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集成电路方波脉冲注入损伤效应实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
为了得到各损伤参数随脉宽的变化规律,寻找建立评价复杂EMP波形对集成电路损伤模型的依据,对2种典型的集成电路器件进行了方波脉冲注入损伤实验。结果表明:RAM6264损伤电压、电流及功率均随脉宽增大而减小,损伤能量处于某一小范围之内,可能属于能量损伤型器件;BG305损伤电压、功率随脉宽增大而减小,损伤能量随脉宽增大而增大,损伤电流处于某一个小范围之内,可能属于电流损伤型器件。 相似文献
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在电机检修中发现异步电动机大修后空载电流会出现增大问题,电机空载电流增大,致使电机起动电流大、损耗增加,电机温升较高,输出功率下降,为生产带来不利因素。 相似文献
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论述了一种对电子系统VLSI自顶向下的层次化自动化测试方法及层次化自测试的概念和相应的可测试性设计结构,并讨论了数模混合集成电路的可测试性设计问题。 相似文献
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本文从介质谐振器谐振频率计算入手,分析了谐振器品质因素Q值与耦合系数β的关系,并对提高振荡器频率温度稳定性进行了研究。最后给出研究结果:振荡频率15GHz,输出功率+10dBm,长期频率稳定度2×10^-5/日,在-25+55℃温度范围内,频率温度稳定性±1.2ppm/℃,功率温度稳定性0.02dB/℃,偏离载频10KHz处相位噪声-89dBc/Hz,振荡器腔体体积为36×40×22(mm)。 相似文献
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门阵列的发展,对大规模集成电路技术有极大影响。本文简要介绍一种极受研究、设计人员欢迎的新型门阵列,这种密集的门阵列逻辑可以由系统设计人员通过软件来作出安排,而不是像通常的门阵列那样在生产中事先安排好。对新型门阵列的工作原理,优点和应用前景作出评价。 相似文献