修正安培环路定律一位移电流

本文从电流密度着手,引证位移电流,修正只适用于稳恒电流的连续方程和只适用于德恒磁场的安培环路定律,以及位移电流产生的条件并与其他电流的异同.     

基于CCII的全集成连续时间双二次滤波电路

本文采用ＭＯＳ电阻电路,由提出的第二代电流传输器ＲＣ多功能块电路,生成了适于全集成的ＣＣＩＩ－ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ无损和有损积分器,从而构造出一种新型全集成连续时间双二次滤波电路,可获得低通和带通输出,电路结构简单,便于电控调谐,仿真结果令人满意。     

两共轴圆形电流之间的相互作用力

用两种解析方法给出了共轴圆形电流之间相互作用力所遵循的规律,并对其进行了讨论。     

神经网络模式识别的一种电流模式实现技术

本文将电流模式技术用于神经网络模式识别,以全电流模式胜者为王（ＷＴＡ）和计算模式间匹配度（ＭＳ）为子网,进行了基于Ｈａｍｍｉｎｇ网的二值模式最优的敢小误差模式分类器设计实现。计算机仿真与理论结果吻合,所得电路结构简单、功耗低,具有潜在地应用前景。     

磁电机位角对点火性能影响的分析

本文分析了磁电机的磁极与磁掌的相对位置对触点断开电流的影响,通过实验提出了磁电机点火系统可靠工作的最佳磁极位角范围。     

1.8V供电8.2ppm/℃的0.18μm CMOS带隙基准源

带隙基准电压源是各类模拟/数模混合集成电路中的基础性部件,其性能直接决定了整体电路的稳定性。CMOS工艺中的衬底三极管的放大倍数β较小,"发射极-基极"通路对三极管的集电极电流的分流作用十分显著,导致带隙基准温度稳定性下降。此外,低电压条件下的电路缺乏足够的电压裕度,电源噪声的影响已经不可忽略,基准源的抗电源噪声能力亟待加强。针对上述两个问题,分别提出了自适应的"发射极-基极"电流补偿技术和使用电容直接耦合电源噪声负反馈的方案。基于0.18μm CMOS工艺的实现结果表明,在-55℃~150℃范围内,电源电压1.8V情况下,输出基准电压的温度系数可达8.2ppm/℃,且中/高频段的电源抑制比得到大幅度提高,直流段电源抑制比更可达-90dB。     

电流变技术在工程中的应用

电流变液是一种在电场作用下能瞬间从液态变为固态的智能材料．简要介绍了电流变液及电流变效应、电流变液的组成及影响电流变效应的主要因素．综述了国内外电流变技术在工程中的应用研究进展及发展趋向,展望了这一技术在军事领域中的应用前景．     

全集成多功能MOSFET－C CCII连续时间滤波器的设计

本文提出了一种以第二代电流传输器（ＣＣＩＩ）作为基本单元的集成ＭＯＳ－ＦＥＴ—Ｃ多功能连续时间滤波器。它可以实现诸如低通、带通、高通二次传递函数。该电路不采用平衡结构,但ＭＯＳ管的非线性的消除程度则等同平衡结构。灵敏度也较低。     

软开关技术对双边LCCL谐振结构的 ICPT系统的影响

为研究软开关技术的应用对双边LCCL谐振结构的ICPT系统特性的影响,首先分析了双边LCCL谐振结构的工作原理,推导出了该结构下逆变器开关管关断电流的完整数学模型;然后,基于该模型设计了一种基于双边LCCL谐振结构的软开关实现方法,该方法通过对初级侧补偿电容的取值进行优化,可分别实现零电流关断(ZCS)或零电压开通(ZVS)两种类型的软开关;最后,仿真和实验验证了所提方法的正确性和可行性,并从功率因数、开关管通态损耗、元件应力和输出电流稳定性的角度对比了两种软开关参数下系统的特性。     

舰船极低频电场的产生机理及其防护

舰船极低频电场由于能在海水中传播到很远的距离,而且很容易被探测到,已成为舰船的一个重要目标特性.螺旋桨转动调制舰船腐蚀电流和外加电流阴极保护系统在海水中产生的电流是舰船极低频电场的2个重要来源.质量较差的阴极保护系统(ICCP)中的电源滤波器也会导致极低频电场的产生.电磁场防护结构工艺、被动轴接地系统、主动轴接地系统和电场抵消系统是目前降低舰船极低频电场的主要方法.