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151.
在诸如无线通信系统等应用中,可提供宽调谐范围压控振荡器(VCO)是一种址分有用的器件,本文考虑了由有源器件和电路布局在调谐带宽内年所产生的寄生效应,本文介绍了一种预测宽带VCO调谐带宽的方法,并把这种方法应用到超高频(UHF),考比兹(Cpitts)振荡器的设计中。  相似文献   
152.
针对表面工程中测量膜基材料性能或结合强度的压入法,分析了其实验过程中所涉及的重要而又困难的接触问题。在引入适当的假设后,文中首次对二维、三维问题等一般情况,分别给出了控制接触的边界条件方程,并进一步使用半解析的数值方法——线法,针对二维情况使用,球形压头和楔形压头分别进行了数值模拟,并将计算结果和不考虑接触情况下的结果进行了比较结果表明:剪应力差别巨大,这说明接触问题的考虑对于正确地处理实际问题是非常必要的。  相似文献   
153.
154.
对于长径比较高的助推器来说,为了提高与芯级的连接可靠性,可采用超静定捆绑连接方式。这种捆绑连接方式增加了助推器动力学响应分析的难度。以超静定捆绑火箭助推器为研究对象,通过引入拉压双线性弹簧模拟捆绑连接装置,建立合理的动力学分析模型,对系统进行数值求解,获得径向冲击作用下助推器的动力学响应特性。通过与静定捆绑模型的对比,获得超静定捆绑助推器的广义位移、频谱和内力的响应,从而为工程应用提供一定的参考和理论支撑。  相似文献   
155.
黄屡灿 《政工学刊》2003,(10):44-45
有一则广告说:“30岁的年龄60岁的心脏;60岁的年龄30岁的心脏”,那是推销药品。我想如果把这则广告改一字,换成“30岁的年龄60岁的心态;60岁的年龄30岁的心态”,那就是一棵“常青树”。放下,有无尽的乐趣我是个幸运的人,少年时就给老一辈革命家站岗放哨,接受革命熏染;可我又是个多苦多难的人。“文革”中我无端蒙冤,之后又受“左”的迫害,白白浪费了我15年的黄金年华。等到彻底平反,我已是54岁的人了。平反不久,我以“正团待遇”退休。有战友说我太“亏”了,让我找一找,我没找。找啥?政治上彻底平反,就够了。个人的那些陈芝麻烂谷子,该扔就…  相似文献   
156.
研究了以EBG结构为衬底的微带天线阵。将EBG结构置于微带天线阵的底部取代微带天线阵列的金属底板,不仅能增加天线带宽,还能提高天线阵的增益。测试结果表明,天线单元带宽从3.81%提高到8.86%,在工作频带内天线阵增益都在10dB以上,同时天线单元间的耦合系数也得到有效降低。  相似文献   
157.
本文针对星载多通道高分辨宽测绘带合成孔径雷达系统,提出了一种地面运动目标检测和参数估计方法,该方法首先利用空时自适应处理进行杂波抑制,然后采用传统SAR成像处理得到模糊的运动目标图像,接着利用恒虚警检测技术检测出所有运动目标,包括真实目标和由于多普勒模糊引起的虚假目标,再根据模糊图像的空间位置关系从所有成像目标中检测出运动目标的真实成像位置,最后根据运动目标的斜距历程得到因运动目标速度引起的图像位置偏移,由此估计得到运动目标速度。该方法具有运算量小、检测精度高等优点,星载仿真数据验证了本文方法有效性。  相似文献   
158.
提出了一种行波提取型同轴渡越时间振荡器,器件的提取腔采用了类膜片加载的扩展互作用腔结构,具有束波作用效率高,电子束空间电势能低等优点。提取腔的电场结构为3π/2模,与传统的类π模结构相比,提高了微波群速度,有利于微波能量的提取。通过引入前置反射腔,提高了调制腔的品质因数,显著降低了起振时间。利用数值模拟软件对所设计的器件进行了模拟和优化,在二极管电压530kV,二极管电流12.8kA,外加导引磁场0.7T的条件下,得到了2.41GW的输出功率,微波频率7.76GHz,束波功率转换效率达到35.5%。  相似文献   
159.
野外进行1.8kg的FAE静爆实验,采用不同配方的纯固态燃料和液一固混合燃料与等质量的TNT对比分析。实验结果表明,FAE的爆炸效果明显优于等质量的TNT,而纯固态FAE爆炸性能强于液一固混合FAE;FAE爆炸后测到的超压分布呈现单调减趋势,这是由于测量点都分布在云爆区范围之外;FAE的云雾分散效果优于等质量的TNT装药,火焰持续时间也长。通过高速摄影图片看出,合适配方的纯固态无约束的FAE弹体火球的持续时间与有约束的液一固混合FAE弹体相当。分析了纯固态FAE爆炸后超压峰值时刻与火球最大直径时刻不同步的原因,探讨了纯固态FAE一次起爆机理。  相似文献   
160.
采用SEM、TEM观察焊态和焊后热处理(900 ℃×5 min或1 100 ℃×1 min,水淬)TWE312/616装甲钢HAZ/WM界面区及其附近的组织结构, 采用Nano Test 600对界面区附近的硬度分布进行测试.研究表明焊接熔合区组织为类马氏体,而富奥氏体带以奥氏体为主;HAZ/WM界面区的塑性变形主要由富奥氏体带承担,富奥氏体带的加工硬化导致该处硬度升高;高温短时(1 100 ℃×1 min,水淬)热处理可导致焊接熔合区及与其紧邻的t-HAZ的进一步软化.  相似文献   
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