自然气候条件下进行了低温供暖升温试验,通过试验研究了电热涂料辐射供暖的热舒适性和实测能耗,对试验结果进行了理论分析。试验表明对帐篷采用辐射方式供暖是一种高效的解决方案。     

面向信息化油料装备研发的网络化协同设计及其关键技术研究

分析了信息化油料装备研发的主要内容及其涉及的相关领域,阐明了产品网络化协同开发系统的基本内涵。提出了基于信息化技术、管理技术、设计技术、协同工作技术和支撑技术的油料装备网络化协同研发系统的技术体系。最后,对该技术体系中涉及的装备设计数据信息交换与数据管理技术,装备设计任务的分解与分配技术以及冲突与协商机制等关键技术进行了较为全面的论述。     

私人旅馆消防安全探析

就新兴私人旅馆在安全疏散、消防给水等方面的设计和执行规范中遇到的一些问题进行初步探讨,希望能引起有关部门的注意和重视.     

基于高精度加权紧致非线性格式的γ－Reθ转捩模型标定与应用

为准确模拟航空工程中的转捩问题,在高精度数值风洞平台上采用低速平板试验数据对基于高精度加权紧致非线性格式的γ-Re_θ转捩模型进行了标定,并在二维低速问题中进行了应用。计算结果与试验的对比表明:基于高精度加权紧致非线性格式的γ-Re_θ转捩模型可准确模拟自然转捩、旁路转捩及分离转捩的位置,并且具有较低的网格敏感性;在中等雷诺数范围,层流区域和湍流区域有相同量级时,计算必须采用转捩模型才能准确模拟阻力系数。     

火药脉冲助推器控制在舰载火箭弹中的应用

建立了采用火药脉冲助推器控制的简易制导火箭弹的弹道模型 ,进行了数字仿真 .理论研究和数字仿真结果表明 ,采用火药脉冲助推器控制可以有效地提高火箭弹的命中精度 ,它对实际弹道修正的效果与其冲量大小、数目、作用起始时刻、作用方位角、作用时间间隔等因素有关     

水动力空化效应的实验研究与理论分析

在研制空化射流实验装置的基础上，采用实验与理论分析相结合的方式，以苯酚溶液为对象，对水动力空化效应进行了研究。考察了进口压力、孔板结构与空化数的关系，研究了反应时间、进口压力和空化数对苯酚降解效果的影响。得出孔板在水动力空化过程中起决定性作用，一定结构的孔板还能有效抑制超空化现象的发生，确保较好的苯酚降解效果。     

武器装备状态维修决策问题研究

装备状态维修决策对于武器装备实施准确、有效的维修活动,保持恢复武器装备的使用性能具有重要现实意义.首先给出了装备状态维修的概念,并分析了状态维修的决策过程.其次对影响状态维修决策的装备状态劣化度和装备状态诊断风险度因素进行了讨论,指出武器装备的状态维修决策目标在于保证装备使用可靠度、状态维修费用以及装备状态影响度满足装备使用任务的需求.最后据此确定了装备执行维修的最佳时机和维修方式等决策信息.     

基于软件无线电技术的伪码调制激光探测系统研究

为使一般伪码调制激光探测系统的升级和改进更简单、方便和廉价,提出把软件无线电技术应用于该系统.从软件无线电技术的基本原理入手阐述了系统的基本体系、硬件平台和软件系统实现.并设计了系统框图和DSP的硬件电路,编制了伪码产生的程序框图、信号处理软件流程图.实验研究表明:把软件无线电技术应用于伪码调制激光探测系统,为整个系统的模块化、小型化、智能化提供了新的有效途径.     

纳米SiC晶须增强铜基纳米复合材料摩擦学性能研究

采用粉末冶金法制备了添加纳米SiC晶须（n-SiCw）的铜基纳米复合材料（SiCw／Cu）。研究了复合材料的显微组织、密度、硬度与n-SiCw含量之间的关系，通过球／盘式摩擦磨损试验机研究了SiCw／Cu复合材料的摩擦磨损性能。结果表明：随n-SiCw含量增加，基体中孔隙增多，并出现n-SiCw的偏聚，复合材料的密度减小，硬度增加；当n-SiCw含量为0．3wt％时，材料的减摩、耐磨性能最好；SiCw／Cu复合材料的磨损机制为疲劳磨损和磨粒磨损，并以疲劳磨损为主。     

65 nm工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估

新兴的三维静态存储器将代替二维静态存储器被广泛用于高性能微处理器中,但它依然会受到软错误的危害。为了能够快速、自动分析多层管芯堆叠结构的三维静态存储器软错误特性,搭建了三维静态存储器软错误分析平台。利用该平台对以字线划分设计的三维静态存储器和同等规模的二维静态存储器分别进行软错误分析,并对分析结果进行对比。研究结果表明二维和三维静态存储器的翻转截面几乎相同,但三维静态存储器单个字中发生的软错误要比二维静态存储器更严重,导致难以使用纠检错技术对其进行加固。静态模式下二维和三维静态存储器敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。