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1.
采用磁控溅射法结合结晶化热处理工艺在碳化硅(Silicon Carbide, SiC)颗粒表面成功制备了金属钼(Molybdenum, Mo)涂层,分析了Mo涂层的成分和形貌;然后采用热压烧结工艺制备了SiCp/Cu复合材料,重点对比分析了Mo界面阻挡层厚度对复合材料导热性能的影响。结果表明:磁控溅射法能够在SiC颗粒表面沉积得到Mo 涂层,随溅射时间的延长Mo涂层的厚度增加、粗糙度增大,且磁控溅射后SiC颗粒表面直接得到的Mo涂层为非晶态,结晶化热处理后,变为致密平整的晶态Mo涂层。磁控溅射时间即Mo涂层厚度对复合材料导热性能影响明显,随磁控溅射时间的增加,复合材料的热导率呈现先增后减趋势,采用磁控溅射9h镀Mo改性并经过800℃结晶化热处理的SiC复合粉体在850℃下热压烧结制备的SiCp/Cu复合材料(VSiC=50%),其热导率达到了最高值274.056W/(m·K)。  相似文献   
2.
采用液相浸渍法结合反应熔渗法快速制备了改性C/C复合材料,研究其微观组织及在氧乙炔焰和高频等离子体风洞环境中的烧蚀行为。结果表明:改性C/C复合材料主要含有HfC、ZrC、TaC等高熔点陶瓷改性相,其密度为3.83g/cm3,开孔率仅为4.71%。氧乙炔焰烧蚀360s后,改性C/C复合材料表面形成一层主要由HfO2、ZrO2、Ta2O5组成的致密氧化物层,材料的线烧蚀率为0.00518mm/s。使用高频等离子体风洞考核改性C/C复合材料球头模型,在热流量3.5MW/m2、驻点温度2293℃的条件下考核180s后,模型表面生成致密光滑的氧化物保护层,与基体结合牢固,模型形状及尺寸无明显改变,去掉氧化物后测得其线烧蚀率为0.00172mm/s。  相似文献   
3.
采用液相浸渍法结合反应熔渗法快速制备改性C/C复合材料,研究其微观组织及在氧乙炔焰和高频等离子体风洞环境中的烧蚀行为。结果表明:改性C/C复合材料主要含有Hf C,Zr C,Ta C等高熔点陶瓷改性相,其密度为3.83 g/cm3,开孔率仅为4.71%。氧乙炔焰烧蚀360 s后,改性C/C复合材料表面形成一层主要由Hf O2,Zr O2,Ta2O5组成的致密氧化物层,材料的线烧蚀率为0.005 18 mm/s。使用高频等离子体风洞考核改性C/C复合材料球头模型,在热流量3.5 MW/m2、驻点温度2293℃的条件下考核180 s后,模型表面生成致密光滑的氧化物保护层,与基体结合牢固,模型形状及尺寸无明显改变,去掉氧化物后测得其线烧蚀率为0.001 72 mm/s。  相似文献   
4.
界面热阻对金刚石/银复合材料导热率的影响   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
研究了金刚石/银复合材料的导热率与金刚石的含量、粒度等之间的关系,着重讨论了界面热阻对复合材料导热率的影响。并阐述了金刚石表面镀钛,能有效改善金刚石对银的润湿性,降低界面热阻,从而提高金刚石/银复合材料的导热率。  相似文献   
5.
采用磁控溅射法结合结晶化热处理工艺在SiC颗粒表面成功制备了金属Mo涂层,分析Mo涂层的成分和形貌;采用热压烧结工艺制备SiCp/Cu复合材料,重点对比分析Mo界面阻挡层厚度对复合材料导热性能的影响。结果表明:磁控溅射法能够在SiC颗粒表面沉积得到Mo涂层,随溅射时间的延长,Mo涂层的厚度增加、粗糙度增大,且磁控溅射后SiC颗粒表面直接得到的Mo涂层为非晶态,结晶化热处理后,变为致密平整的晶态Mo涂层。磁控溅射时间对Mo涂层厚度和复合材料导热性能影响明显。随磁控溅射时间的增加,复合材料的热导率呈先增后减趋势。采用磁控溅射9h镀Mo改性并经过800℃结晶化热处理的SiC复合粉体在850℃下热压烧结制备的SiCp/Cu复合材料(VSiC=50%),其热导率达到了最高值274.056W/(m·K)。  相似文献   
6.
固体法稀土—硼共渗研究   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
本文研究了固体法稀土-硼共渗层的组织性能,并与单渗硼层进行了比较,结果表明,稀土-硼共渗提高了渗硼层的耐磨性,降低了渗硼层的脆性,改善了渗层的组织。文中还用现代分析测试手段分析了渗层中的稀土元素,发现稀土元素可渗入到40Cr钢中800μm深处。本文对稀土-硼共渗的机理及稀土元素的作用做了初步的分析探索。  相似文献   
7.
二维正方点阵液态声子晶体的带隙计算   总被引:6,自引:1,他引:5       下载免费PDF全文
介绍了计算二维正方点阵液态声子晶体带隙的PWM法。在四氯化碳/水银复合体系中发现了完全带隙,当四氯化碳填充分数为约22%时带隙宽度达到最大值。研究了三种不同截面形状的填充物,其中,圆形截面填充物体系比方形截面及其45°旋转的体系更有利于产生宽带隙。对圆形截面填充物体系,当填充分数为f=0 229时有最宽带隙ΔΩ=0 5497。将填充物和基体交换,即水银/四氯化化碳复合体系中,所得到的带隙宽度显著减小。  相似文献   
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