半导体光催化剂负载技术评述

从载体材料和半导体光催化剂的负载方法2方面对半导体光催化剂负载技术进行了评述．     

集成电路方波脉冲注入损伤效应实验研究

为了得到各损伤参数随脉宽的变化规律,寻找建立评价复杂EMP波形对集成电路损伤模型的依据,对2种典型的集成电路器件进行了方波脉冲注入损伤实验。结果表明:RAM6264损伤电压、电流及功率均随脉宽增大而减小,损伤能量处于某一小范围之内,可能属于能量损伤型器件;BG305损伤电压、功率随脉宽增大而减小,损伤能量随脉宽增大而增大,损伤电流处于某一个小范围之内,可能属于电流损伤型器件。     

Z—元件性能初探

简要介绍了Z元件工作原理及其电学性能,光学性能 辐射性能的部分研究工作,并对Z元件的研制提出了初步建议。     

用于微电子化剂量仪的半导体探测器特性研究

给出了用于微电子化剂量仪的半导体探测器的剂量特性,研究工作表明：该探测器可以和微电子化电路结合,并在常温低偏压（1－3V）下工作,且其灵敏度可在68－316cps/(R/h)之间变化,对微电子化剂量仪中电子线路的设计,奠定了基础。     

VLSI与电子系统的层次化可测性设计

论述了一种对电子系统VLSI自顶向下的层次化自动化测试方法及层次化自测试的概念和相应的可测试性设计结构,并讨论了数模混合集成电路的可测试性设计问题。     

Ku波段FET介质振荡器的研究

本文从介质谐振器谐振频率计算入手,分析了谐振器品质因素Ｑ值与耦合系数β的关系,并对提高振荡器频率温度稳定性进行了研究。最后给出研究结果：振荡频率１５ＧＨｚ,输出功率＋１０ｄＢｍ,长期频率稳定度２×１０＾－５／日,在－２５＋５５℃温度范围内,频率温度稳定性±１．２ｐｐｍ／℃,功率温度稳定性０．０２ｄＢ／℃,偏离载频１０ＫＨｚ处相位噪声－８９ｄＢｃ／Ｈｚ,振荡器腔体体积为３６×４０×２２（ｍｍ）。     

可由用户编程的门阵列

门阵列的发展,对大规模集成电路技术有极大影响。本文简要介绍一种极受研究、设计人员欢迎的新型门阵列,这种密集的门阵列逻辑可以由系统设计人员通过软件来作出安排,而不是像通常的门阵列那样在生产中事先安排好。对新型门阵列的工作原理,优点和应用前景作出评价。     

依托军工配套 推动企业腾飞

峨嵋半导体材料厂(所)是我国20世纪60年代内迁三线建设的第一家从事半导体材料科研、试制、生产相结合的大型国有企业。自1965年成立以来至今已具有40多年为军工配套服务的历史,累计完成军工试制项目600余项,目前已形成了高纯材料和半导体硅材料二大系列军工配套产品。多年来,依托军工配套项目的建设,增强了厂(所)的综合实力,提高了产品的核心竞争力,2006年厂(所)销售收入达到1.95亿元,创造了历史新高。