数字单稳触发器在小数分频中的应用

本文简要说明了数字单稳的设计及其在∑-△调制小数分频中用于扣除脉冲的过程，给出了仿真结果。     

单目标探测下的双红外被动测距方法

基于工程三维应用中红外探测目标信息存在误差的情形,建立了对单目标探测进行双红外被动测距的方法,并且通过单点测试验证了该方法的正确性。利用Monte Callo模拟实验法,分析了红外探测角度误差、两站点基线距离和单目标运动特征对该方法定位精度的影响。     

钢纤维喷射砼单层永久衬砌在某燃峒室中的应用

钢纤维混凝土是一种新型复合材料，与普通混凝土相比具有良好的物理力学性能。钢纤维混凝土正越来越广泛地用于隧道及地下工程中。采用Ansys5．61版有限元分析程序对某大跨度峒室Ⅳ类围岩试验段中应用钢纤维喷射混凝土单层永久衬砌取代传统的网喷混凝土+钢筋混凝土二次衬砌方法进行了理论设计。工程实践表明钢纤维能比钢丝网提供更高的剩余荷栽承受能力，钢纤维喷射混凝土在首次开裂后具有较小的变形，在变形的情况下也具有同等的功能，钢纤维喷射混凝土单层永久衬砌完全可以取代传统的支护设计方法，并可取得显著的技术经济综合效益。     

采用非对角1-D切片的码片速率盲估计北大核心

在通信侦察识别中,通信信号的码元速率估计是调制识别和信息解调的前提和基础。针对直接序列扩频信号的伪码码片速率估计问题,提出了一种利用联合循环高阶累积量非对角1-D切片特征参数,对直扩信号码片速率进行盲估计的改进算法。该算法将采样信号不同延时的非对角1-D切片进行联合处理,通过自相关、快速傅里叶变换、求模平方等方法,增强了谱线特征。仿真实验证明,改进算法较2-D切片算法简化了计算,并且在更低信噪比条件下,实现了对无先验信息直接序列扩频信号的码片速率盲估计。     

箔条云干扰下的单目标恒虚警率检测研究

箔条云在扩散过程中随着时间变化会稀释和扩大,其回波特性会发生改变,被检测目标与箔条的相互位置关系也会影响雷达恒虚警检测。针对作战对抗过程中箔条干扰易造成雷达接收机阻塞干扰目标检测,检测概率迅速降低且易丢失目标贻误战机,通过详细分析箔条的扩散过程及信号频谱特性及其箔条云和目标的两种位置关系,利用恒虚警处理算法在噪声基底为10 dB和20 dB情况下对目标进行恒定虚警率检测研究。研究结果对改善飞机检测性能和抗虚警能力以及提高战场生存率具有积极作用。     

基于作战环的单目标毁伤概率分析

针对现代化战争的特点,基于作战环的思想,将整个作战环分成几个不同的环节进行分析,并提出了一种求解武器装备对于单目标毁伤概率的计算方法。该方法考虑了不同环节对于目标毁伤的影响,定量计算了武器装备对敌方目标的毁伤概率,既从宏观层面上考虑了武器装备的涌现性,又从底层分析了影响目标毁伤的参数。最后通过示例分析验证了方法的可行性和有效性。     

片上多核处理器的双向环设计与物理实现

针对少量强核构成的片上多核处理器,设计了一种双向环。该结构包含5个不同类型的环链路层,分别用于传输命令、大量数据以及小量数据;采用源路由方式,并设计了专门的拥塞控制网络,防止报文的相互覆盖;路由器采用无缓冲无阻塞结构,单节拍通过环的每个跳步,以降低环的传输延迟并实现可预知的确定延迟传输。针对环的链路距离长位宽大的挑战,通过实验选择了合理的中继器插入方法,并采用相邻导线交替插入反相器以信号线反向交错排布等串扰优化等方法,对环进行了物理设计和和长链路进行了延时优化。最终实现结果表明,本文所设计的环达到了1GHz的工作主频,并具备高达256GByte/s的链路带宽,完全满足高性能数字信号处理的需求。     

基于时频单源点检测和聚类验证技术的欠定混合盲辨识算法

针对欠定混合盲辨识问题,提出了一种基于时频单源点检测及聚类验证的盲辨识算法。检测各个源信号的时频单源点,利用奇异值分解的方法求解不同单源点集合对应的混合矢量,利用基于k均值的聚类验证技术完成源信号数目和混合矩阵的联合估计。算法放宽了已有方法对时频单源区域的假设,不需要假设信号存在时频单源区域,可以完成仅存在离散的时频单源点条件下的欠定混合盲辨识;同时克服了传统算法需要假设源信号个数已知的不足,可以有效地估计源信号数目。仿真结果验证了算法的有效性。     

双模圆锥喇叭单孔战损补片修复方法研究

由于馈源损伤对雷达对抗装备天线性能影响严重,且其修复效果决定天线性能恢复程度,因此,需要研究出较为有效的馈源修复方法.基于高频电磁场分析方法,针对雷达对抗装备馈源单孔损伤模式,运用现有战场抢修手段,通过FEKO软件模拟修复及仿真分析,探讨研究馈源单孔损伤补片修复方法.通过大量的模拟修复以及仿真分析,总结出馈源单孔损伤战场补片修复的一般原则.     

面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应

研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在GaN功率器件中造成的退化和损伤机制进行分析与讨论。研究结果显示：GaN功率器件具有较强的抗总剂量能力,但是抗单粒子能力较弱,易发生漏电和单粒子烧毁,且烧毁点多发生在栅极边缘的漏侧。对GaN功率器件辐照损伤机理的研究缺乏权威理论,有待进一步探索,为其空间应用提供理论支撑。目前,平面结构的GaN功率器件是主流的技术方案,单片集成及高频小型化是GaN功率器件未来发展的方向。