小功率伺服放大器功率扩展后的应用

一、问题的提法小功率随动系统在指挥仪中得到了普遍的应用。随着对其品质指标要求的提高,需要研制出一个性能好、品质指标高的伺服放大器已成为一个关键问题。我们在研制电子管放大器、磁放大器、可控硅放大器以及晶体管放大器的过程中,积累了丰富的经验,掌握了大量的实验数据。在以上几种放大器中,应用最普遍的是10瓦交流小功率晶体管伺服放大器。它的各项品质指标都较其他放大器为优。用它来推动φ36机座交流伺服电机,获得了较好     

微波功率晶体管管内匹配网络设计

本设计的目的是建立一个用于宽带固态放大器的宽带微波功率晶体管。本文包括:1) 设计思想;2) 内匹配电路衰减的计算;3) 输入、输出阻抗匹配网络的计算机辅助设计。     

晶体管对数放大器原理及某些实际电路

对数放大器已广泛使用在雷达接收机中,用来扩大接收机的动态范围及作为瞬时自动增益控制电路,在单脉冲雷达接收机中采用对数相减可用于跟踪多目标,在一般非单脉冲体制雷达中加上双讯道对数相减电路可以用来跟踪干扰源等。下面介绍晶体管对数     

宽频带固态功率放大器研制成功

总参第六十三研究所最近研制成功10W UHF 宽带场效应晶体管放大器。其结构紧凑,性能优良,已全面通过例行试验,能在-40℃～55℃的环境温度下连续工作,并已用于通信设备,深得用户和同行好评。本放大器主要技术指标为:     

有源三阶低通滤波器

通常使用有源滤波器用来弥补简单的无源LC滤波器的缺陷。下面所给出的有源滤波器,是采用最少的元件,使用一种电源,就可提供具有各种希望特性的低通滤波器(如巴特伍兹特性、古比雪夫特性、贝塞尔特性等)。图(1)所示的电路是本文所要设计的有源滤波的一种形式,它的特点之一是采用二个晶体管BG_1和BG_2构成简单的放大器,可以代替一个运算放大器,使线路简单,成本     

基于正交锁定差分放大器的巨磁阻抗（GMI）磁传感器

基于非晶丝的巨磁阻抗(GMI)效应,利用CoFeBSi非晶丝作为敏感材料,采用正交锁定放大电路和仪用放大器作为信号调理电路,设计了一种差分式高灵敏度GMI磁传感器。介绍了巨磁阻抗效应的基本概念和双非晶丝差分结构的磁敏探头,分析了基于正交锁定差分放大技术的信号调理电路的工作原理,并结合非晶丝两端输出信号的幅度和相位特性,提出了正交锁定放大器输出包络的近似计算方法。实验结果表明:在-2.0 Oe~+2.0 Oe的量程内,该GMI磁传感器灵敏度可达748mV/Oe,线性误差为0.98%FS,且噪声平均功率谱密度约为0.8nT/Hz1/2。     

高频电子管功率放大器的建模与仿真

为了建立电子管FU-100F的仿真模型,首先在选取合适的经验公式的基础上,结合该电子管的测试曲线,采用数值拟合的方法确定了经验公式中的参数;然后,按射频电源对于功率放大器的要求,使用电子管FU-100F设计了一个电子管功率放大器;最后,对功率放大器电路进行了仿真验证。结果表明:该功率放大器输出功率约为1kW,符合设计指标要求。     

微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性

利用微波脉冲注入实验平台,对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中,当低噪声放大器增益下降大于10d B时,发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜观测损伤后晶体管的微观特性发现:硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后,基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路,不再具有PN结特性,导致器件失效。     

微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性（高功率微波技术研究所专题组稿）

利用微波脉冲注入实验平台,对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中,当低噪声放大器增益下降大于10 dB时,发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜（SEM）观测损伤后晶体管的微观特性,结果表明：硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后,基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路,不再具有PN结特性,导致器件失效。     

一种计算机的读放电路

本文介绍一个线路简单、性能良好并与固体组件匹配的磁芯存贮器读出放大器电路。它是根据“电流控制”概念构成的。该电路于1973年上模型机,1975年正式用于某某计算机。一、电路结构磁芯存贮器读出放大器的功能是将几十毫伏的磁芯读出信号,鉴别并放大成与固体组件相对应的数字信号:“1”信号为3v;“O”信号为0.3v。它一般有4～5级(如图1)。第一级使放大器与读出线阻抗匹配。第二、三级为差分放大器起鉴别与放大作用。第五级将放大后的信号进行电平变换,以适应固体组件的要求。为了不使电平变换电路影响差分     

预失真技术在C波段功率放大器中的应用

文章设计了一个工作在C波段的功率放大器,并针对此放大器设计了模拟预失真电路。选用Agilent公司的ATF-21170砷化镓场效应晶体管作为模拟预失真器的非线性器件,所设计的预失真器具有结构简单、易实现、插入损耗小、三阶互调失真补偿性能较好的特点。仿真结果表明,在输出功率为1dB压缩点时,三阶互调比改善了13dB。     

电源变换器的工程实现方法探讨

本文提出了4种电源变换器的工程实现方法,即采用集成运算放大器、定时器、门电路构成电源变换器以及采用专用电源变换器,并给出了电路组成、工作原理及工作特点。电源变换器解决了集成运算放大器需采用双电源供电带来的电源种类多、干扰大、成本高之缺点,具有广泛的实用性、经济性。     

微波技术当前的发展动向(第十二届欧洲微波会议出访报告)

本文从微波遥感、卫星通信和雷达、射电天文、医学和工业应用、微波元件和无源电路、微波有源电路、微波电子管等七个方面介绍第十二届欧洲微波会议上的新成就和发展动向。     

改善电感测微仪二次测量电路精度的措施

介绍了差动调幅式电感测微仪的工作原理,分析了影响二次测量电路精度的因素,在此基础上提出了利用自稳幅技术以及波形改善技术、全波数字相敏检波技术以及软件部分的数字滤波、线性补偿技术来改善测量精度的措施。实验结果表明,采用上述改进措施,测量精度有了显著的提高。     

E-PHEMT微波宽带放大器的静电防护电路设计

为提升E-PHEMT微波宽带放大器的抗静电能力,在分析放大器3个端口电路结构的基础上,兼顾静电保护效果、电路尺寸、微波特性与被保护电路的有机结合,提出基于PIN二极管作为基本组成元件的微波宽带放大器静电保护电路的设计方法和思路,并研制出实物样品.通过试验对比放大器改进前后的电性能和抗静电能力,其结果表明:改进后样品的微波特性满足规范要求、抗静电能力由500V提高到2 000V.该设计方法和思路在保障放大器电特性的基础上,提升了放大器的抗静电能力.     

大功率晶体管变换器中驱动电路的设计

在大功率晶体管变换器中 ,驱动电路是整个功率变换器的关键。驱动电路设计的如何 ,直接关系到整个功率变换器的工作状况。本文介绍了一例性能优越的驱动电路方案 ,该方案虽然由分立元件构成 ,但其设计思想仍有重要的实际借鉴意义。     

智能时间增益补偿放大器

本文提出了一种智能型时间增益补偿放大器,叙述了电路的工作原理和需要解决的技术难题.     

改进的高精度除法器

一、前言“计算技术参考资料”(75.5)、总62期第8页(以下简称“资料”)介绍了“反馈控制式除法器”运算精度达0.24％或更高达0.1％,该电路由方波发生器、锯齿波形成器、比较器、反馈控制运算放大器等组成,但电路仍然复杂,体积比较大。在该电路启发下,本文又设想出更简单的用脉冲相对宽度产生器和反馈控制运算放大器组成的电路,精度仍保持在0.24％以上,下面就分析改进后仍能完成除法运算的道理。     

L波段微波集成低噪声晶体管放大器

介绍一个低噪声晶体管放大器的实验设计和制做。增盆为18db。噪声系数为5db。     

基于电流传输器MOSFET－C有源元件的实现

本文提出了基于电流传输器、ＭＯＳ场效应管和电容构成的全集成有源元件,包括ＧＩＣ、模拟电感和频变负电阻（ＦＯＮＲ）元件电路,这些电路使用４个匹配晶体管组达到特性的线性化。