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ESD对微电子器件造成潜在性失效的研究综述 总被引:1,自引:0,他引:1
静电放电(ESD)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视。国内外学者在微电子器件ESD潜在性失效的检测及探讨失效机理方面的研究取得了较大的进展。研究表明:MOS电路等微电子器件,在ESD作用下确实存在潜在性失效问题。因此,开展ESD潜在性失效研究具有重要意义。 相似文献
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为了对浅海环境中的船舶轴频电场进行建模,以基本模拟单元——水平时谐电偶极子为例,根据惟一性原理结合边界条件求解赫兹矢量势。通过电磁场与赫兹矢量势的关系式,推导了其在浅海环境下在海水中产生的电磁场的计算公式。对水平直流电偶极子在三层介质下的电磁场分布进行了求解,对其在海水中产生电场的空间分布特性及通过特性进行了分析。在实验室中模拟浅海海洋环境和水平时谐电偶极子,将水平时谐电偶极子和直流电偶极子在轴频段的电场分布仿真结果与实际测量结果做对比。结果表明,时谐电偶极子实际电场分布与理论计算结果一致,证明了推导过程和所得解析表达式的正确性;水平直流电偶极子在对轴频电场的信号包络中进行求解时建模精度高,可替代水平时谐电偶极子的计算模型,且具有更高的工程实用性。 相似文献
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提出了一种实现电子产品系统集成和小型化的设计思想 ,探讨了采用FPGA (FieldPro grammableGateArray) ,SOC(System On a Chip) ,IP(IntellectualProperty)等新型逻辑器件以及EDA(ElectronicDesignAutomation)手段的设计方法 ,实现软硬件协同仿真、验证和电子虚拟样机以及设计重用的设计理念 ,为 2 1世纪智能电子产品的系统集成开辟了一条先进的技术途径。 相似文献
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为研究不同因素对其电流扩展速度的影响,根据晶闸管的结构特点和工作原理,建立晶闸管器件模型及脉冲成形网络等效电路模型并进行了仿真模拟.数值仿真结果表明,当正向阻断电压从3000 V增加至5000 V时,扩展速度可增加24.6%;当基区宽度从500μm增加至900μm时,扩展速度降低了31.7%;当载流子寿命从1μs增加至... 相似文献
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分子自细装在当今学术界已成为一项极有意义的研究课题,从自组装的提出至今,经过各国科学家和学者的不懈努力,研究工作已取得了系列重要成果。分子自组装在生物工程技术上的建模、分子器件、化学传感器、表面工程以及纳米科技领域已经有很广泛的应用,但在免疫传感器方面的应用才刚刚起步。综述了分子自组装技术及其在免疫传感器中的应用,包括自组装单分子膜的结构及成膜机理、类型、特征;自组装单分子膜表面的进一步功能化;重点介绍了自组装技术在免疫传感器表面固定抗体(抗原)分子的应用。最后,对分子自组装应用于免疫传感器目前存在的问题及今后的发展前景进行了展望。 相似文献
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