微波铁氧体基片精密研抛技术研究

针对微波铁氧体基片的功能要求和材料特性,基于坐标变换法对平行式研磨、抛光加工区域的相对运动轨迹进行仿真研究,为合理选择工艺参数提供理论依据;通过正交化实验分析各种工艺参数对研磨效率的影响规律;在此基础上,采用优化组合的工艺参数进行微波铁氧体基片平行式研磨和抛光加工,技术指标均达到或超过了使用要求。     

一种基于改进型BC-CSRR的半模基片集成波导滤波器

为解决传统BC-CSRR在阻带性能上的问题,提出了一种改进型MBC-CSRR结构,并利用该结构设计了一个阻带性能优良的HMSIW滤波器。分析了加载MBC-CSRR的HMSIW等效电路和结构特性,采用有限元法对该结构的传输特性进行了仿真。结果表明:所提出的改进型MBC-CSRR在保持传统BC-CSRR优点的基础上具有更优良的阻带性能。应用该结构设计了一个三阶HMSIW带通滤波器并进行测试。结果表明:所设计的加载MBC-CSRR的HMISW滤波器具有结构紧凑、损耗低、成本低、易于集成且阻带性能优良等特点。     

四分之一模基片集成波导谐振结构的研究

文章首先从基片集成波导谐振腔场结构出发,在半模谐振腔的基础上提出了四分之一模谐振腔结构。设计了一个两级四分之一模谐振器组成的基片集成波导滤波器,利用HFSS电磁仿真软件分析了滤波器的性能,结果显示滤波器通带阻带特性均能满足一般工程应用要求,验证了四分之一模结构的可行性。     

半模基片集成波导互耦的仿真与分析

利用等效磁壁而提出的半模基片集成波导能够将原基片集成波导的尺寸、重量减半,便于电路的小型化和集成化,因而研究这种结构在集成电路中的互耦现象十分必要。文中对同一个微波集成电路中相邻的两个半模基片集成波导以及改进的半模基片集成波导的互耦现象进行了仿真与分析。仿真结果表明,反向和同向排列方式受互耦的影响较小,并且改进后的半模基片集成波导结构能明显减弱互耦现象的影响。     

介质涂覆SIW宽边纵缝分析

在波导缝隙天线表面涂敷介质层可以起到保护、隔热的作用,而且合理设计介质层参数能够改善天线的性能。利用等效关系,将介质涂覆SIW缝隙模型等效为介质涂覆矩形波导缝隙模型,利用矩量法研究了缝隙的特性,并和商业仿真软件HFSS的结果进行了比较,本文方法在保持较高计算精度的同时,将计算时间减少了一个量级。在此基础上,以单层、两层和三层介质涂敷为例,分析了涂覆介质的介电常数和厚度对缝隙谐振长度和归一化谐振导纳的影响,为涂敷介质层的优化设计奠定了基础。     

基片方向对多弧离子镀ZrN涂层性能的影响

采用多弧离子镀在304不锈钢基体表面沉积ZrN涂层。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、纳米压入仪、电化学分析仪等，比较了基片方向对涂层结构、形貌、成分、沉积速率、硬度以及耐腐蚀性的影响。结果表明：基片方向不同会引起晶体择优取向的改变；垂直于靶材的样品表面大颗粒相对较少，但沉积速率只有平行样品的40％-50％；在负偏压条件下，平行于靶材的样品涂层硬度更高，而垂直样品获得更好的耐腐蚀性。