使用直接模拟法研究选择快中子屏蔽参数

使用蒙特卡罗直接模拟法模拟了300keV氘束流T（d,n）4He中子源发出的中子在球壳屏蔽体介质铁中的输运规律。分析了不同介质厚度的铁对中子的反射性质和吸收性质,这些解释和分析对快中子球壳屏蔽参数的选取具有重要价值。     

用蒙特卡罗方法计算快中子屏蔽体的厚度

文中使用蒙特卡罗方法,模拟了３００ｋｅＶ氘束流Ｔ（ｄ,ｎ）４Ｈｅ中子源发出的中子在球壳屏蔽体介质铁中的输运规律;对计算结果进行解释和分析,得出将中子能量从１４ＭｅＶ慢化到１ＭｅＶ以下所需的最佳屏蔽厚度。所得结果与国际上同类屏蔽体所取参数相一致,具有一定的应用参考价值。