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运用切割式巴仑实现高功率超宽带天线的平衡馈电,并用FDTD进行仿真分析。研制出2×4元高功率天线阵,测量结果显示该天线阵能耐250kV以上高压,工作带宽达6个倍频(200~12 000MHz),具有较好的脉冲波形保真性。利用所研制的天线阵列建立外场探测实验系统,在外场进行目标探测试验。结果表明该天线阵可以用于实际的超宽带雷达发射天线阵,为高功率源在雷达探测中的应用作出了初步探索。 相似文献
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针对传统线性大功率开关调制器难以满足目前微波效应源使用需求的现状,采用多路调制管并联和变压器升压的方法,研究了一种C波段大功率速调管放大器微波效应源,阐述了其设计原理和总体方案,并根据技术指标要求确定了相关电路设计参数,对主要功能电路进行了设计和试验,试验结果证明主要技术指标满足设计要求. 相似文献
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高功率微波武器是指能发射峰值功率在吉瓦以上、频率为1吉赫~300吉赫的脉冲微波束,用以毁坏敌方电力和电子设备的定向能武器,有时也被称为射频武器。按照结构,微波武器分为可重复使用的高功率微波定向发射系统和一次使用的高功率微波弹两种。从目前的发展趋势来看,射频/微波武器进入实用阶段的时间可能会比专家们以前预测的要提前。 相似文献
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利用微波脉冲注入实验平台,对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中,当低噪声放大器增益下降大于10d B时,发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜观测损伤后晶体管的微观特性发现:硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后,基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路,不再具有PN结特性,导致器件失效。 相似文献
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张存波 《国防科技大学学报》2015,37(2)
利用微波脉冲注入实验平台,对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中,当低噪声放大器增益下降大于10 dB时,发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜(SEM)观测损伤后晶体管的微观特性,结果表明:硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后,基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路,不再具有PN结特性,导致器件失效。 相似文献
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对过模结构在提高功率容量方面的优点进行了理论分析;分别采用解析方法和有限元方法研究了理想无限长过模慢波结构及有限长过模慢波结构色散关系的特点,对比了这两种情况下TM01模色散特性的区别,结果表明两者在纵向波数取值及对应的频率上有所差别,这对于高功率微波器件高频结构的设计有重要的参考价值。 相似文献
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根据三维数字射线追踪法,研究了扰动后的电离层对不同波段的电磁波传播的影响,结果表明:利用人工手段扰动电离层可以显著影响无线电波的传播,受扰电离层可以引导甚低频波(VLF)进行"哨声模式"传播,进而实现对潜通信;使得短波(HF)传播轨迹发生偏转、逃逸、聚焦和散焦,进而实现短波干扰;降低卫星通信频率,进而利用新波段实现卫星保密通信,同时还能产生透镜效应,对实现卫星通信的甚高频波(VHF)产生额外增益,增强通信效果。 相似文献
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等离子体对于高功率微波的攻击具有独特的防护效果。基于等离子体流体近似方法,利用COMSOL软件研究了高功率微波与柱状等离子体阵列相互作用过程中入射电场随时间的演变过程,分析了等离子体防护高功率微波的物理过程和作用机理。研究结果表明,入射的高功率微波会使等离子体参数发生剧烈变化,特别是其电子密度将急剧增加,从而使等离子体对入射的高功率微波表现出类似金属的电磁特性,最终实现对入射高功率微波的有效防护。此外,利用高频辉光放电产生柱状等离子体阵列,通过实验验证了等离子体对高功率微波的防护作用。最后,总结了基于等离子体的高功率微波防护技术需解决的主要问题。 相似文献