室温工作的单电子晶体管研究

由于具有低功耗、高速度、高集成度等优点,单电子晶体管成为最有前景的纳米电子功能器件之一.但是,由于结构上的特殊性,单电子晶体管只能在低温下正常工作,该特性限制了其实用化进程.因此,研究可在室温下工作的单电子晶体管具有重要意义.在分析单电子晶体管工作机理的基础上,计算了单电子晶体管室温工作的基本条件,并实验制备出了样片.测试结果表明,所制备的单电子晶体管可在室温下表现出库仑振荡等基本特性.该研究成果将为单电子晶体管的集成实用化打下良好的基础.     

新型逻辑器件与数字电子产品的系统集成研究

提出了一种实现电子产品系统集成和小型化的设计思想 ,探讨了采用FPGA (FieldPro grammableGateArray) ,SOC(System On a Chip) ,IP(IntellectualProperty)等新型逻辑器件以及EDA(ElectronicDesignAutomation)手段的设计方法 ,实现软硬件协同仿真、验证和电子虚拟样机以及设计重用的设计理念 ,为 2 1世纪智能电子产品的系统集成开辟了一条先进的技术途径。     

基于CPLD的异步串行接口芯片设计

针对传统的异步串行接口设计方法，本文提出了通过VHDL语言在CPLD(复杂的可编程逻辑器件)上实现异步串行接口新的设计方法，并通过MAXplus软件对软件仿真验证和硬件实测，结果表明电路性能良好，灵活性强。     

基于FPLD的片上数字实验系统

FPLD具有可编程性、高速度、高集成度和高可靠性等特点，这为改善数字逻辑电路实验提供了条件。本文介绍了针对传统数字逻辑电路实验存在的缺陷而设计的一种新型的基于FPLD的片上数字实验系统，并结合实例说明了实验的方法和步骤，阐述了这种实验系统有利于培养学生基本技能和创造力，实验取得了良好的效果。     

解决民兵模拟训练器件不足的“三个办法”

当前，民兵训练数量规模较大，与训练装备器材、经费保障不足的矛盾十分突出。一方面，随着现代科技和新军事革命的发展，军事装备器材购置、维修、保养的经费需求越来越大；另一方面，我国是以经济建设为中心的发展中国家，     

石墨烯电声换能器的设计与对比

为了使石墨烯电声换能器获得最优性能，主要针对石墨烯热致发声器件和静电式发声器件进行了发声机理研究，通过理论建模和分析，得到了薄膜尺寸、厚度以及应力等结构参数对两种电声换能器的频率响应特性的影响规律。通过微纳加工制造方法设计和制备了一批不同结构参数下的电声换能器，并对这些器件进行了性能测试和对比分析，结果表明：薄膜厚度对热致电声换能器发声声压影响显著，即薄膜越薄，该电声换能器的发声声压越大；薄膜半径、厚度和应力对静电式电声换能器的频带影响较大，即薄膜半径越大，厚度越薄，应力越小，该电声换能器频带越宽。以上研究为优化选取石墨烯电声换能器的类型，优化设计结构参数，提升器件发声性能奠定了基础。     

一种VXI总线高精度时钟源的设计

阐述了基于VXI总线的高精度时钟源模块的组成框图及基本原理 ,由FPGA器件实现VXI总线寄存器基接口电路及控制功能 ,采用AD985 0DDS (直接数字频率合成器 )实现高精度分频功能 ,提出了用ECL器件实现延迟调节与输出驱动的设计方法 ,具有经济实用的特点     

电子设备的射频干扰效应研究

首先应用有限元方法(FEM),研究了电磁脉冲信号通过孔缝进入电子设备的情况,并进一步计算了宽带电磁信号与机箱内板级微带电路耦合而产生的感应电流,最后使用非线性电路分析软件(PSpice)分析了电磁耦合能量对电子线路中的半导体器件所造成的射频干扰效应.此项研究为防空武器杀伤目标提供了一种新的杀伤机理,也对防空武器防止电磁杀伤提供了一种途径,对武器系统的研制有一定的指导意义.     

忆阻器的发展现状与未来

忆阻器是近年来发现的一种新型无源电路元件,具有非易失记忆特性,且在开关性能和工艺尺寸等多方面具有优势,可能成为IT技术新的物理基础。本文概述了忆阻器的研究意义,详细介绍了忆阻器的定义与发展历程,着重从器件制备、表征测试、基于忆阻器的新型计算系统应用等三个方面综述总结了国内外发展现状,并对忆阻器未来发展所面临的挑战进行了展望。研究表明,忆阻器相关研究将为突破冯诺依曼计算机构的限制,研究下一代计算系统奠定扎实的器件与架构基础。