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基于三维集成电路技术实现的三维静态随机存储器,其电路中使用了大量的过硅通孔。目前过硅通孔制造工艺尚未成熟,使得过硅通孔容易出现开路或短路故障,从而给三维静态随机存储器的测试带来新的挑战。现有的过硅通孔专用测试方式虽然能够探测出过硅通孔的故障,但需要特定的测试电路来实现,这就增加了额外的面积开销,同时加大了电路设计的复杂度。因此,提出一种使用测试算法来探测过硅通孔开路故障的方法。在不增加额外面积开销的情况下,通过内建自测试电路解决三维静态随机存储器中过硅通孔的开路故障检测问题。结果显示,该过硅通孔测试算法功能正确,能够准确探测到过硅通孔的开路故障,并快速定位过硅通孔的开路位置。 相似文献
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聚合硅酸硫酸铁（PFSS）是无机高分子复合絮凝剂,它是结合阳离子型和阴离子型两类絮凝剂的优点所开发的一类新型絮凝剂。在本文中,主要研究了采用一步法生产工艺,以FeSO4·7H2O和Na2SiO3·9H2O为原料来制备聚硅酸硫酸铁（PFSS）絮凝剂。在制备试验中,主要考察了Si/Fe比值、聚合时间、反应时间、聚合反应温度等影响因素对其絮凝效能的影响。最后,通过与聚合氯化铝（PAC）对不同浓度的煤泥水的絮凝对比试验结果分析表明：聚硅酸硫酸铁比聚合氯化铝有更好的絮凝的效果。 相似文献
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基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际电路中重离子轰击位置对22 nm FDSOI器件SET敏感性的影响,并从电荷收集机制的角度进行了解释。深入分析发现寄生双极放大效应对重粒子轰击位置敏感是造成器件不同区域SET敏感性不同的原因。而单管漏极接恒压源造成漏极敏感性增强是导致单管与反相器中器件SET敏感区域不同的原因。修正了FDSOI工艺下器件SET敏感性区域的研究方法,与单管相比,采用反相器进行仿真,结果更符合实际情况,这将为器件SET加固提供理论指导。 相似文献
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由于电厂锅炉的给水质量直接影响高压蒸汽的品质和高压锅炉的安全运行,其含盐量和含硅量的蒸汽作为质量范围的评价标准。如何运用在线硅表实现指标测量和数据处理就显得尤为重要。本文通过分析9210硅表的工作原理,以广东红海湾发电有限公司为例,针对9210硅表在该公司的运行现状及其效果进行探讨,并就运行中常见故障,结合实际工作提出解决方法,以期通过本文的阐述有效提高热力系统的安全稳定运行。 相似文献
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研究了氮离子注入印制板钻头后对基体材料的显微硬度的影响.在实际中比较了注入和未注入钻头的钻孔效果及钻头的磨损状况;并用AES的方法分析了氮离子注入后工件表面的元素分布情况,探讨了氮离子注入的强化机制. 相似文献
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本文研究了由聚硅氮烷(PSZ)和聚碳硅烷(PC)热解制得的三种陶瓷的组成、结构与特性。研究表明,PC热解到1250℃产生Si-C陶瓷,其结晶相是β-SiC微晶,PSZ在N_2或NH_3气氛中热解则分别产生Si-N-C与Si-N无定形陶瓷。这三种陶瓷在Ar_2气中1300℃到1500℃处理以研究其热稳定性。结果证明Si-c陶瓷从微晶变为β-SiC结晶态,Si-N陶瓷从无定形态变为α-Si_3N_4结晶并伴随着可观测到的重量损失而Si-N-C陶瓷维持其元素组成及β-SiC微晶态直到1500℃。 相似文献
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采用状态变量计算硅整流发电机的工作特性是最新的研究成果.本文将这一成果开发到硅整流发电机坦克供电系统瞬态特性的研究中.实践证明,能大大节省计算工作量.文中有计算实例和与实车试验结果的对比. 相似文献
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X射线脉冲星导航是一种全自主的导航方式,在深空导航领域有着重要的应用前景。针对短时高精度导航的需求,分析了影响导航精度的主要因素,论证了通过增大探测器面积实现较高导航精度前提下缩短探测时间的可行性。在此基础上,提出了采用硅-PIN探测器阵列的探测方式,并设计了硅-PIN探测器阵列前端模块及相应的后端处理电路。最后,通过试验验证了硅-PIN探测器阵列的探测方案在扩大探测面积的同时,仍可以保留硅-PIN探测器的优良性能,能够有效缩短探测时间,将来有望应用于X射线脉冲星导航系统。 相似文献
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为促进六硝基六氮杂异伍兹烷(CL-20)在推进剂中的应用,综述了 CL-20降感处理技术及其在改性双基(CM-DB)推进剂中应用的最新进展.结果表明,通过表面包覆降感技术、共晶降感技术和微纳米球形化降感技术均可有效制备出低感CL-20,但为提高低感CL-20的能量释放率,在表面包覆降感技术和共晶降感技术中应尽可能地选取... 相似文献