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111.
通过分析漏磁场,选取法向分量的峰峰值和峰峰值间距作为漏磁通信号的特征量。重点介绍了多元回归分析模型理论、参数估计方法和回归模型的假设检验,得到缺陷宽度、深度与峰峰值和峰峰值间距之间的回归模型,最后利用漏磁数据对回归模型进行了检验,结果表明预测缺陷宽度和深度的误差不超过10%,利用回归分析能够实现漏磁检测的定量化。  相似文献   
112.
基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于无线通信和雷达系统的低变化调谐增益的电感电容式压控振荡器。该电路包括分布式偏置可变电容阵列和开关电容阵列,合理选择偏置电压扩展电容-电压曲线覆盖范围,在整个调谐电压范围内,可有效降低调谐增益。三位开关电容阵列将整个可调频率范围分为8个子频带,通过控制可变电容实现子频带内频率的调谐范围。同时采用开关可变电容阵列,有效抑制了电感电容式压控振荡器调谐增益的变化。基于1P6M 0.18μm工艺模型的后仿真结果显示该10 GHz压控振荡器调谐增益变化率表现优异,低至21.5%,调谐频率范围为9.13~11.15 GHz,同时该压控振荡器能够实现较低的直流功耗9 m W(1.8 V电源电压),相位噪声在10 GHz时为-105 d Bc/Hz@1 MHz。  相似文献   
113.
114.
综述了隐身材料的现状和发展趋势,包括雷达隐身材料、光电隐身材料、声隐身材料和降磁材料,并介绍了几种有发展前途的新型隐身材料.  相似文献   
115.
利用两格点分子场论(MFT),比较了R_nFe_m(n/m=1/3,6/23)和R_nFe_mM_k(M:类金属或其他金属;n/m/k=2/14/1;1/10/2)(即RFe_3,R_6Fe_(23),RFe_(10)V_2,RFe_(10)Mo_2,RF_(10)V_2N_x)两类化合物分子间的磁耦合系数;给出了Fe—Fe、R—R和R—Fe相互作用对居里温度的不同贡献。  相似文献   
116.
通过对磁链轨迹PWM技术的基本问题进行深入分析,从“变宽调频”这一角度对其调速原理进行了重新表述。由此得出一种新的调制器构造方法,具有结构简单、运行速度快、查胶量小等特点。最后给出了实验结果。  相似文献   
117.
118.
119.
现代战争对装备的电子化、信息化的要求越来越高。因此能否在战争的初期使对方的电子、信息系统失灵,将是控制战场主动权的关键。电磁脉冲战斗部正是为这一目标而设计的。它将炸药爆炸产生的化学能转化为高功率微波,从而在对方的电子设备中激起强大的电压,最终达到使系统失效的目的。讨论了电磁脉冲战斗部的发展动态及其技术。  相似文献   
120.
针对CCY - 1G型数字测磁仪的具体电路结构及功能 ,利用网络撕裂法对其进行故障诊断 ,实现了故障诊断快速、准确的目的  相似文献   
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