全文获取类型
收费全文 | 288篇 |
免费 | 247篇 |
国内免费 | 19篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 15篇 |
2022年 | 7篇 |
2021年 | 18篇 |
2020年 | 28篇 |
2019年 | 11篇 |
2018年 | 98篇 |
2017年 | 74篇 |
2016年 | 26篇 |
2015年 | 22篇 |
2014年 | 17篇 |
2013年 | 29篇 |
2012年 | 31篇 |
2011年 | 13篇 |
2010年 | 22篇 |
2009年 | 18篇 |
2008年 | 12篇 |
2007年 | 18篇 |
2006年 | 13篇 |
2005年 | 11篇 |
2004年 | 7篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 9篇 |
2001年 | 9篇 |
2000年 | 10篇 |
1999年 | 5篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 4篇 |
1996年 | 4篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 3篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 1篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
排序方式: 共有554条查询结果,搜索用时 62 毫秒
431.
针对现有贪婪迭代类压缩感知重构算法对非高斯量测噪声抵抗性差的问题,提出一种盲稀疏度下粒子滤波匹配追踪稀疏信号重构算法。该算法将鲁棒性更高的Huber损失函数替代常规的二次损失函数,用来增加对非高斯噪声的抵抗能力;并引入粒子滤波实现对原始信号的最优估计,以削弱量测噪声的影响;在信号稀疏度未知的条件下,结合稀疏度自适应匹配追踪算法实现盲稀疏度下的原信号重构。理论分析和仿真结果表明,所提算法可以有效抵抗因非高斯噪声干扰或稀疏度未知导致的重构精度降低,且重构性能优于现有典型贪婪迭代类算法。 相似文献
432.
433.
为适应"导航战"下的强干扰输入,导航接收机对模拟信道的动态范围提出了更高的要求。在给定的信噪比恶化容限约束下,原有的分析方法给出了二维曲线分析模型,得到了动态范围的优化设计及各级增益划分方法,但仅适用于输出功率基本不变的自动增益控制电路。基于增加的自动增益控制输出回退功率这一参数,提出了一种三维曲面求解模型,揭示了各电路参量与模拟信道动态范围的约束关系,可适用于输出功率变化的自动增益控制电路,以实现更高的动态范围。针对三维模型中参数求解复杂的问题,利用纯衰减网络的特性,将复杂的数值求解简化为直线求解,大幅降低了设计复杂度。在给出的设计实例中,动态范围测试结果与设计预期吻合较好,验证了方法的正确性。 相似文献
434.
鲁棒高效的直线提取算法在空间目标位姿估计、跟踪、骨架重建等领域有广泛的应用。提出基于像素局部对比度和全局虚警抑制的直线段检测算法。算法分为四步:第一步,计算像素点的梯度以及局部对比度;第二步,将方向大致相同的像素点分成直线支撑区域(像素方向为像素梯度方向的顺时针垂直方向),并对支撑区域进行矩形近似;第三步,在直线支撑区域内拟合直线段,计算直线参数;第四步,根据直线支撑区域信息验证直线段,抑制虚警。实验测试结果表明:该算法在复杂条件下,特别是光照影响条件下,具有更好的鲁棒性和效率。 相似文献
435.
436.
多处理机系统是巨型机的发展方向。宏任务是在多处理机系统上用来加快程序执行的一条主要途径。文中介绍了宏任务并行,描述了宏任务的实现,讨论了编译器和操作系统的支持。最后解释了宏任务的一个程序。 相似文献
437.
438.
本文讨论微任务技术及其在多机系统上的实现。微任务技术使得一个程序能在循环和语句块一级并行执行,它的显著特点是系统开销较小、效率较高,适应于小粒度并行。 相似文献
439.
为了在精密装调过程中对导引头伺服机构的动态特性进行准确预测,采用理论建模的方法确定了轴承微量装配参数与伺服机构谐振频率的定量关系。基于Hertz接触理论,建立5自由度轴承刚度模型,并将微量装配误差对轴承刚度矩阵的影响进行建模和分析;采用Timoshenko梁理论推导弹性阶梯轴单元矩阵,并确定系统特征值和特征向量的求解方法;采用MATLAB/GUI建立伺服机构谐振频率分析系统,并搭建实验系统对理论模型进行验证。分析和实验结果表明,所建立的分析方法可以对轴承的微量装配误差引起的谐振频率变化进行比较准确的计算,解决了目前伺服机构精密装调过程中动态特性预测的难题。 相似文献
440.
SiCw/Al复合材料的强度分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用简化应力的分析方法推导了SiCw Al复合材料的强度与SiC晶须偏轴角α的关系,并通过试验进行验证.结果表明,计算的SiCw Al复合材料强度与实测值比较接近,其误差归因于压缩变形过程中SiC晶须发生了转动和折断,改变了SiC晶须的偏轴角和平均长径比. 相似文献