光纤通信系统用减反膜的研究

针对WDM光纤通信系统对具有极高透过率的光学薄膜元件的需要,系统地研究了增透膜的设计与镀制.采用统计实验求总极值法和Powell最小二乘法相结合的多级优化方法编制程序,完成了以BK7玻璃为基底的增透膜的膜系设计,采用多种监控方法完成了此类非规整膜系的镀制实验.测试结果表明,采用变过正量极值法监控非规整膜系的镀制,可精确控制各层膜的光学厚度,获得在1550nm波段附近具有很高透过率的光学薄膜元件.     

微型导弹柔性充气翼结构设计与力学变形仿真

以NACA2412为基准翼型设计充气弹翼,采用柔性蒙皮应力分析理论并根据弹翼蒙皮材料强度极限理论建立考虑分布质量影响的改进应力表达模型,据此得到柔性薄膜弹翼允许充气压力范围。分析结果发现:柔性弹翼充气单元尺寸越小,相应的充气压力允许范围越大。采用ABAQUS/CAE软件以不可压缩壳单元仿真柔性充气弹翼在不同充气压力条件下的变形情况,发现非对称翼型充气后中间下凹的翘曲方式并确定柔性蒙皮的危险点,利用翼面典型线分析了充气翼局部力学变形特性。进一步对充气弹翼进行表面覆膜改进分析,获得了良好的结构力学性能改进效果。     

试论张艺谋电影创作的两种修辞艺术

著名导演张艺谋在他的电影创作中运用了两种电影修辞艺术———象征和夸张,大大加强了电影的造型感染力和视觉冲击力,赋于他创造的艺术形象以巨大的丰富性和强烈的独创性。因此,张艺谋影片的象征、夸张两大艺术特点,是引导他的电影走向世界、创造电影神话的重要因素。     

电影媒介的创意策略

电影是一门结合文学、戏剧、摄影、音乐、舞蹈、绘画等多种艺术形式的综合艺术,且其本身又具有独自的艺术特征。作为一种核心文化创意产业,在诞生的那一刻开始就具有了艺术与商业的双重属性。电影策划工作是确立作品创作走向、保证作品艺术质量、获取预期的社会效益与经济效益的重要工作。从纵向来说,电影策划工作包括了作品出台前的市场调研、作品制作的过程以及作品推出后的营销创意、实施方案、配合宣传和相关产品制作和开发等各个相关的环节;从横向来说,它就是一种既统观全局又体察入微的创意过程,是一个名副其实的系统工程。     

实验条件对纳米多孔二氧化硅薄膜性能的影响

以正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用酸/碱两步溶胶—凝胶法,结合旋转涂胶和超临界干燥等工艺在硅片上制备了SiO2薄膜。XRD和AFM表明该SiO2薄膜为无定形态,具有多孔网络结构,表面均匀、平整,其SiO2粒子和孔隙的直径为30～40nm。利用椭偏仪测量了薄膜的厚度和折射率,薄膜的厚度为300～1100nm,折射率为1.13～1.23,孔隙率为50%～70%,介电常数为1.9～2.4。SiO2薄膜的厚度随溶剂异丙醇(IPA)用量的减少、催化剂NH4OH用量的增加、SiO2溶胶粘度的增大和旋转涂胶速度的降低而增大;介电常数随NH4OH用量和SiO2溶胶粘度的增加而降低,IPA用量和旋转速度对SiO2薄膜的介电常数影响较小。     

浅析军旅影视作品的片名艺术

军旅影视作品的片名是一部影片的开端,片名的好坏直接关系到作品本身的质量。正确理解军旅影视作品片名的意义、命名的方式以及原则,能给军旅影视作品的成功做好铺垫,从某种意义上说,军旅影视作品的片名也是影视艺术的一部分。     

残余应力作用下脆性膜/基材料的断裂行为

假定膜内的残余拉应力足以使膜发生开裂,利用膜/基材料中含弹性界面层的剪滞模型,研究了脆性膜/基材料在残余应力作用下的开裂行为特征,探讨了膜内正应力、膜/基界面切应力的分布规律,获得了膜的裂纹密度与残余应力大小之间的解析表达式。在裂纹密度、材料的力学和几何参数确定的情况下,该解析表达式可以用来评估残余应力的大小。最后,分析了膜的裂纹密度与残余应力、膜的厚度、弹性模量、断裂强度以及界面层的切变模量之间的内在关联,绘出了这些参数影响膜裂纹密度的变化曲线。     

大型圆盘反应器旋转盘环上的液膜运动

参照聚酯的流变性,选用高黏和黏弹性介质作为试验物系,在Φ600,Φ2 000的圆盘反应器中冷模考察旋转盘环上介质成膜条件、膜厚、持液量、液膜运动速度、膜表面更新等流动行为,探讨了纯黏性介质和黏弹性介质流动行为差异,为圆盘反应器结构改进和终缩聚反应—传质计算模型建立奠定了必要的基础.部分研究结果已在我国大型聚酯装置扩容改...     

低调谐增益变化的10 GHz电感电容式压控振荡器设计

基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于无线通信和雷达系统的低变化调谐增益的电感电容式压控振荡器。该电路包括分布式偏置可变电容阵列和开关电容阵列,合理选择偏置电压扩展电容-电压曲线覆盖范围,在整个调谐电压范围内,可有效降低调谐增益。三位开关电容阵列将整个可调频率范围分为8个子频带,通过控制可变电容实现子频带内频率的调谐范围。同时采用开关可变电容阵列,有效抑制了电感电容式压控振荡器调谐增益的变化。基于1P6M 0.18μm工艺模型的后仿真结果显示该10 GHz压控振荡器调谐增益变化率表现优异,低至21.5%,调谐频率范围为9.13～11.15 GHz,同时该压控振荡器能够实现较低的直流功耗9 m W(1.8 V电源电压),相位噪声在10 GHz时为-105 d Bc/Hz@1 MHz。     

直流磁控溅射法制备c-BN膜

本研究用一种新的方法—直流磁控溅射法制备了立方氮化硼膜(c-BN)。因为它的沉积速率较高,未来工业化的潜力较大,这一技术对工业界具有很大意义。c-BN膜的沉积过程由过去的射频系统改造而来。直流溅射的靶材选用了碳化硼,靶及试样台均接负极。我们将试样台放在一圆形电磁线圈的中央,即采用非平衡磁控模式。试验证明,试样台上的离子流密度及高子与中性粒子的比例是重要的试验参数。通过试验,在单晶硅片及钢衬底上沉积了几近单相的c-BN膜,并用电子探针(EPMA)、X射线光电子谱(XPS)和红外谱(IR)对膜的成分和结构进行了分析。膜的硬度和摩擦系数测量表明,所制备的c-BN膜具有出色的机械和摩擦学性能。