聚碳硅烷／二乙烯基苯快速升温裂解制备Cf/SiC复合材料

以聚碳硅烷(PCS)/二乙烯基苯(DVB)为先驱体,采用快速升温裂解制备了3D-B Cf/SiC复合材料.结果证明:裂解升温速率的提高可以大大缩短制备周期,同时可以提高材料密度和形成较好的界面结合,从而提高材料的力学性能.制备得到的Cf/SiC材料室温弯曲强度达到556.7MPa.     

不同裂解温度对制备SiCf/Si-O-C复合材料性能研究

以聚硅氧烷为先驱体,研究先驱体转化过程中在不同的裂解温度下对制备SiCf/Si-O-C复合材料性能影响.结果表明,当裂解温度在700℃、800℃时,陶瓷基复合材料的弯曲强度分别为255.2 MPa、309.0 MPa;当裂解温度在1000℃时,陶瓷基复合材料的弯曲强度为45.3 MPa.对SiCf/Si-O-C复合材料的微观结构及载荷-位移曲线进行分析,发现界面结构是影响SiCf/Si-O-C复合材料性能的主要因素.     

基于时延Petri网的机坪作业调度时间弹性提高方法

针对机场机坪服务作业多且逻辑复杂,机坪服务流程确定困难,给出了提高机坪作业调度时间弹性的方法.运用时延Petri网获取机坪所有可行路径;以机坪作业总时差最大为目标函数建立优化模型,获取时间弹性最佳的可行机坪服务流程.以国内某机场具体机坪保障时间参数为例验证了该方法的有效性.     

考虑区间弹性连接的结构动力学特性研究

基于动态子结构方法,将结构中的弹性连接单独划分成一个独立子结构,并利用零质量空间梁单元对其进行等效,分别基于频域子结构方法(FRF-based Substructuring Method)和模态综合法(Component Mode Synthesis)对考虑弹性连接的结构固有频率和频响函数进行了推导.基于此,将空间梁单元的弹性模量和比例阻尼系数设成区间参数以模拟弹性连接的区间不确定性,基于区间因子法(Interval Factor Method,IFM)分别给出了考虑区间弹性连接结构固有频率和频响函数的区间上下限,从而形成了两种计算分析方法,即CMS-IFM和FBSM-IFM.通过仿真将两种方法与Monte-Carlo模拟方法的计算结果进行了对比,结果表明:CMS-IFM和FBSM-IFM正确高效.     

基于超网络的近距空中支援信息流转模式构建

稳健灵活的信息流转模式是近距空中支援顺利实施的重要保障.针对近距空中支援信息流转模式构建问题,建立基于超网络的作战信息流转"两层四网"模型.根据作战经验,分析近距空中支援作战的主要作战力量及基本流程,抽象出相应的作战节点和信息关系,以此建立近距空中支援作战信息流转超网络模型.针对超网络节点的超度分布、网络弹性等特性进行仿真实验.仿真结果表明,当前近距空中支援超网络具有一定的合理性和稳定性,同时为下一步优化作战网络结构提供了参考.     

间接边界元法模拟含裂纹介质中弹性波的传播

介绍了间接边界元法的基本理论,利用二维弹性动力边界积分方程解决了地震波在含裂纹介质中的散射问题。编写了地震波在二维非均匀介质中传播的数值模拟程序,模拟了爆炸点源在含裂纹介质中的传播情况,分析了裂纹的分布及填充物对波传播的影响。结果表明,边界元法是研究含裂纹介质中弹性波传播的有效工具。     

基于双特征参数解的直杆弹性动力后屈曲研究

利用差分方法求解动力后屈曲非线性方程解,研究了弹性直杆的2类轴向碰撞屈曲问题.将双特征参数解得出的含有小幅值参数的初始动力屈曲模态作为非线性后屈曲解的初始条件.理论计算的结果与文献中的实验数据达到了很好的一致,由此验证了双特征参数方法的正确性.研究结果还揭示了碰撞过程中屈曲变形扩展和发展的机理,以及轴向应力波和屈曲变形的相互作用规律.     

为“双能经济”喝彩为“互动经济”蓄势——从沈阳东基集团军民品协调发展说起

选择能军能民、军民品协调发展的战略思路,是近些年来许多原有军工单位走出的一条成功经验。读了《国防科技工业》杂志今年第三期发表的沈阳东基集团《驱动军民"双引擎"》的案例报道,更加感到军工战线的"双能经济"已不仅仅是个实践问题,而且是可以上升为具有普遍意义的理论问题。可以简化地说,当前军工经济的整体态势正处于日臻成熟期的"双能经济"与渐近萌动期的"互动经济"交汇并举的新阶段。     

卫星柔性热控薄膜材料充放电效应试验

针对柔性热控薄膜材料导电/绝缘多层复合、微纳尺寸厚度的结构特点,采用10～70 KeV电子辐照的方法开展了kapton基二次表面镜薄膜材料充放电特性的测试试验,获得了表面充电电位、静电放电频次等关键参数,并采用蒙特卡罗方法研究了辐照电子在多层薄膜材料内的输运规律。研究结果表明由于kapton基二次表面镜薄膜结构的特殊性,当辐照电子能量为10 KeV时未发生静电放电现象,随着电子能量不断增加,薄膜材料的表面充电电位幅值与静电放电频次呈先上升后下降的变化规律,且在电子能量为25 KeV时空间充放电效应最为显著。