低压电场驱动下膜分离 CO2的研究

以离子交换膜为基础,进行预处理和化学改性.研究了不同预处理条件、化学改性方法及低压电场的电压对离子交换膜的CO2分离效率的影响.结果表明,改进处理条件、施加低压电场及在膜中加入亲水物质可明显地增加离子交换膜的二氧化碳通量.     

自组装SiO2光子晶体线形阵列

采用溶剂蒸发技术在硅槽内对自制的SiO2微球进行组装,获得了具有显著光子带隙特征的SiO2光子晶体线形阵列,与平坦表面生长的光子晶体相比,微球在微槽内的自组装行为受到了明显的限制作用.     

5－乙酰基－2－氨基二苯甲酮的合成

用对硝基苯乙酮、乙二醇、苯乙腈、氢气、高氯酸为原料,经酮基保护,环化,催化加氢和消除反应,合成出较高产率的5-乙酰基-2-氨基二苯甲酮。对反应机理作了初步探讨,并用元素分析、IR和1HNMR对其结构进行了表征。     

负载型钴基超细粒子催化剂的催化性能

采用共溶胶 -凝胶法和超临界干燥工艺 ,制备了负载型钴基超细粒子催化剂Co-SiO2 ,研究了该种催化剂对CO氧化反应的催化性能 ,并进一步考察了钴含量对其催化活性的影响。研究结果表明 ,该种催化剂在低钴含量 ( 1 %～ 2 % )时即对CO的氧化反应表现出高的催化活性 ,并具有优良的热稳定性和很宽的反应活性温度区域 ( 1 60℃～ 80 0℃ ) ;钴含量对其催化活性和稳定性有重要影响 ,在 0 1 %～ 2 %的含量范围内 ,随钴含量增加 ,催化活性和稳定性逐渐升高。     

金属/SiO2复合气凝胶催化剂对一氧化碳氧化的催化

采用溶胶－凝胶法和超临界干燥法制备了Ｃｕ／ＳｉＯ２ 和Ｃｏ／ＳｉＯ２ 气凝胶催化剂， 对其结构和形貌进行了ＸＲＤ、ＴＥＭ 和比表面分析， 并考察了其对ＣＯ氧化的催化性能。实验结果表明， 制得的Ｃｕ／ＳｉＯ２ 和Ｃｏ／ＳｉＯ２ 气凝胶催化剂均保留了气凝胶的纳米网络和高比表面积， 活性组份均匀地分散在纳米级二氧化硅气凝胶载体中， 对ＣＯ的氧化均表现出高的催化活性。     

在单晶硅片上直接电化学沉积制备镍反opal光子晶体

采用电化学沉积工艺直接向组装在单晶硅片上的聚苯乙烯胶体晶体中填充金属Ni,成功制备了Ni的反opal光子晶体。采用线性扫描伏安法研究了单晶硅表面的化学刻蚀对Ni的电化学沉积过程的影响,并采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射等对Ni反opal光子晶体的形貌和结构进行了观察分析,对其光学性能进行了初步研究。研究结果表明,对单晶硅片表面进行化学刻蚀有利于金属Ni的电化学沉积;在PS胶体晶体模板中电化学生长的金属Ni呈多晶状态,去除模板后形成了金属Ni的有序多孔结构。     

PMMA胶体晶体模板法制备有序大孔SiO2材料

以自制的单分散的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微球作为胶体模板,用正硅酸乙酯、水、乙醇、盐酸等配成溶胶,填充在微球间空隙,暴露在空气中24h凝胶、陈化.溶胶的配比为正硅酸乙酯∶水∶乙醇∶盐酸=6∶3∶4∶1(体积比).然后通过程序升温焙烧去掉单分散的(PMMA)微球,可得有序SiO2大孔材料.程序升温控制的条件是以2℃/min的升温速率升到300℃,恒定5h,再以2℃/min的升温速率升到550℃,恒定10h,再以10℃/min的降温速率降到室温.     

纳米氧化钒薄膜的制备

以钒醇盐为原料,采用溶胶—凝胶法制备了具有纳米结构的氧化钒薄膜,对影响氧化钒溶胶稳定性的因素进行了系统研究,并初步探讨了焙烧工艺条件对氧化钒薄膜价态的影响。     

PPQ-b-PEG刚柔嵌段共聚物的合成及热稳定性

以聚乙二醇单甲醚、丁二酸酐、4-氨基苯乙酮、5-乙酰基-2-氨基二苯甲酮为原料合成了以聚苯基喹啉(PPQ)为硬段、聚乙二醇(PEG)为软段的"刚棒—线团"两嵌段共聚物PPQ b PEG,通过IR、1HNMR对其结构进行了表征,并对PPQ b PEG嵌段共聚物的热稳定性进行研究,结果表明:PPQ b PEG(d)的热稳定性高,PPQ b PEG起始的分解温度为250℃,在250～400℃失重很少,其失重率小于5%,在400～600℃才迅速失重,到620℃时彻底分解。