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91.
目前计算机控制抛光工艺中使用的阿基米德螺旋线路径,存在加工工件中心区域时工件转速过快的缺点.为了克服该缺点,分析了螺旋线路径加工的特点,分析表明工件的瞬时转速取决于加工点的驻留时间密度和螺旋线的面积增长速率.据此,提出了一种新的螺旋线作为抛光路径,该螺旋线的面积增长速率恒定,因此也称为等面积增长螺旋线.利用该螺旋线路径,加工转速趋于恒定,可降低加工中心区域的转速,从而降低对机床运动性能的要求,降低设备成本和加工成本.实验结果证实,阿基米德螺旋线路径加工中心区域容易产生过加工问题,加工精度较低;等面积增长螺旋线路径加工可避免中心区域过加工问题,获得较高的加工精度.  相似文献   
92.
针对目前卫星导航接收机码环多径抑制技术在二进制偏移副载波类信号下鉴别曲线可能出现多个稳定跟踪位置,导致接收机存在伪距测量的系统性误差的问题,提出最优鉴别曲线设计技术,采用奇异值优化的最小二乘方法,设计无多余跟踪点的本地码相关参考波形。从多径误差包络和跟踪精度两方面,对基于最优鉴别曲线的二进制偏移副载波信号码相关参考波形的设计性能进行验证评估。仿真结果表明:该方法可实现二进制偏移副载波信号在有限接收带宽下的无模糊鉴别曲线设计。以前端带宽为8.184 MHz时的BOC(1,1)信号为例,设计的码相关参考波形相比W2波形,多径误差包络面积增加了61.8%,而跟踪精度提高了4~5 dB。  相似文献   
93.
以维修舱空间、舱室邻接、舱室全局位置三个指标为目标函数,以满足高初稳性要求、保证船舶浮态等为约束条件,建立技术可行前提下半潜维修船功能舱室布局优化模型。通过设计贪婪取走启发式算法与规划求解相结合的两阶段算法,实现对模型的求解。以载重为5×10~4 t的半潜船体为载体进行设计,得到半潜维修船功能舱室优化布局方案。随着维修设备质量系数的增加,可行的布局方案数呈上升趋势。该方法可提高半潜维修船在功能舱室布局过程中决策的科学性。  相似文献   
94.
为解决无线传感器网络中节点能量受限,文中提出一种基于有限反馈的协同M ISO传输方案,此方案通过接收端反馈给簇头节点的信道增益比值来调整簇头节点和协同节点的发射功率。通过联合优化传输速率和协同节点数,使得网络总能耗最小。分析和仿真结果表明,此方案能有效降低网络的总能耗。  相似文献   
95.
为了保证人为差错分类的全面性和一致性,在详细分析现有人为差错分类方法的基础上,提出了一种新的人为差错分类框架.该框架以"执行差错,忽略"为起点进行细化,得到五种基本的人为差错类别.以此作为人为差错原语,结合认知模型,分析了不同认知阶段可能出现的人为差错模式.实例证明,在这种分类方法指导下来分析人为差错,对提高人为差错分类结果的全面性和一致性有着重要意义.  相似文献   
96.
警卫工作与新闻媒体有着广泛的联系,新闻媒体对警卫工作具有重大影响,警卫部门要科学利用新闻媒体,充分发挥其积极作用。  相似文献   
97.
低压电场驱动下膜分离 CO2的研究   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
以离子交换膜为基础,进行预处理和化学改性.研究了不同预处理条件、化学改性方法及低压电场的电压对离子交换膜的CO2分离效率的影响.结果表明,改进处理条件、施加低压电场及在膜中加入亲水物质可明显地增加离子交换膜的二氧化碳通量.  相似文献   
98.
一种基于混沌的彩色图像空域半脆弱水印算法   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
为实现对数字产品的版权保护和完整性认证,提出了一种以最低有效位(LSB)替换算法为核心,以彩色图像RGB图层亮度分量为载体的基于混沌二值密钥随机控制的彩色图像空域有意义水印算法.实验结果表明,算法实现简单,实时性好,具有良好的透明性、安全性和确定性,可盲检测,并能够很好地实现版权保护和篡改检测与定位,同时算法对椒盐噪声的去除、裁剪等基本图像操作和位平面去除等恶意攻击具有一定的鲁棒性,因而是一种性能良好的半脆弱水印算法.  相似文献   
99.
为满足车辆灭火系统快速维修保障的需求,提出一种灭火系统原位测试方案,该方案通过便携式主控机控制适配器模拟灭火控制盒各种工作状况,在无需引爆灭火瓶的情况下,迅速准确地定位灭火控制盒故障,并通过主控机上的故障信息字典,提供维修保养意见。  相似文献   
100.
带隙基准电压源是各类模拟/数模混合集成电路中的基础性部件,其性能直接决定了整体电路的稳定性。CMOS工艺中的衬底三极管的放大倍数β较小,"发射极-基极"通路对三极管的集电极电流的分流作用十分显著,导致带隙基准温度稳定性下降。此外,低电压条件下的电路缺乏足够的电压裕度,电源噪声的影响已经不可忽略,基准源的抗电源噪声能力亟待加强。针对上述两个问题,分别提出了自适应的"发射极-基极"电流补偿技术和使用电容直接耦合电源噪声负反馈的方案。基于0.18μm CMOS工艺的实现结果表明,在-55℃~150℃范围内,电源电压1.8V情况下,输出基准电压的温度系数可达8.2ppm/℃,且中/高频段的电源抑制比得到大幅度提高,直流段电源抑制比更可达-90dB。  相似文献   
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