排序方式： 共有26条查询结果，搜索用时 15 毫秒
21.
以聚碳硅烷和锑改性聚硅烷为先驱体,利用先驱体转化Si C材料的富余自由碳高温石墨化的微观结构演变特点,采用热压烧结、先驱体浸渍-裂解法以及退火工艺制备出先驱体转化Si C纳米复合材料。采用SEM、TEM、XRD和Raman等测试手段表征和分析了相组成和微观结构,讨论了样品的热导率、电导率和塞贝克系数等热电参数随温度变化关系。研究表明,所得致密Si C纳米复合材料为n型热电材料。由于纳米石墨的作用,材料热导率抑制在4~8W/(m·K)范围。1600℃退火处理能够降低热导率,同时提高电导率和塞贝克系数绝对值,使先驱体转化法得到的Si C纳米复合材料无量纲热电优值ZT达到0.0028(650℃),高于其他已报道的致密Si C/C复合材料和纳米复合材料体系。 相似文献
22.
本文利用纤维测强法研究了镀铝SiC(Ti)纤维经不同规范热处理后的抗拉强度变化规律,探讨了SiC(Ti)纤维与铝的相容性。采用超声液相浸渗法成功地制备出SiC(Ti)/Al预制丝。预制丝强度及其萃取纤维强度试验和金相、扫描电镜观察等结果表明,该纤维在所定的工艺条件下强度降级甚小,纤维与铝之间的结合良好,所制出的预制丝强度达到ROM预测值。 相似文献
23.
文中研究了用离子减薄法制备NICALON(SiC)/A1预制丝的透射电镜(TEM)样品。结果表明:用离子减薄法制备含有性质非常不同的组元(如碳化硅-铝复合材料)TEM样品是一种方便、有效的方法。运用TEM初步分析了所制出的预制丝样品。 相似文献
24.
本文主要探索了以有机硅先驱体聚碳硅烷为粘结剂、采用热压烧结的方法制备Cf/SiC陶瓷基复合材料及碳化硅防氧化涂层的一体化工艺,探讨了聚碳硅烷含量、热压温度和压力对涂层防氧化效果的影响,并对涂层前后的Cf/SiC复合材料的防氧化性能进行了比较。结果表明:采用该工艺制备的SiC涂层Cf/SiC复合材料的防氧化性能显著提高。 相似文献
25.
本文用聚碳硅烷(PCS)与煤沥青(P)共混,制得PCS-P 共混物,再经纺丝、氧化、高温烧成,制成了SiC-C 纤维。该纤维电阻率随碳含量的增加而减少,强度和模量随碳含量的增高而降低,而且该纤维与环氧树脂复合制得的层合板材,具有良好的吸收电磁波性能。 相似文献
26.
为实现化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)的超光滑抛光,采用纳米划痕试验研究了化学气相沉积碳化硅脆塑转变的临界载荷,根据单颗磨粒受力对其抛光机理进行了分析,并从材料特性、工艺参数以及抛光液pH值三个方面对其表面粗糙度影响因素进行了系统的试验研究.研究结果表明:化学气相沉积碳化硅的稳定抛光过程是磨粒对碳化硅表面的塑性域划痕过程;CVD SiC的晶粒不均匀与表面高点会降低晟终所能达到的表面质量;表面粗糙度在一定范围内随磨粒粒度增加呈近似线性增长,随抛光模硬度的增加而增长;抛光压强对表面粗糙度的影响规律与抛光模的变形行为相关,当抛光模处于弹性或弹塑性变形阶段时,表面粗糙度随抛光压强的增加呈小幅增长,而当抛光模包含塑性变形之后,表面粗糙度基本与抛光压强无关;此外,抛光速度和抛光液pH值对表面粗糙度的影响不大.研究结论为CVD SiC超光滑抛光的工艺参数优化选择提供了定量的试验依据. 相似文献