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本文给出一种新型数字可编程有源R方波发生器,其电路仅仅使用两个运算放大器、上跨导型运算放大器(OTA)和电阻器,并给出实验结果。 相似文献
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在诸如无线通信系统等应用中,可提供宽调谐范围压控振荡器(VCO)是一种址分有用的器件,本文考虑了由有源器件和电路布局在调谐带宽内年所产生的寄生效应,本文介绍了一种预测宽带VCO调谐带宽的方法,并把这种方法应用到超高频(UHF),考比兹(Cpitts)振荡器的设计中。 相似文献
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一种新的混沌雷达信号源的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
董建国 《军械工程学院学报》2004,16(4):27-30
基于考必兹(Colpitts)混沌振荡器,给出了一种新的混沌雷达信号源。这种混沌电路通过电容耦合两级改进型考必兹混沌电路实现。给出了基本改进型和两级耦合后的信号产生电路仿真结果,并对这种混沌雷达信号源和单级考必兹混沌电路的输出信号频谱进行了比较。 相似文献
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一种电阻-时间变换器及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
以张弛振荡器为基础,提出了一种用电阻-时间变换电路将所测信号转化为量化时间的信号检测新方法。分析表明,该变换器电阻变化与输出时间呈线性关系,电路误差小、抗干扰,调理简单,给出了应用这种电阻时间变换器进行多路检测的单片机系统实例。 相似文献
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为进一步提高虚阴极振荡器输出微波的功率和效率,同时为使其输出微波的频率更加稳定、模式更加单纯,设计了一种轴向提取的反馈式虚阴极振荡器,并利用粒子模拟方法分析了反馈装置对输出微波的影响,得到了一些规律性的认识。模拟结果表明,在相同的运行条件下,与不加反馈装置时的普通虚阴极振荡器相比,这种反馈式虚阴极振荡器的微波输出功率可以提高两倍以上,而且带宽窄、模式纯。 相似文献
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运用改进的"环形输运"模型和粒子模拟方法研究了调制型虚阴极振荡器中束流调制参数变化对虚阴极振荡器特性的影响。研究结果表明:束流的调制对虚阴极振荡器的运行性能有显著的影响,对电子束流进行适当的调制可以显著提高器件的束波转换效率。研究结果为设计高性能的虚阴极振荡器提供了基础。 相似文献
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用二维全电磁PIC方法对改进的磁绝缘传输线振荡器 (MILO)进行了模拟 ,对MILO的各项参数进行了研究 ,得到输入电压和慢波结构对MILO输出影响的规律。同时在实验上观察到与数值计算相一致的MILO工作主频不随输入电压变化的结果以及实验上证实MILO有明显的起始工作电压。 相似文献
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在GTEM室中用正弦连续波对某导弹装备上的1块数字控制电路进行电磁辐照,在30 V/m的场强下,引入的电磁骚扰还未导致被监测的与非门产生错误反转时,产生控制信号的自激多谐振荡器却受到了严重的电磁干扰。用计算机对此干扰进行仿真分析,并最后提出方波控制信号产生电路的电磁加固措施。 相似文献
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一款0.18μm CMOS辐射加固差分压控振荡器 总被引:1,自引:1,他引:0
基于对称负载压控振荡器(VCO)的单粒子瞬变(SET)失效机理,应用设计加固(RHBD)技术分别改进了偏置电路和环形振荡器,设计和实现了一款0.18μm CMOS辐射加固差分VCO.模拟结果表明:加固VCO的SET敏感性大幅降低,同时还降低了抖动对于电源噪声的敏感性.虽然电路结构变化会导致频率下降,但可以通过调整电路尺寸而解决.此外,加固VCO面积开销有所降低,优于其他加固方法. 相似文献
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差分压控振荡器中单粒子瞬变的研究 总被引:4,自引:3,他引:1
压控振荡器(VCO)是锁相环(PLL)中对于单粒子瞬变(SET)最为敏感的部件之一.基于180nm体硅CMOS工艺设计了一款经典的对称负载结构差分VCO电路,并利用电流源表征单粒子效应中电荷沉积和收集的过程,模拟了VCO电路的SET响应.模拟和分析表明,SET响应不仅取决于入射能量、振荡频率,还受到轰击时刻的制约,不同轰击时刻产生的最大相位差可以相差300°以上.此外,偏置电路某些结点最为敏感,可以放大SET的影响,导致时钟失效长达7个周期. 相似文献
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用三维全电磁PIC方法对一种利用反馈微波信号调制入射电子束的新型虚阴极振荡器进行了粒子模拟研究。在外加450kV电压的自洽发射状态下,得到的微波峰值输出功率可达数百兆瓦,微波主频位于C波段,瞬时峰值效率≥5%,主模式为TE10模,与试验结果符合较好。 相似文献
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文章通过建立长环光电振荡器频率传递模型,从光纤色散理论出发,综合考虑色散、光纤长度和光源对时延波动的影响,推导出光源中特定参数对振荡频率相位噪声影响的表达式,通过MATLAB数值仿真进行分析。仿真结果表明:随着光纤长度的增加,光源的频率噪声在光纤色散的作用下,转化为振荡频率的相位噪声,进而影响了频率的稳定度;光源的中心波长对相位噪声的影响是0.7dB/300nm,可以忽略不计;光纤色散系数变化了5ps/(nm.km),相位噪声恶化3dB,得到的仿真结果对下一步的硬件实验工作具有很好的理论指导意义。 相似文献
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本文在对振荡器相位噪声分析的基础上,从影响相位噪声的因素出发,选择了微带结构的克拉波电路;在满足振荡条件的基础上,采取了加大负反馈电容的办法,使振荡器的输出相位噪声改善约-5dBc/Hz/10kHz,在相对调谐带宽10%~20%时,获得相位噪声优于-95dBc/Hz/10kHz,功率波动±1dBm. 相似文献
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采用相对论全电磁模粒子模拟程序,对多波切仑柯夫振荡器进行了设计,给出了一套结构参数。模拟结果表明:所设计的器件在较宽的运行条件下(Ud=300~500kV,Ib=0.45~10kA,τγ=10~102ns)能产生相干微波,微波频率位于X波段(~10GHz),辐射效率在10%左右,最大输出功率约300MW. 相似文献
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采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一个中心振荡频率为2.46GHz的负阻补偿型LC压控振荡器。该压控振荡器采取差分负阻结构,利用反型NMOS电容实现频率调谐。通过对可调电容的特性研究,振荡器实现2.08GHz~2.84GHz的宽频率覆盖范围调谐,同时通过调节负阻器件的宽长比、优化片上螺旋电感几何参数获得高品质因数等方法提高振荡器的相位噪声性能。在1.8V供电电压下对电路仿真,相位噪声小于-120dBc/Hz@1 MHz,最低可达-125dBc/Hz@1 MHz,工作平均电流为3.74mA。在1.6V供电电压时工作正常,满足单芯片跳频频率综合器的应用要求。 相似文献