全文获取类型
收费全文 | 67篇 |
免费 | 23篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 1篇 |
2022年 | 2篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 3篇 |
2018年 | 1篇 |
2017年 | 1篇 |
2016年 | 1篇 |
2015年 | 6篇 |
2014年 | 2篇 |
2013年 | 8篇 |
2012年 | 12篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 3篇 |
2009年 | 7篇 |
2008年 | 2篇 |
2007年 | 2篇 |
2006年 | 2篇 |
2005年 | 1篇 |
2004年 | 2篇 |
2003年 | 2篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 4篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 1篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 1篇 |
1995年 | 6篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 1篇 |
1991年 | 2篇 |
排序方式: 共有90条查询结果,搜索用时 916 毫秒
51.
52.
采用二氢二氯硅烷氨解法合成了氮化硅陶瓷先驱体全氢聚硅氮烷,并用红外光谱、凝胶渗透色谱、热重、X射线衍射和元素分析等进行了表征。所合成的先驱体低聚物的分子骨架为[SiH2NH]n,数均分子量为106,重均分子量为178。固化后的先驱体在氮气下1000℃裂解转变为棕色粉末,陶瓷产率78wt%。将陶瓷产物在氮气下1400℃处理后,其主要成分为α-Si3N4,并含有少量富余硅,化学经验式为SiN1.036O0.060C0.028。陶瓷产物在氮气下1600℃处理后的X射线衍射谱图表明,游离硅已基本消失,α-Si3N4衍射峰加强,但是没有观察到从α-Si3N4到β-Si3N4的相转变。 相似文献
53.
54.
55.
针对导弹的定型试验,介绍了一种通用的地地导弹系统数据采集方案,并对其中所遇到的关键问题加以阐述,对各种火控系统的定型设备研制具有一定的参考价值 相似文献
56.
MnSi1.7在光电子器件领域有广泛的应用前景.由于化合物结构的复杂,对MnSi1.7能带结构的研究仅限于实验上,而且不同实验测量的能隙值不同.首次利用"第一性原理",对MnSi1.7(Mn4Si7相)的电子特性进行了理论计算.计算结果表明,MnSi17(Mn4Si7)具有0.83 eV的直接能隙,这预示了MnSi1.7在光电上有着重要的应用前景. 相似文献
57.
58.
自80年代中期出现远程智能I/O以来,由于其优良的分散结构和卓越的性能,在工业自动化系统获得广泛应用,本文阐述了远程智能I/O的设计思想和工作原理以及国内实际工程中的几种典型应用,分析了远程智能I/O的可靠性和经济性,指出了应用中存在的几个主要问题。 相似文献
59.
为深入揭示飞秒激光烧蚀硅的瞬态演化特性,建立了飞秒激光烧蚀硅材料理论模型,并进行了仿真研究。研究表明:飞秒激光可在脉宽时间内激发大量的电子,使其浓度超过损伤阈值,而此时晶格仍保持在较"冷"状态,直到1 ns量级才达到熔点温度;电子温度也会在脉宽时间内急剧拉升至104K量级,随后将能量缓慢地释放给晶格,直到10 ns量级才与晶格达到热平衡。电子存在两次急剧升温的过程:第一次起于自由电子吸收,止于电子与晶格的能量耦合;第二次起于单光子和双光子吸收,止于脉冲结束。脉冲能量越大,电子密度和温度越高;脉宽越短,电子温度越高。 相似文献
60.
基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际电路中重离子轰击位置对22 nm FDSOI器件SET敏感性的影响,并从电荷收集机制的角度进行了解释。深入分析发现寄生双极放大效应对重粒子轰击位置敏感是造成器件不同区域SET敏感性不同的原因。而单管漏极接恒压源造成漏极敏感性增强是导致单管与反相器中器件SET敏感区域不同的原因。修正了FDSOI工艺下器件SET敏感性区域的研究方法,与单管相比,采用反相器进行仿真,结果更符合实际情况,这将为器件SET加固提供理论指导。 相似文献