一起消防行政处罚案件引出的思考

某消防行政处罚案件引起了"可不可以罚"和"怎么罚"的争论,针对这两个问题,对行政处罚的追究时效和《行政处罚法》的溯及力展开论述,并结合该案件进行分析,明确了处罚的方式,为消防执法实践提供了有益的指导。     

典型机舱火灾喷雾冷却效果数值仿真

针对船舶机舱火灾喷雾冷却效果问题,分析了机舱封闭环境中喷雾灭火的传热传质过程,构建并设置了具体的船舶机舱典型火灾环境;结合船舶机舱火灾发生条件下可能遭遇的典型故障状态,运用火灾动力学软件进行了数值仿真,进一步分析了喷头压力、数量以及火源位置等单因素和多因素耦合作用对船舶机舱喷雾系统冷却效果的影响,并给出了一种验证喷雾系统控制火灾能力的仿真计算方法.仿真分析表明:该方法可以模拟机舱喷雾灭火过程,对于分析并掌握救援过程中船舶机舱温度场的变化具有应用价值.     

远程火炮密集度试验多组数据的处理方法

远程火炮密集度试验需要进行多次射击,同一试验条件下的多组数据通常认为来源于同一分布,但却未见于证明。利用统计检验方法,给出了对试验数据方差齐性及均值相等性的检验方法,并在多组试验数据一致性的基础上给出了试验数据均值、方差的无偏估计,同时在既定置信度下给出了其置信区间,为远程火炮精度检测提供了工具。     

双源连续波对引信的辐照效应研究

为研究复杂电磁环境对某引信的影响,从双源连续波入手,运用双源连续波对工作状态某引信辐照的实验方法进行实验.实验结果表明,在以引信工作频率为中心的150MHz频率范围内对加电引信进行双源连续波辐照实验可使引信发火,辐照结束后引信工作正常,实验的重复性较好.两连续波频率间隔不同,可使引信发火的场强组合数值大小不相同,实验中当两连续波远离引信工作频率且频差10MHz以上时,发火场强组合近似呈线性.最后对双源连续波对引信的辐照效应机理作了分析,两连续波频率间隔不同,引信发火机理不同.     

“能打仗、打胜仗”的语言学特征和军事语用效果

“能打仗、打胜仗”体现了党和国家对军队的新要求,成为近来被广泛使用的一个军语。它呈现了鲜明的语音韵律、语义逻辑关联和语法上的递进复句关系。“能打仗、打胜仗”的语言表述形式具有深刻的军事语用效果,在话语中增强了部队勇往直前的战斗士气、步调一致的战斗作风和能打胜仗的战斗决心。     

龙珍高级中学创建特色学校的探索与实践

创办特色学校是学生发展的需要,是学校生存与发展的需要,是学校个性化发展的需要。在由"学校特色"到"特色学校"这个复杂而曲折的发展过程中,理念创新是前提,坚持"普惠性"原则、着眼于学生群体素质的整体优化是本质,科学分析内外环境选定优势特色项目是关键,长期坚持注重量的积累是基础。龙珍高级中学顺应教育发展的需要,科学定位学校发展特色,遵循特色学校创建规律,全体师生广泛参与,积极探索和实践,使特色学校创建工作初见成效。     

检测探头提离效应对管道漏磁检测影响分析

在管道漏磁检测中,检测探头的提离效应对管道缺陷漏磁检测性能影响较大.在对漏磁检测探头提离效应影响因素分析的基础上,分析了管道漏磁检测探头提离效应影响特性;通过建立的模拟漏磁检测探头提离效应影响分析的实验装置系统,提取了传感器、磁化器在不同提离情况下的检测信号.根据实测数据,研究了漏磁检测过程中提离值对漏磁信号的影响趋势...     

复杂目标毁伤效果评估的模糊专家系统框架研究

分析了复杂目标毁伤效果评估的特点和要求,提出能够满足毁伤效果评估要求的模糊专家系统方法。对模糊专家系统的基本结构、开发步骤进行了研究,建立了对复杂目标进行毁伤效果评估的模糊专家系统框架。以评估某电厂目标的毁伤效果为例,对模糊专家系统的建模步骤和关键技术进行了介绍。最后指出了模型的优缺点。     

面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应

研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在GaN功率器件中造成的退化和损伤机制进行分析与讨论。研究结果显示：GaN功率器件具有较强的抗总剂量能力,但是抗单粒子能力较弱,易发生漏电和单粒子烧毁,且烧毁点多发生在栅极边缘的漏侧。对GaN功率器件辐照损伤机理的研究缺乏权威理论,有待进一步探索,为其空间应用提供理论支撑。目前,平面结构的GaN功率器件是主流的技术方案,单片集成及高频小型化是GaN功率器件未来发展的方向。     

FPGA静电电磁脉冲辐照效应试验研究

根据国际电工委员会IEC61000-4-2标准,利用ESS-200AX型ESD模拟器,选用人体-金属模型,测试静电电磁脉冲(ESD EMP)对FPGA的影响,并针对试验结果对故障原因进行分析。试验结果表明:FPGA集成电路抗静电电磁脉冲能力较强,当在FPGA集成电路周围的静电放电电压达到13 kV时,静电电磁脉冲将破坏SRAM的查找表中的数据,致使FPGA功能性损坏,但重新加电可恢复正常。