室温工作的单电子晶体管研究

由于具有低功耗、高速度、高集成度等优点,单电子晶体管成为最有前景的纳米电子功能器件之一.但是,由于结构上的特殊性,单电子晶体管只能在低温下正常工作,该特性限制了其实用化进程.因此,研究可在室温下工作的单电子晶体管具有重要意义.在分析单电子晶体管工作机理的基础上,计算了单电子晶体管室温工作的基本条件,并实验制备出了样片.测试结果表明,所制备的单电子晶体管可在室温下表现出库仑振荡等基本特性.该研究成果将为单电子晶体管的集成实用化打下良好的基础.     

交叉结构纳兴计算机

半个多世纪以来,在1个硅芯片上置放的晶体管数量从1个增长到近10亿个,极大地增强了数字设备执行逻辑操作和存储数据的能力,也充分证明了摩尔定律的科学性。在下一个15年,硅集成电路上晶体管的最小尺度将缩短到纳米级。科学研究表明．当集成电路晶体管尺寸缩小到0．1微米(100纳米)以下后,原有的计算工作原理将不复存在,需要用另外的机制来实现。世界各国正在探索各种方案,美国 HP 实验室研制的“交叉结构”(Crossbar)纳米器件就是其中较有前景的。Crossbar 也有称为 Crossbar Latch 或 Crossbar switch, 有“交叉开关”、“横杆门闩电路”、“交叉结构闭锁”等多种中文译法。     

22 nm全耗尽型绝缘体上硅器件单粒子瞬态效应的敏感区域

基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际电路中重离子轰击位置对22 nm FDSOI器件SET敏感性的影响,并从电荷收集机制的角度进行了解释。深入分析发现寄生双极放大效应对重粒子轰击位置敏感是造成器件不同区域SET敏感性不同的原因。而单管漏极接恒压源造成漏极敏感性增强是导致单管与反相器中器件SET敏感区域不同的原因。修正了FDSOI工艺下器件SET敏感性区域的研究方法,与单管相比,采用反相器进行仿真,结果更符合实际情况,这将为器件SET加固提供理论指导。     

动初级高速六相直线感应电机工作特性分析

为了准确刻画对象模型,采用一阶等效电路瞬态涡流分析法对动态边端效应影响下动初级高速六相直线感应电机的参数时变规律进行了定量计算,并通过感应涡流损耗推导得到考虑动态边端效应时电机的等效电路。基于此,通过电磁推力计算及效率评估对动态边端效应影响下电机的工作特性进行了详细分析。利用不同运行速度条件下的有限元仿真及动态实验验证了理论分析和推导的正确性。     

氦原子1S, 3S, 1P, 3P态的电子关联计算

本文从二次量子化公式出发,选取广义Laguerre多项式乘以γ~lcxp(-alγ)作为单电子径向函数完全集,这里a_l是依赖于轨道角动量l的变分参数,用组态相互作用方法计算了氨原子~1S,~3S,~1P,~3P态的能量和波函数。当组态限于主量子数n≤4,计算的能量相对精度约为99.9%;当组态限于%≤6,能量相对精度约为99.99%;而Hartree Fock方法的能量相对精度约为99%,利用原子波函数计算了一些原子参数,其结果与其他作者的结果符合很好。     

铝制贮箱箱底初步断裂分析

本报告应用断裂力学方法,对铝合金贮箱箱底进行了初步的分析。应力计算主要考虑了箱底在内压作用下的薄膜应力和由边缘效应引起的弯曲应力以及假定的焊接残余应力。断裂分析包括对表面裂纹临界尺寸的线弹性和弹塑性计算,给出了母材和焊缝处的临界裂纹尺寸;确定了加载20次到201次时所允许的最大初始裂纹尺寸。对一维和二维裂纹扩展模型进行了比较,指明二维扩展模型更为合理。最后对验证实验以及超声波检查配合使用进行了简单的讨论。给出了在本文条件下,贮箱箱底的无损检验标准和确定验证试验的方案。     

支座弹性对压杆临界荷载的影响

在考虑支座弹性的情况下 ,研究了几种常见的压杆结构 ,推导出了计算临界荷载的方程式 ,给出了以稳定系数表示的临界压力的简明表达式及稳定系数列表。由于考虑了支座弹性 ,使本文提出的方法更具有一般意义和工程价值。     

双球破片冲击柱壳装药的临界起爆条件

为了研究导弹战斗部(柱壳装药)在破片场中的累积毁伤问题,在现有单破片起爆平板装药的Jacobs-Roslund经验准则的基础上,分别建立了考虑破片尺寸、破片撞击角度、柱壳装药的装药半径和壳体厚度的单球破片、双球破片冲击柱壳装药临界起爆条件的工程分析模型.该模型计算结果与数值模拟结果和现有试验结果相吻,证明利用该模型能较...     

多碱光电阴极饱和机理研究

多碱光电阴极饱和机理的研究对于提高阴极电子发射能力具有重要意义。依据光电阴极三步电子发射理论,采用蒙特卡洛法研究了多碱光电阴极的电子发射过程。研究结果与相关文献中的实验数据进行了对比分析,光子能量临近光电阴极响应阈值附近时,得到的量子效率曲线以及电子能量分布曲线与实验数据吻合良好。基于上述模型,研究了光压效应和空间电荷效应对多碱光电阴极电子发射特性的影响。结果表明,多碱光电阴极在光压效应限制下的阈值饱和激光能量密度约为8μJ/cm~2,在空间电荷效应限制下的阈值饱和激光能量密度约为2. 23μJ/cm~2。开展了266 nm激光辐照多碱光电阴极实验,经测量,多碱光电阴极的阈值饱和激光能量密度约为2μJ/cm~2,这表明空间电荷效应是限制其光电子发射能力的主要因素。     

超临界航速船舶水压场

在浅水条件下,采用船舶水动力学理论,导出了一个包含色散效应的船舶水压场控制方程.通过求解,得到了考虑色散效应的船舶水压场计算公式,计算结果反映了实际船舶水压场的变化规律.     

差分压控振荡器中单粒子瞬变的研究

压控振荡器(VCO)是锁相环(PLL)中对于单粒子瞬变(SET)最为敏感的部件之一.基于180nm体硅CMOS工艺设计了一款经典的对称负载结构差分VCO电路,并利用电流源表征单粒子效应中电荷沉积和收集的过程,模拟了VCO电路的SET响应.模拟和分析表明,SET响应不仅取决于入射能量、振荡频率,还受到轰击时刻的制约,不同轰击时刻产生的最大相位差可以相差300°以上.此外,偏置电路某些结点最为敏感,可以放大SET的影响,导致时钟失效长达7个周期.     

含运动副间隙舵机执行机构的动态特性研究

为了研究运动副间隙对空间4R机构动态特性的影响,间隙处的接触碰撞模型和摩擦的建立分别采用非线性弹簧阻尼模型和修正的库伦摩擦模型。在Solidworks中建立空间4R机构模型,导入ADAMS中进行动力学仿真分析。对比含间隙和不含间隙时系统动力学仿真结果的异同,分析间隙大小和最佳间隙量对空间4R机构动态特性的影响,为机构的设计提供了重要的参考依据,有利于工程实际应用。     

Thermodynamics and performance of Al/CuO nanothermite with different storage time

The storage stability of energetic materials is important for its application. Here, the storage stability of Al/CuO nanothermite, which was prepared by electrospray method and stored with different storage time, was systematically researched. The activation energy of Al/CuO nanothermite was calculated by differential scanning calorimetry (DSC). The ignition temperature and the curve pressure history of Al/CuO nanothermite was measured using ignition temperature measuring device and constant-volume pressurization tests, respectively. Further, the thermites were characterized by X-ray Diffractometer (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), scanning electron microscope (SEM) and Transmission electron microscopy (TEM). The results show that the morphology of the thermites did not change significantly. The activation energy was decreased from 254.1 kJ/mol to 181.8 kJ/mol after storage for 13 months. When stored for 0, 7 and 13 months, the peak pressures of Al/CuO nanothermite were 685.8 kPa, 626.3 kPa and 625.5 kPa, respectively. In addition to the ignition temperature, it was 775 ℃, 739 ℃ and 754 ℃, respectively. This result indicated that the ignition and combustion properties of Al/CuO nano-thermite are obviously reduced when stored for a long time, at room temperature.     

ESD与方波脉冲对集成电路注入损伤的比较研究

采用方波脉冲和ESD脉冲对3种集成电路进行了注入损伤效应实验,目的是比较二者对器件损伤的异同之处。分析时,首先对实验数据作拟合分析,建立起相关的数学模型,然后将模型值和实际值进行比较。可得到结论:实验器件有高压强场致PN结击穿和热效应2种损伤模式。对同一种器件,2种注入方式下的损伤模式相同或类似。方波注入下,各损伤阈值参数可拟合为1个式子来描述它们之间的关系,ESD注入下则还不确定;对同一器件,不同注入方式下的阈值不同,目前结果表明相差2~3倍。     

桥丝式电火工品静电感度测试方法研究

本文对目前静电感度试验的现状进行了分析。在理论分析的基础上解决了JGY-50型静电火花感度仪的串联电阻和真空开关所带来的问题。提出了桥丝式电火工品的静电感度测试新方法,通过一个高压线性采样装置直接测量试样在试验过程中的电压、电流曲线,求得试样实际消耗的能量,以此统计试样的静电感度。采用这种方法,测试了JD-11电点火具的50％发火能与放电时间常数的关系,得到了呈单调规律变化的曲线。     

边界扫描测试在显示技术中的应用

为有效检测电路板焊接质量与器件质量,实现高精度的故障定位,提出了基于边界扫描技术与功能测试技术的解决方案。在显示产品设计中,开展可测试性设计,形成完整的边界扫描测试链;针对VRAM器件特点,提出了基于DRAM的测试方法,并设计相应的测试模型。最终,实现了对电路板的边界扫描测试,快速完成了对显示器件质量与焊接质量的有效检测。边界扫描技术与功能测试的结合,可以扩展边界扫描技术的应用范围,实现了更高的测试覆盖率。     

Calculation and Analysis for Temperature Field of Tank Track and Wheels

To know the temperature status of track and wheels on tank,the finite element calculation of temperature field was implemented with ANSYS software.The detailed temperature distributions for road wheel,drive wheel,idle wheel and track loop were obtained.The effect of factors,such as tank speed,environment temperature,sun radiant energy,ground deformation resistant and tank load,on the temperature of road wheel was studied.The sensitivity analysis shows that the effect of tank load on the temperature is the most,and the effect of ground deformation resistant is the least.The temperature testing device for road wheel on tank was developed to perform the experiments in real time.The calculated temperatures are in accord well with the experimental values.     

异构混合存储的软硬件协同数据放置策略

分析比较当前大数据中心典型混合存储架构,针对其不能综合运用存储管理系统和存储设备优势的问题,提出软硬件协同的数据放置策略,同时考虑软件层混合存储管理系统和硬件层混合存储设备的特点,根据应用特性为数据选择合适的存储管理系统和设备。面向不同应用场景,提出运行前规划存储路径的静态放置模式和运行中规划存储路径的动态放置模式。基于存储管理系统和设备性能参数建模,采用仿真方法实现各数据放置策略,并运行实际应用中的三类负载进行实验测试,结果表明采用软硬件协同的数据放置策略相比只考虑存储管理系统和存储设备的数据放置策略,性能可以提高近30%。