方波注入对组合电路损伤效应研究

以某型雷达系统为试验对象,选取典型系统的组合电路,进行方波脉冲注入对比试验,研究了电磁脉冲对系统中组合电路的损伤规律。试验表明:电磁脉冲对组合电路的损伤与电路结构有关,损伤过程是一个渐变的过程,注入脉宽越大其损伤电压越小,能量可能是造成电路功能损伤或失效的主要因素。     

LDO稳压器敏感度建模与仿真技术研究

基于LDO稳压器在电磁干扰（EMI）下产生直流偏移失效的机理分析,展开敏感度建模与仿真方法研究。使用一款实验芯片,创新地引入片上电压传感器,用于测试EMI在LDO稳压器内部的传播特性。在敏感度建模中,建立等效电路模型,通过直流功能测试,Z参数阻抗特性测试验证模型的正确性,将该模型用于LDO稳压器的敏感度预测。在敏感度仿真过程中,通过分析关键子电路和不断增加寄生元件,仿真不同寄生因素对敏感度影响的权重。将仿真结果与传导直接注入法（DPI）片上测试结果对比,仿真结果与DPI测试在频域1MHz至1GHz匹配。     

两型PFN脉冲功率电源放电特性研究

为对两种类型的多模块电容型脉冲功率电源放电特性进行研究,分析了放电过程中各主要功率器件的电气特性及电源对负载的放电效率,并针对I型PFN模块放电过程中反向电压不能释放的缺点,为脉冲功率电源设计了反向电压释放通道。仿真结果表明:二极管和晶闸管等器件的性能受电路拓扑及时序的共同影响,I型PFN对负载的放电效率比II型PFN更高,通过反向电压释放通道可将放电过程中产生的反向电压有效回收,以进一步提高放电效率。     

非对称多相整流电路的计算

针对实际工作中可能遇到的非对称的３相、６相和１２相桥式整流电路,讨论了整流电压平均值的计算、整流电压波形的分析及电压纹波因数的计算等问题。     

火炸药静电起爆最小发火能量测试方法研究

分析研究了测量火炸药静电起爆最小发火能量的三种方法,并进行了大量的对比试验,提出了首先进行OSTR法试验,然后进行逐步降压法试验,从而得出火炸药静电起爆的最小发火能量。     

分析电路的改进节点法

本文针对含有理想电压源支路的电路,提出了改进节点法,其解变量为电路真正的独立节点电压(N-M-1),较之混合法(N+M-1)少(因其求解变量为节点电压和理想电压源支路的电流,其中 N 为节点数目,M 为独立电压源支路数)。文中还举例说明了这种方法的应用,并验证了它的正确性.     

几种物理场的相似性及其在有限元分析中的实现

用数学方法对渗流、杆的扭转、流体的无粘性不可压缩无旋流动、电传导中的电压场等几种物理场方程进行推导得到各自的控制方程，通过比较分析这几种物理场与温度场控制方程的异同，得出了温度场的计算机辅助有限元分析软件也可用于分析计算这类物理场的结论。为分析解决此类问题提供了一种新的思路。     

1.8V供电8.2ppm/℃的0.18μm CMOS带隙基准源

带隙基准电压源是各类模拟/数模混合集成电路中的基础性部件,其性能直接决定了整体电路的稳定性。CMOS工艺中的衬底三极管的放大倍数β较小,"发射极-基极"通路对三极管的集电极电流的分流作用十分显著,导致带隙基准温度稳定性下降。此外,低电压条件下的电路缺乏足够的电压裕度,电源噪声的影响已经不可忽略,基准源的抗电源噪声能力亟待加强。针对上述两个问题,分别提出了自适应的"发射极-基极"电流补偿技术和使用电容直接耦合电源噪声负反馈的方案。基于0.18μm CMOS工艺的实现结果表明,在-55℃~150℃范围内,电源电压1.8V情况下,输出基准电压的温度系数可达8.2ppm/℃,且中/高频段的电源抑制比得到大幅度提高,直流段电源抑制比更可达-90dB。     

软开关技术对双边LCCL谐振结构的 ICPT系统的影响

为研究软开关技术的应用对双边LCCL谐振结构的ICPT系统特性的影响,首先分析了双边LCCL谐振结构的工作原理,推导出了该结构下逆变器开关管关断电流的完整数学模型;然后,基于该模型设计了一种基于双边LCCL谐振结构的软开关实现方法,该方法通过对初级侧补偿电容的取值进行优化,可分别实现零电流关断(ZCS)或零电压开通(ZVS)两种类型的软开关;最后,仿真和实验验证了所提方法的正确性和可行性,并从功率因数、开关管通态损耗、元件应力和输出电流稳定性的角度对比了两种软开关参数下系统的特性。     

SiC光学材料的电弧增强等离子体加工方法

Si C光学材料具有高化学稳定性,其在普通的等离子体加工中难以获得较高的加工效率。在等离子体加工实验中,发现提高等离子体的自身射频电压可增强等离子体与Si C材料之间的电弧放电作用,而借助电弧的增强作用可提高Si C材料的加工效率,因此提出电弧增强等离子体加工方法。为研究电弧的形成原理,使用自制的探针分别测量了普通电感耦合等离子体和电弧增强等离子体的电压。分别使用传统方法和电弧增强方法对S-Si C进行直线扫描加工实验,证明了电弧增强等离子体加工方法具有更高的加工效率。