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采用磁控溅射法结合结晶化热处理工艺在碳化硅(Silicon Carbide, SiC)颗粒表面成功制备了金属钼(Molybdenum, Mo)涂层,分析了Mo涂层的成分和形貌;然后采用热压烧结工艺制备了SiCp/Cu复合材料,重点对比分析了Mo界面阻挡层厚度对复合材料导热性能的影响。结果表明:磁控溅射法能够在SiC颗粒表面沉积得到Mo 涂层,随溅射时间的延长Mo涂层的厚度增加、粗糙度增大,且磁控溅射后SiC颗粒表面直接得到的Mo涂层为非晶态,结晶化热处理后,变为致密平整的晶态Mo涂层。磁控溅射时间即Mo涂层厚度对复合材料导热性能影响明显,随磁控溅射时间的增加,复合材料的热导率呈现先增后减趋势,采用磁控溅射9h镀Mo改性并经过800℃结晶化热处理的SiC复合粉体在850℃下热压烧结制备的SiCp/Cu复合材料(VSiC=50%),其热导率达到了最高值274.056W/(m·K)。 相似文献
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本文通过热压的方法分别制得以Y2O3-Al2O3和Y2O3-La2O3为烧结助剂的SiCw/Si3N4陶瓷基复合材料,对比了采用不同种类及含量的烧结助剂的SiCw/Si3N4复合材料的性能结果,发现烧结助剂的种类及含量对SiCw/Si3N4复合材料的弯曲强度和断裂韧性有明显的影响,对高温弯曲强度的影响尤为显著。 相似文献
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采用磁控溅射法结合结晶化热处理工艺在SiC颗粒表面成功制备了金属Mo涂层,分析Mo涂层的成分和形貌;采用热压烧结工艺制备SiCp/Cu复合材料,重点对比分析Mo界面阻挡层厚度对复合材料导热性能的影响。结果表明:磁控溅射法能够在SiC颗粒表面沉积得到Mo涂层,随溅射时间的延长,Mo涂层的厚度增加、粗糙度增大,且磁控溅射后SiC颗粒表面直接得到的Mo涂层为非晶态,结晶化热处理后,变为致密平整的晶态Mo涂层。磁控溅射时间对Mo涂层厚度和复合材料导热性能影响明显。随磁控溅射时间的增加,复合材料的热导率呈先增后减趋势。采用磁控溅射9h镀Mo改性并经过800℃结晶化热处理的SiC复合粉体在850℃下热压烧结制备的SiCp/Cu复合材料(VSiC=50%),其热导率达到了最高值274.056W/(m·K)。 相似文献
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本文用Si-C-N纳米微粉做增强相,Si3N4微粉为基相,采用热压的方法制备了SiCp/Si3N4纳米复相陶瓷,所得的SiCp/Si3N4复合材料的室温弯曲强度为878.5MPa,断裂韧性达11.96MPam1/2,同时应用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)对其结构进行了观察,讨论了结构与性能之间的关系。 相似文献
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