侧链含锑聚硅烷的合成与性能研究

侧链含锑聚硅烷的合成可通过聚甲基硅烷的高分子反应在室温条件下实现,聚合物产率为75.2%,数均分子量为1600.其分子结构与组成可由元素分析、FT-IR、1H-NMR、29Si CP/MAS NMR、GPC和UV来确认.PSA可溶于一般常见的有机溶剂,紫外吸收的最大波长为330nm,其热分解特性表明,陶瓷收率为80%,可用作SiC陶瓷先驱体;其本体电导率为10-8～10-7S/cm,将其与碘掺杂,电导率可以达到10-5S/cm以上.     

锰硅化合物Mn4Si7能带结构的研究

MnSi1.7在光电子器件领域有广泛的应用前景.由于化合物结构的复杂,对MnSi1.7能带结构的研究仅限于实验上,而且不同实验测量的能隙值不同.首次利用"第一性原理",对MnSi1.7(Mn4Si7相)的电子特性进行了理论计算.计算结果表明,MnSi17(Mn4Si7)具有0.83 eV的直接能隙,这预示了MnSi1.7在光电上有着重要的应用前景.     

半导体辐射探测器的研究进展

简要介绍了半导体辐射探测器的发展,并介绍了部分新型探测器的结构原理和特点。     

飞秒激光烧蚀硅的瞬态演化特性仿真

为深入揭示飞秒激光烧蚀硅的瞬态演化特性,建立了飞秒激光烧蚀硅材料理论模型,并进行了仿真研究。研究表明:飞秒激光可在脉宽时间内激发大量的电子,使其浓度超过损伤阈值,而此时晶格仍保持在较"冷"状态,直到1 ns量级才达到熔点温度;电子温度也会在脉宽时间内急剧拉升至104K量级,随后将能量缓慢地释放给晶格,直到10 ns量级才与晶格达到热平衡。电子存在两次急剧升温的过程:第一次起于自由电子吸收,止于电子与晶格的能量耦合;第二次起于单光子和双光子吸收,止于脉冲结束。脉冲能量越大,电子密度和温度越高;脉宽越短,电子温度越高。     

变折射率平板波导光耦合器数值分析

针对半导体光放大器(SOA)与单模光纤的耦合问题,提出了一种渐变折射率平板波导光耦合器.该器件通过渐变折射率平板波导可以有效地对SOA的输出光斑进行变换,并对输出光的发散角有选择性地进行压缩,以达到较高的耦合效率.同时,运用ABCD矩阵方法对该组件的耦合效率进行了数值分析.数值计算结果表明:该耦合技术的耦合效率理论上可...     

“五位一体”推动军民融合型企业加快发展

<正>河北省军民融合型产业呈现出较好的发展态势,在汽车、电子、船舶、新能源、通用航空等领域具有独特优势。电子54所的卫星通信导航、电子13所的半导体元器件、风帆集团的蓄电池、凌云集团的汽车零部件等产品,在我国相应领域均具有重要地位。2014年4月28日,河北省军民融合型企业(单位)暨军工技术项目推介新闻发布会在石家庄召开,河北省实施了《河北省军民融合型企业(单位)认定管理暂行办法》,首批认定河北立中有色金属集团有限公司等345家企业(单位)为省军民融合型企业(单位),并纳入河北省国防动员体系。据悉,该办法为全国首创。     

可穿戴计算机人机对话零距离

三、技术特点 1、基本类型:五花八门 可穿戴计算机对人们来说其实并不陌生。从宽泛的概念来看,近年来为人们所熟悉的U盘、PDA、MP3和手机都是可穿戴计算机的一种。它们实现了可穿戴机的部分功能,U盘类似于可穿戴机的CF机存储器;PDA就是一个小的掌上电脑;而MP3已经具备了处理器与存储器;手机也是一个有处理能力的随身佩戴的计算机。