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0.13 μm标准CMOS工艺的高可靠流水线模数转换器
引用本文:周宗坤,黄水根,董业民,林敏.0.13 μm标准CMOS工艺的高可靠流水线模数转换器[J].国防科技大学学报,2018,40(6):165-170.
作者姓名:周宗坤  黄水根  董业民  林敏
作者单位:1.中国科学院 上海微系统与信息技术研究所, 上海 200050;2.中国科学院大学, 北京 100049,1.中国科学院 上海微系统与信息技术研究所, 上海 200050;2.中国科学院大学, 北京 100049,1.中国科学院 上海微系统与信息技术研究所, 上海 200050,1.中国科学院 上海微系统与信息技术研究所, 上海 200050
基金项目:中科院重点部署基金资助项目(KGFZD-135-16-015)
摘    要:针对航空航天电子系统对高性能模数转换器的需求,采用0. 13μm标准互补金属氧化物半导体工艺,设计可以在极端温度和空间辐射环境中稳定可靠工作的12位分辨率、50 MS/s采样率的流水线模数转换器。通过采用无采样保持电路以及抗辐射电路和版图加固等技术,在减小功耗的同时有效地削弱总剂量辐射效应的影响。测试结果表明:在-55~125℃温度范围内以及150 krad(Si)的总剂量辐照条件下,得到大于64 dB的信噪比、大于73. 5 dB的无杂散动态范围和最大0. 22 dB的微分非线性。

关 键 词:流水线模数转换器  无采样保持电路  总剂量辐射效应  版图加固技术
收稿时间:2017/10/11 0:00:00
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