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91.
为探讨金属橡胶在高速冲击环境下的动态力学性能,制备了圆柱实心金属橡胶试件,使用分离式霍普金森压杆(SHPB)开展了金属橡胶的动态压缩试验。分析了金属橡胶动态应力-应变规律,探讨应变速率和弹簧卷外径对金属橡胶的动态弹性模量、动态峰值应力、能量吸收和理想能量吸收效率的影响规律。结果表明,动态应力-应变曲线分为弹性形变阶段、局部塑性变形阶段和破坏阶段,动态弹性模量和动态峰值应力均表现出典型的应变速率效应,且均随弹簧卷外径的增大而减小。此外,随着应变增大,能量吸收性能随应变速率增大而逐渐变好,随弹簧卷外径的减小而逐渐变好。理想吸能效率受应变速率影响很小,但随应变增大而逐渐增高并趋于饱和,其饱和值均大于0.75,弹簧卷外径为3 mm时,金属橡胶的理想吸能效率最优,其饱和值达到0.88,表明金属橡胶材料在高速冲击下有良好的吸能抗冲击作用。  相似文献   
92.
以45^#金属套和氮化硅陶瓷柱为研究对象,采用有限元法分析了不同过盈量下金属套/陶瓷柱外伸式过盈连接的应力分布规律。结果表明:陶瓷柱在接触边缘均存在明显的边缘效应,轴向应力梯度较大;金属套在接触边缘内侧存在显著的应力集中,其值远大于对应位置陶瓷柱的压应力,易于导致陶瓷材料破坏。采用热胀法进行了试验验证,过盈连接试样均在12h内发生自然断裂,较好地验证了有限元分析结果。  相似文献   
93.
随着我国科技进步及建筑节能需要,特别是近年钢结构建筑体系的推广,金属复合板得到迅猛发展。从分析金属复合板的材料性能和火灾特点入手,就工程施工、使用过程中存在的消防安全问题及防范措施进行了探析。  相似文献   
94.
镍对重力分离SHS陶瓷内衬复合管的影响   总被引:5,自引:1,他引:4  
采用SHS重力分离技术制备陶瓷内衬复合管,通过改变主燃烧配系组元Ni的含量,研究分析了金属Ni对陶瓷内衬复合管制备的燃烧特性及机械性能的影响。研究发现,适量的Ni粉能促进SHS燃烧进行,提高燃烧体系的绝热燃烧温度和陶瓷层的致密度,并且有助于形成金属/陶瓷界面过渡层,这极大提高了复合管的显微硬度和抗压剪强度。当Ni粉含量为19wt%时,陶瓷层的显微硬度和抗压剪强度分别最高达1764N/mm2和36.1MPa。  相似文献   
95.
采用电液伺服材料试验机的位移加载方式,对金属橡胶/橡胶复合叠层耗能器进行动态试验研究,结果表明:耗能器的恢复力同时受频率和振幅的影响具有非线性迟滞特性。在此基础上,结合理论分析建立耗能器的动力学模型,提出一种参数分离识别法,辨识出模型中的未知参数。将辨识结果与试验曲线进行对比,结果表明,所建模型可靠,且参数识别精度能够满足工程应用的要求。  相似文献   
96.
利用MSC-NASTRAN有限元程序模拟计算甲板大开口的应力.建立简单的总体和分段力学模型,采用不同的加载方法进行甲板应力计算,将局部应力计算结果与整体应力计算结果比较,得出各种加载方法有限元计算的误差,从而给出误差小、建模简单的局部分段模型加载的最佳方法.  相似文献   
97.
98.
金属风暴武器射速与命中概率关系研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于对超音速、高超声速导弹的防御需求,从研究未来空域窗发射体制入手,利用"金属风暴"武器所具有的超高射速能力,通过分析超高射频弹幕武器在对空防御过程中的作战效能,计算目标命中概率与武器射速之间的关系,从而提高了发射系统的作战效能.并对发射系统的配置提出了理论上的要求.  相似文献   
99.
金属磁记忆信号表征铁磁材料变形的基础研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为探索利用金属磁记忆技术进行再制造毛坯质量控制的方式方法,制作了18CrNiWA钢退火处理和调质处理的板状静载拉伸试件,在MTS810型液压饲服试验机上进行了拉伸试验,采用EMS2003金属磁记忆仪检测拉伸过程试件表面磁记忆信号变化,并利用OLYMPUSGX51观察了2种热处理状态的金相组织。研究结果表明:轴向拉伸载荷诱发试件产生磁有序状态,磁信号曲线在弹性和塑性变形阶段内呈现不同分布特征,磁曲线斜率Ks可以表征拉应力导致的变形程度;2种试件微观组织不同导致拉伸过程中呈现不同的力磁效应。  相似文献   
100.
为了评价腔体开口因素对核电磁脉冲(High-amplitude Electro Magnetic Pulse,HEMP)和高功率微波(High Power Microwave,HPM)破坏效能的影响,采用CST电磁计算软件建立强电磁脉冲的孔缝耦合模型,研究孔缝的位置、大小以及长宽比对HEMP和HPM耦合效应的影响。结果表明,孔缝的位置、大小及长宽比对HEMP的耦合效应影响较大,合理控制孔缝的位置、大小以及长宽比能在一定程度上削弱HEMP的破坏效能。对于HPM,相同条件下其耦合效应要明显强于HEMP。在孔缝达到一定尺寸后,其大小和长宽比对HPM的耦合效应影响较小,仅孔缝位置会带来较大的影响。当开口平面与HPM入射方向平行时,耦合效应最弱,但此时耦合进入腔体内的能量还是很容易达到多种电子元器件的电磁损伤阈值级别。  相似文献   
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