氧化钨薄膜电致变色机理的探讨

研究磁控溅射生成的氧化钨薄膜处于电解液系列中的循环伏安特性,充电电流及光学特性.采用配体场理论来解释氧化钨薄膜在电场作用下,锂离子注入引起薄膜变色的现象,认为注入的锂离子破坏了薄膜界面层内氧化钨分子的八面体结构的对称性,在内部静电场和外部电场的共同作用下,钨离子d轨道的五重简并能级分裂,从而使得薄膜对可见光产生d-d吸收,导致氧化钨薄膜变色.     

用动网格法计算理想平板的颤振导数

提出了一种数值模拟振动的理想平板绕流场 ,并提取其气动导数的方法。时间相关的不可压N S方程采用Projetion 2格式解耦 ,关于中间速度的动量方程的时间和空间离散采用二阶半隐格式 ,压力Possion方程迭代用多层网格法加速收敛。分别计算平板作竖向强迫振动或扭转强迫振动的气动力 ,用动网格法考虑平板和气流的耦合作用。由计算得到的气动力用最小二乘法确定 8个气动导数。计算结果和理想平板的Theodorsen理论值有较好的一致性     

一种简化的空气中二维抛板模型

本文对于在炸药驱动下空气中的二维抛板理论模型,提出了一种具有较普遍意义的简化处理方案。     

金属/高聚物夹层阻尼板的阻尼特性及其应用

本文在制备出金属／高聚物夹层阻尼板的基础上,分析了影响夹层阻尼板损耗因子的一些因素,结果表明,温度和阻尼层厚度等对阻尼板损耗因子有较大的影响;另外在直流接触器中,将衔铁进行了阻尼处理,并讨论了衔铁吸合时的振动特性     

边界元法在薄壁杆扭转问题中的应用

本文运用边界元法,分析研究了角形和箱形这类截面薄壁杆在扭转时的剪应力分布规律及应力集中问题.     

用配点法求解四边搁支板的弯曲问题

根据弹性薄板微分方程的一般解和边界条件的配点法来求四边搁支板的弯曲问题,并以对称荷载作用下的正方形板为例进行了分析计算。     

磁控溅射制备SmCo薄膜的工艺及磁性研究

用直流磁控溅射方法制备了SmCo薄膜,通过正交设计实验考察了工艺因素对薄膜沉积速率的影响规律。研究结果表明,影响薄膜沉积速率的主要因素是溅射功率,其次为靶基距,在0.5～2.0Pa的压强范围内,Ar气压强的大小对溅射速率的影响很小。X-射线衍射结果表明:制备态的SmCo薄膜为非晶结构,500℃真空热处理后,薄膜中出现少量的微晶SmCo5化合物。磁性能测试表明:制备态SmCo薄膜的矫顽力随薄膜厚度的增加而显著下降;真空热处理过程中,薄膜结构缺陷及成分起伏减少,薄膜的矫顽力和饱和磁场强度显著下降,初始磁导率和饱和磁化强度显著增加。     

横向运动板对长杆弹侵彻的偏转作用

弹体的攻角直接影响其侵彻能力,而横向运动板能使弹体发生偏转改变攻角,间接影响弹体的侵彻能力。在一定条件下,推导长杆弹在单层横向运动板作用下的偏转模型,并利用有限元仿真软件ANSYS／LS-rDYNA对长杆弹侵彻横向运动板的过程进行数值模拟。通过对偏转模型及仿真结果的分析,发现两者较为相符。研究结果显示：长杆弹侵彻横向运动板时,弹体会发生偏转,偏转的角速度先增后减,最后为0rad／s,此时偏转角最大;弹体速度方向也会发生偏转,其最终偏转角与弹体轴线的偏转角接近。     

带有氧化钨涂层的ITO平面电极在LB系列电解液中的阻抗分析

电致变色实验显示1 mol/L六氟磷酸锂与碳酸乙烯酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯和碳酸甲乙酯所混合形成的电解液(LB)系列是一类非常节能的电致变色电解液,它们能用很小的充电电流(20μA/cm2)使得氧化钨薄膜获得更长久、更好的变色性.研究氧化钨薄膜在LB系列电解液中的交流阻抗特性,有助于更好地理解氧化钨薄膜的变色性能.文中研究了带有氧化钨薄膜层的ITO平面电极处于LB系列电解液中的阻抗谱,分别得出了氧化钨薄膜和ITO电极的等效电路;测算出氧化薄膜的常相位角元件、薄膜电阻、韦伯电阻以及与ITO电极有关的电双层电容和电极电荷转移电阻.证实了LB315是性能优良的电解液.     

非局部薄板动力学特性分析的广义有限积分变换方法

基于应力梯度非局部薄板理论模型,推导了非局部薄板动力学特性求解的广义有限积分变换方法.通过选取适应边界条件的积分核函数并构建广义积分变换对,应用积分变换将非局部薄板的高阶偏微分方程变换成线性方程组,直接求解得到固有频率.将广义有限积分变换方法的计算结果和有限元法及已有文献的结果进行对比,验证了本文方法的正确性.在此基础...