单栅场效应管可变增益放大器设计

本文介绍了一种可变增益放大器设计方法。在X波段实现了极党的电平控制范围（＋45—－15dB）。由于采用了价格低廉的ATF13100型单栅场效应管,使得该放大器制作成本大为降低,电路设计更加简便。     

用于功率应用的异质结双极晶体管-材料选择和设计准则

对山羊空肠粘膜固有层的肥大细胞进行了初步电镜观察。在山羊肥大细胞中，多数胞浆颗粒含有电子密度比较均匀的无定型基质，但在部分胞浆颗粒中可见有特殊的亚微结构，如蜂窝状、空泡状、旋涡状及绳索状结构。     

泵喷推进器线谱非定常推力预报方法与试验验证

为预报泵喷推进器转子与周期性前导叶尾流互作用线谱非定常推力,忽略泵喷推进器转子叶片厚度,将泵喷转子简化为环形叶栅,根据片条理论,在半径r处截取泵喷转子分段,忽略流场参数沿分段径向的变化,从而可将该环形叶栅分段视为平面叶栅,在平面叶栅与简谐波互作用的基础上考虑周期性进流,推导得到前导叶分段与转子分段互作用线谱非定常激振力,转子分段周向积分得到非定常推力线谱预报公式,通过数值和试验方法验证公式的有效性。开展设计参数影响分析,得到当前导叶-转子间距与前导叶弦长的比值大于1时,转子-后导叶间距对转子单个叶片的激振力线谱推力几乎不存在影响。     

22 nm全耗尽型绝缘体上硅器件单粒子瞬态效应的敏感区域

基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际电路中重离子轰击位置对22 nm FDSOI器件SET敏感性的影响,并从电荷收集机制的角度进行了解释。深入分析发现寄生双极放大效应对重粒子轰击位置敏感是造成器件不同区域SET敏感性不同的原因。而单管漏极接恒压源造成漏极敏感性增强是导致单管与反相器中器件SET敏感区域不同的原因。修正了FDSOI工艺下器件SET敏感性区域的研究方法,与单管相比,采用反相器进行仿真,结果更符合实际情况,这将为器件SET加固提供理论指导。     

电缆绝缘电阻测试基于嵌入式LINUX系统的驱动开发

在Linux通用驱动程序的基础上,根据电缆绝缘电阻测试的功能需求,结合proc文件系统设计思想,完成基于嵌入式Linux系统的测试仪驱动程序的设计与开发.根据芯片接口设计介绍了读写操作的实现过程;利用中断和互锁机制提高系统效率和稳定性,通过系统调试证明此驱动程序运行时速度快、内存利用率高,能够满足系统需求,具有较好的工程应用价值.     

苏联/俄罗斯军用电子元器件发展历程及启示

引言军用电子元器件是武器装备发展的基础,是直接影响武器装备性能和功能的重要因素之一。军用电子元器件是实现作战空间信息收集、处理、传输、分发的基础,是实施精确攻击、电子战、信息战、战斗识别、导弹防御的前提,是夺取战场信息优势、决策优势乃至作战行动优势的关键。因此,苏联/俄罗斯非常重视发展军用电子元器件。从1945年"二战"结束至今近70年的时间里,伴随着苏联/俄罗斯军事工业的发展,其军用电子元器件发展历程可谓跌宕起伏。既经历了领先时的辉煌,也饱尝了落后时的苦味;既因为品质卓越而把武器装备性能推向顶峰,也因为存在差距而拖累武器装备发展。     

戴高乐智挫兵变

说起兵变,人们总会想到惊心动魄的角逐、你死成活的争斗,刀光剑影、血肉横飞的战场。然而,在世界历史中,却有一次不动一兵一卒,不发一枪一炮挫败一场兵变的史实。这场没有硝烟的战争,是法国总统戴高乐将军在1961年导演的杰作,他使用的唯一威力无穷的“武器”,却是谁都意想不到的袖珍晶体管收音机。     

90纳米CMOS双阱工艺下STI深度对电荷共享的影响

基于3维TCAD器件模拟,研究了90nm CMOS双阱工艺下STI对电荷共享的影响.研究结果表明:增大STI深度能有效抑制NMOS电荷共享,且550nm为抑制电荷共享的有效深度,超过这个深度收集的电荷量几乎保持不变;而对于PMOS,STI深度的增加使电荷共享线性减小.这对于电荷共享加固具有重要指导意义.     

不同网栅结构对MEFP成型影响的对比分析

为了研究不同形状网栅结构对形成的MEFP破片的影响,利用LS-DYNA动力有限元程序,采用Lagrangian方法,分别对十字形网栅切割式MEFP战斗部、星形线形网栅切割式MEFP战斗部、中心圆环形网栅切割式MEFP战斗部、井字形网栅切割式MEFP战斗部成型过程进行了数值模拟研究,并对影响各自破片成型及发散角的因素进行了分析研究。通过对不同方案网栅切割式MEFP速度及散布面积对比分析,结果表明:采用井字形网栅产生的破片集聚性优于十字形、星形线形和中心圆环形结构方案。