光盘存储器的技术特点及应用

本文对光盘存储器的类别、技术特点和应用范围进行了介绍,重点论述了DVD的物理结构及数据读取特点.     

无缝坏块处理与流水编程的NAND型内存控制器设计与实现

为满足航天大容量存储系统对高速存储及数据完整的需求,实现了一个基于NAND型内存的高性能控制器,提出了一种实现于NAND型内存芯片内部的流水编程机制,以及一种可以保证数据无缝连接的坏块处理机制。介绍了存储控制器的各个模块设计,并分析了不同情况编程机制所需的时间计算方法,建立仿真模型,利用蒙特卡洛方法仿真并讨论了流水编程机制的性能优化效果。在实际硬件平台验证了流水编程机制和坏块处理机制,结果表明该大容量存储系统的存储速率可达100MB/s,读取数据与存入数据保持一致,数据无乱序无丢失。     

基于DRFM的机载PD雷达干扰研究

针对传统干扰技术对PD雷达干扰的不足,噪声干扰对干扰机功率要求高,欺骗干扰产生的干扰数目单一,基于当前对抗先进体制雷达的手段——DRFM,对PD雷达干扰进行研究。通过将截获的雷达信号存储、处理,按程序设定的转发间隔重复读出当前采样信号并转发,产生了多个距离欺骗假目标;通过对每次转发干扰进行频率调制,产生了包含距离速度欺骗的一系列假目标;并经过Matable仿真验证了在PD雷达窄带滤波器中,出现多个距离或速度欺骗假目标。并通过仿真验证了干扰的有效性。     

新型扫雷装药爆炸场特性分析及应用

基于爆破法扫雷爆破筒扫雷作用原理,设计了8.2 kg一次引爆型固态FAE扫雷装置。通过改变起爆位置和设置方式,多次野外近地面爆炸试验,采用反射压力传感器在装药正向与侧向离爆点不同位置进行压力测试,同时在正向测线压力传感器的对应位置设置某型防步兵地雷,得到爆炸场不同位置处的爆炸参数以及防步兵雷扫雷范围。结果表明:水平设置扫雷装药的扫雷范围明显大于垂直设置的装药,最佳炸高约为0.60 m;且其爆炸场正压区作用时间曲线呈“V”形,产物作用范围达63倍装药半径,与等当量的TNT的作用时间有明显的优势;本装置的扫雷范围约为目前扫雷爆破筒爆破扫雷范围的1.8～3.85倍,正向可靠扫雷范围可达其装药半径的77倍,侧向达69倍。由于该装药爆炸作用区域正压作用时间明显加长,因此有利于各种地雷的清除,是一种潜在高效的爆破法扫雷装药。     

闪烁存储器(FLASH)Am29LV400B及其在DSP系统中的应用

本文主要讨论了闪烁存储器(FLASH)Am29LV400B的结构原理及其在DSP系统中的使用方式。通过一个工程实例:以FLASH为应用程序和初始化数据的存储器,通过系统的外部并行自举方式将程序和数据搬移到程序存储空间运行,并介绍了FLASH存储器的优点和软硬件设计中应注意的一些问题。     

一种灵巧的多假目标干扰技术研究

相干假目标的产生是欺骗干扰的关键技术,针对现代雷达技术对干扰技术提出的更高要求,首先介绍了间歇转发干扰技术,然后从信号频谱分析入手,提出了利用频谱调制的办法产生大量相干假目标,并给出了结构框图及干扰信号形式.在此基础上,把间歇采样与频谱调制组合使用产生了一种新的干扰技术.通过仿真试验,并与间歇采样转发干扰技术比较,验证了新技术的可行性和优越性.     

65 nm工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估

新兴的三维静态存储器将代替二维静态存储器被广泛用于高性能微处理器中,但它依然会受到软错误的危害。为了能够快速、自动分析多层管芯堆叠结构的三维静态存储器软错误特性,搭建了三维静态存储器软错误分析平台。利用该平台对以字线划分设计的三维静态存储器和同等规模的二维静态存储器分别进行软错误分析,并对分析结果进行对比。研究结果表明二维和三维静态存储器的翻转截面几乎相同,但三维静态存储器单个字中发生的软错误要比二维静态存储器更严重,导致难以使用纠检错技术对其进行加固。静态模式下二维和三维静态存储器敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。     

阻变存储器发展现状

在纳米电子器件时代,来自量子隧穿和电容耦合等问题的挑战,使得Flash半导体存储器的发展遇到瓶颈。阻变存储器是忆阻器在二值情况下的特殊应用,因其结构简单、高密度、高速、低功耗、与CMOS工艺兼容以及具备三维集成能力,成为最具发展潜力的下一代非易失存储技术之一。在国内外学者的共同努力下,阻变存储器的研究已经取得了诸多突破性的进展。本文主要综述阻变存储器的发展历程、材料体系和阻变机理,并总结展望了阻变存储器进一步发展的优势和面临的挑战。