苏联/俄罗斯军用电子元器件发展历程及启示

引言军用电子元器件是武器装备发展的基础,是直接影响武器装备性能和功能的重要因素之一。军用电子元器件是实现作战空间信息收集、处理、传输、分发的基础,是实施精确攻击、电子战、信息战、战斗识别、导弹防御的前提,是夺取战场信息优势、决策优势乃至作战行动优势的关键。因此,苏联/俄罗斯非常重视发展军用电子元器件。从1945年"二战"结束至今近70年的时间里,伴随着苏联/俄罗斯军事工业的发展,其军用电子元器件发展历程可谓跌宕起伏。既经历了领先时的辉煌,也饱尝了落后时的苦味;既因为品质卓越而把武器装备性能推向顶峰,也因为存在差距而拖累武器装备发展。     

ESD与方波脉冲对集成电路注入损伤的比较研究

采用方波脉冲和ESD脉冲对3种集成电路进行了注入损伤效应实验,目的是比较二者对器件损伤的异同之处。分析时,首先对实验数据作拟合分析,建立起相关的数学模型,然后将模型值和实际值进行比较。可得到结论:实验器件有高压强场致PN结击穿和热效应2种损伤模式。对同一种器件,2种注入方式下的损伤模式相同或类似。方波注入下,各损伤阈值参数可拟合为1个式子来描述它们之间的关系,ESD注入下则还不确定;对同一器件,不同注入方式下的阈值不同,目前结果表明相差2~3倍。     

基于DSP技术的手持式二维条码扫描器

本文介绍了一种基于 DSP 技术的二维条码扫描器。该扫描器以 MOTOROLA 的DSP56F826为核心,采用 CMOS 图像传感器以逐行扫描方式采集条码数据,并利用高速存储器扩展芯片,配合先进的译码算法,实现了高效准确的实时处理。     

选用A/D转换器的关键因素

本文从应用角度介绍了A/D转换器的基本原理及结构,比较了不同结构的特点和现状,讨论了使用时应注意的一些问题.     

微波集成电路技术及工艺的进展

七十年代以来,由于各种微波半导体器件迅速发展,而且微带电路逐步成熟,使得各类微波集成电路的研制,生产和应用,在国防建设,微波通信以及仪器等方面愈来愈显得重要。本文将就薄膜ＭＩＣ制作中涉及的无源器件中的薄膜基片、导电带及薄膜阻容元件的发展等方面作一简述。     

现代国防科技的特征及其发展重点

现代,在新技术革命的推动下,国防科技得到飞速的发展。可以说,在技术大系统中,运用于国防或以军事为目的的技术发展最快、变化最大,尖端项目最多,对技术大系统影响最深刻。西方不少政治家把国防科技未来战争称为“科学家的战争”、“技术战争”、“第二次冷战”等等。有人预言,从现在起到下世纪中叶,国防科技还将会有新的发展,尤其在超大规模、超高速集成电路、“隐身”技术、先进材料、人工智能和机器人、定向能技术、航天技术等方面,将有重大发展。 现代国防科技的变化表现在方方面面。综观这些变化,我们不难发现其中有着一些…     

音乐芯片MC3168应用初步

本文以音乐芯片MC3168为中心,详细介绍了它的特点及使用方法,并给出了一般的操作步骤。     

伪芯片防护研究进展及其挑战

伪芯片是与正品芯片存在差异的芯片,主要包括以假充真、以次充好、以旧充新等形式,可能导致使用寿命降低、信息泄露、系统瘫痪等严重后果,大大降低了信息系统的安全性和可靠性。随着集成电路芯片供应链的全球化发展,伪芯片问题日益突出。围绕伪芯片检测与预防两个方面,介绍了美国所制定的相关法规和标准以及伪芯片的分类方法,重点对比分析了物理检测、电气检测、旁路分析等伪芯片检测方法,讨论了芯片ID和包装ID两种方式的芯片防伪措施,最后提出了开展伪芯片问题相关研究所面临的挑战。