微波毫米波光学的器件和电路发展

在过去十年中,半导体材料和器件工艺水平的迅速提高,给系统设计师们提供了经过极大改进了的新的微波、毫米波和光学器件;这些进展主要是由于半导体材料和器件加工工艺的大大改进。这一快速进展正在继续促进着全新的半导体材料（例如超结晶格子）以及新的器件和电路（例如砷化镓单片微波,毫米波和光学集成电路）的研究。 本文将集中在几个研究领域,预计这些研究领域在一九八五年～一九九五年间对系统设计将会产生重要的影响。     

促进移动通信发展的微电子技术

近十年来,各种移动通信系统获得了迅速的发展,这种发展是与同一时期内微电子技术的进步密切相关的。面对２１世纪,移动通信设备需要进一步降低功耗,减轻重量,缩小体积,降低价格,方便使用,这就对微电子器件的进步提出更高的要求,新型微电子器件,包括高频分立器件,单片微波集成电路,高频ＭＯＳ功率放大器,ＳＡＷ滤波器,频率合成器,单片微处理器和ＩＣ卡等,对于移动通信设备,尤其是终端机性能的改善起着关键的作用。微     

面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应

研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在GaN功率器件中造成的退化和损伤机制进行分析与讨论。研究结果显示：GaN功率器件具有较强的抗总剂量能力,但是抗单粒子能力较弱,易发生漏电和单粒子烧毁,且烧毁点多发生在栅极边缘的漏侧。对GaN功率器件辐照损伤机理的研究缺乏权威理论,有待进一步探索,为其空间应用提供理论支撑。目前,平面结构的GaN功率器件是主流的技术方案,单片集成及高频小型化是GaN功率器件未来发展的方向。     

微波集成电路技术及工艺的进展

七十年代以来,由于各种微波半导体器件迅速发展,而且微带电路逐步成熟,使得各类微波集成电路的研制,生产和应用,在国防建设,微波通信以及仪器等方面愈来愈显得重要。本文将就薄膜ＭＩＣ制作中涉及的无源器件中的薄膜基片、导电带及薄膜阻容元件的发展等方面作一简述。     

具有电介质衬套的多波切仑柯夫振荡器

提出了具有电介质衬套的多波切仑柯夫振荡器的概念，并采用粒子模拟方法对之进行了研究。结果表明：电介质衬套能使器件在较低二极管电压下正常工作，同时，在低电压区的辐射效率明显提高。这对开发多波切仑柯夫振荡器在爆磁压缩产生高功率微波等领域的应用具有参考价值。研究还发现：微波频率随电介质的介电常数增大而单调下移，电介质的介电常数及导引磁场的强度均具有最佳值。     

中国电子科技集团公司第十二研究所

正中国电子科技集团公司第十二研究所(简称中国电科12所)是我国专门从事微波电真空器件研究的大型综合性研究所,是国内微波电真空器件领域的行业龙头单位。主要产品有各种速调管、行波管(含空间行波管)、磁控管、前向波管、气体放点开关管、闸流管、触发管、回旋管、铯束管、加速管及各种非标准设备、微波功率放大器等。广泛用于雷达、电子战、通讯、导航、测控、大科学工程以及微     

在微带线上装有二级管和放大器所得到的辐射结果

人们对把固态器件组装在微带天线的同一表面上日趋重视。本文介绍了计算这些电路辐射功率的方法。该计算有助于评估微带补片天线辐射方向图的扰动。文章给出了二极管、单片放大器和晶体三极管的辐射功率表达式。     

光导开关高功率微波发生器

本文介绍半导体光导开关和光触发微波发生器工作原理,以“激光腔镜兼作GaAs光导开关”为例,讨论使微波发生器小型化的措施 综述缩减整机尺寸、研制便携型高功率微波发生器的技术进展。     

平面微波光子晶体的表面波带隙

光子晶体在微波毫米波领域已经有了广泛的应用,适合于微波集成电路结构的光子晶体结构将具有很大的应用前景。在微带介质层上周期加载矩形金属贴片,可以获得平面微波光子晶体,并且在特定频段内禁止表面波传播。利用格林函数和矩量法对这种平面微波光子晶体结构进行了计算,通过求解特征方程,得到在这种微带结构中表面波的传播常数,并通过参数设计得到所需要的表面波带隙。这种结构对于微波集成电路和相控阵天线具有很大的应用价值。     

值得注意的PAL器件

PAL器件是近几年才出现的一种实现数字系统的大规模集成芯片。它不仅能实现组合逻辑电路,而且也能实现时序逻辑电路,可用单片或几片PAL器件来实现过去十几片、几十片中小规模集成电路所实现的数字系统。它具有体积小、价格低、功能强、可加密、高可靠性和使用方便灵活的特点。本文详细介绍了PAL器件的结构、工作原理及应用,并简略地介绍了PA的编程方法 .     

微波专业的计算机辅助教学

微波专业的本科学生需要学习《微波技术基础》、《微波网络与器件》、《微波电子线路》、《微波测量》等专业技术基础课和专业课。这些课程有很多内容抽象,数学推导多,学生学习不易建立起牢固的概念和较深印象。为提高教学质量,多年来,我们除了精减内容,增加实践环节以外,还力图应用一系列的电化教学手段,例如制作大量的录像片等。随     

3.6—6.4GHz YIG调谐场效应管振荡器

YIG调谐振荡器具有相位噪声低、工作频率范围宽和线性好等特点,在微波领域得到广泛的应用。利用未封装的管芯直接做在微带电路上的工艺,晶体管YIG调谐振荡器可在1～12.4GHz之间工作,而GaAs场效应管YIG调谐振荡器可以做到7～40GHz。目前国内场效应管调谐振荡器还很少见,为了使GaAs场效应管YIG调谐振荡器国产化,我们结合微波频合器的开发工作,研制了3.6～6.4GHz频段的GaAs场效应管YIG调谐振荡器。     

胶粘剂微波固化监控仪设计

设计胶粘剂微波固化温度监控仪及其驱动程序。该监控仪由数字温度传感器DS18B20、AT89S51单片机、微型液晶显示器LCD1602和继电器控制电路组成,结构简单,控温精确。对设计电路和驱动程序进行的Proteus软件仿真结果表明：控温仪设计正确,完全能满足应用需求。     

《最新世界半导体分立元件实用大全》出版

本书在集日本、美国、西欧及国内直到1988年出版的半导体器件手册基础上,由湖北省信息中心精心编译而成,该书分上下两卷(?)上卷为三极管部分,汇集各种三极管三万余种型号,下卷为各种二极管、场效应管、单结晶体管、光电器件及单、双     

行波提取型同轴渡越时间振荡器模拟

提出了一种行波提取型同轴渡越时间振荡器,器件的提取腔采用了类膜片加载的扩展互作用腔结构,具有束波作用效率高,电子束空间电势能低等优点。提取腔的电场结构为3π/2模,与传统的类π模结构相比,提高了微波群速度,有利于微波能量的提取。通过引入前置反射腔,提高了调制腔的品质因数,显著降低了起振时间。利用数值模拟软件对所设计的器件进行了模拟和优化,在二极管电压530kV,二极管电流12.8kA,外加导引磁场0.7T的条件下,得到了2.41GW的输出功率,微波频率7.76GHz,束波功率转换效率达到35.5%。     

特种光缆及组件在武器装备领域的应用

本文综合论述了特种光缆及组件在武器装备领域的应用,并简要介绍了我国在该领域的一些应用产品。一、引言自20世纪70年代以后,由于光纤光缆和半导体光电器件两大基础元器件的突破性进展,光子技术迅速地和电子技术结合起来,形成具有强大生命力的信息光电子技术和产业。以光纤光缆、光电器件和集成光路为基础的信息传输、信息传感和信息处理已从实验室走向实用阶段，特别是光纤光缆通信已发展成为信息时代显著标志之一。     

法国的微波器件研究

法国的微波器件和元件工业,早已被认为是主要技术力量。微波杂志编者新近观访了巴黎的无线电技术联合公司和汤姆逊-CSF的两个分部,发现他们毫未懈怠,仍在积极工作,努力研制。下述报导概述了这些单位目前正从事的某些微波工作。     

电感储能高功率微波系统的数值模拟

介绍了REFORM程序,使用等效电路模型,研究了电感储能驱动高功率微波系统的性能问题。电路中考虑了初级能源,脉冲变压器,电爆炸丝切断开关,同轴传输线,火花隙陡化开关,以及微波二极管负载等。由模拟结果得到了一些有用的结论,即通过电路参数优化可以提高整个系统的效率,进而验证电感储能高功率微波系统方案的可行性。     

高功率微波武器发展构想

目前国外高功率微波武器技术发展已达到实用水平。分析了高功率微波武器的原理及特点,详细介绍了其组成及关键技术,根据高功率微波武器的功用及作战性能,提出了对未来陆基、海基、空基和天基微波武器的应用发展趋势和构想。     

西安电子科技大学天线与微波技术重点实验室

正天线与微波技术重点实验室始建于1992年11月,1998年7月通过总装备部和信息产业部组织的验收,正式投入运行。实验室由中国电子科技集团公司第十四研究所和西安电子科技大学共同承建,设南京分部和西安分部。实验室西安分部依托西安电子科技大学建设,是专门从事天线与微波技术领域研究的国家级研究机构,是"电磁场与微波技术"国家重点学科、"211工程"重点建设学科、国防特色学科的主要依托单位。实验室总面积5300余平方米,拥有大型微波暗室、天线近远场测量系统及多种天线微波设计及验证平台。