0.13 μm标准CMOS工艺的高可靠流水线模数转换器 |
| |
引用本文: | 周宗坤,黄水根,董业民,林敏.0.13 μm标准CMOS工艺的高可靠流水线模数转换器[J].国防科技大学学报,2018,40(6):165-170. |
| |
作者姓名: | 周宗坤 黄水根 董业民 林敏 |
| |
作者单位: | 1.中国科学院 上海微系统与信息技术研究所, 上海 200050;2.中国科学院大学, 北京 100049,1.中国科学院 上海微系统与信息技术研究所, 上海 200050;2.中国科学院大学, 北京 100049,1.中国科学院 上海微系统与信息技术研究所, 上海 200050,1.中国科学院 上海微系统与信息技术研究所, 上海 200050 |
| |
基金项目: | 中科院重点部署基金资助项目(KGFZD-135-16-015) |
| |
摘 要: | 针对航空航天电子系统对高性能模数转换器的需求,采用0. 13μm标准互补金属氧化物半导体工艺,设计可以在极端温度和空间辐射环境中稳定可靠工作的12位分辨率、50 MS/s采样率的流水线模数转换器。通过采用无采样保持电路以及抗辐射电路和版图加固等技术,在减小功耗的同时有效地削弱总剂量辐射效应的影响。测试结果表明:在-55~125℃温度范围内以及150 krad(Si)的总剂量辐照条件下,得到大于64 dB的信噪比、大于73. 5 dB的无杂散动态范围和最大0. 22 dB的微分非线性。
|
关 键 词: | 流水线模数转换器 无采样保持电路 总剂量辐射效应 版图加固技术 |
收稿时间: | 2017/10/11 0:00:00 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
| 点击此处可从《国防科技大学学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《国防科技大学学报》下载免费的PDF全文 |
|