微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性（高功率微波技术研究所专题组稿）

利用微波脉冲注入实验平台,对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中,当低噪声放大器增益下降大于10 dB时,发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜（SEM）观测损伤后晶体管的微观特性,结果表明：硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后,基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路,不再具有PN结特性,导致器件失效。     

青春迷彩用心描绘

一个山里娃,一个从未到过大城市、没有坐过火车的穷苦人家的孩子,入伍后通过学习践行党的创新理论,用党的理论指引前进的方向,通过执著坚守和不懈努力,最终在军营这所大学校锻造成才,实现了由士官到军官身份的转变,实现了人生的梦想。他就是沈阳军区某高炮团指导员向南林,《青春迷彩》中的主人公。向南林出生于四川省广元市旺苍县一个普通     

破片飞散方向区截测试方法

改进了在动爆条件下基于弹药炸点的破片区截测速方法,分析了破片贯穿靶板后的速度偏转现象,提出了一种采用归一化方法结合最小距离原则进行破口点集配准,以此识别破片飞散方向的方法.模拟试验结果表明,63.3％的破片角度测量误差绝对值在4°以内,86.7％的破片测量误差绝对值在8°以内.该方法易于实施,数据处理简单,为实战条件下...     

利用过阻尼电路合成高压方波脉冲

在过阻尼RLC电路分时放电的基础上,提出新型高压方波脉冲产生方法。理论分析表明:过阻尼RLC电路产生的双指数电压波与脉冲形成线产生的方形电压波具有类似的上升沿和平顶。电路模拟表明:通过人工过零技术可以对双指数电压波进行截尾,从而形成完整的高压方波脉冲。建立了原理验证性样机,由两组RLC电路构成,每组电路包含一台脉冲电容器和一只三电极场畸变气体开关,两组电路共用一个上升沿调节电感。实验证明:样机可以在电阻负载上输出幅值为17 kV、平顶宽度为330 ns～5.8μs、上升沿为100～350 ns的单极性高压方波脉冲。该方法适应性强,对负载变化不敏感,同时具有良好的可调节性,方波上升沿、平顶宽度连续独立可调。     

一种提高细微粒卤化银乳剂照相性能的过增感剂

利用单注法制备了平均粒径 16 5nm的卤化银乳剂 ,在此乳剂中试验了一种过增感剂Zn(Ⅱ ) -EDTA的增感作用。试验表明经过Zn(Ⅱ ) -EDTA增感的超微粒卤化银乳 ,其感光度、反差和灰雾密度等照相性能都有显著的提高。同时讨论了过增感剂的最佳加入时间、最佳用量、最佳浓度等参数 ,并且对增感作用机理作了初步的分析探讨。     

干涉仪测向中相位差精确测量技术研究

相位差的精确测量在以相位为参考信息的测向体制中十分重要,直接影响了测向的精度。重点研究了相位差精确测量技术。在详细分析3种有效的测量方法基本原理基础上,比较精确地获取了信号的相位差,并通过大量的仿真实验比较3种方法在不同情况下的性能,为实际应用中选择合适的方法提供了依据。     

3D SRAM中TSV开路测试算法研究与实现

基于三维集成电路技术实现的三维静态随机存储器,其电路中使用了大量的过硅通孔。目前过硅通孔制造工艺尚未成熟,使得过硅通孔容易出现开路或短路故障,从而给三维静态随机存储器的测试带来新的挑战。现有的过硅通孔专用测试方式虽然能够探测出过硅通孔的故障,但需要特定的测试电路来实现,这就增加了额外的面积开销,同时加大了电路设计的复杂度。因此,提出一种使用测试算法来探测过硅通孔开路故障的方法。在不增加额外面积开销的情况下,通过内建自测试电路解决三维静态随机存储器中过硅通孔的开路故障检测问题。结果显示,该过硅通孔测试算法功能正确,能够准确探测到过硅通孔的开路故障,并快速定位过硅通孔的开路位置。     

聚硅硫酸铁的制备及混凝效果研究

聚合硅酸硫酸铁（PFSS）是无机高分子复合絮凝剂，它是结合阳离子型和阴离子型两类絮凝剂的优点所开发的一类新型絮凝剂。在本文中，主要研究了采用一步法生产工艺，以FeSO4·7H2O和Na2SiO3·9H2O为原料来制备聚硅酸硫酸铁（PFSS）絮凝剂。在制备试验中，主要考察了Si/Fe比值、聚合时间、反应时间、聚合反应温度等影响因素对其絮凝效能的影响。最后，通过与聚合氯化铝（PAC）对不同浓度的煤泥水的絮凝对比试验结果分析表明：聚硅酸硫酸铁比聚合氯化铝有更好的絮凝的效果。     

为平安世博筑牢第一道防线

3月20日,公安边防海警部队根据上海世博会安保工作总体部署,苏浙沪三省市的海警舰艇在东海某海域进行舰炮、高射机枪、轻武器、防暴武器实弹射击训练。通过训练,进一步规范了舰艇火炮实弹射击训练制度,提高了海警官兵海上射击训练水平,增强打击海上恐怖活动的能力,筑牢平安世博海上防线。     

130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计

针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂量辐射加固。流片测试结果表明,芯片的调节精度达到了5×10~(-12),与进口抗辐射现场可编程门阵列水平相当;在长时间频率稳定度方面,芯片优于国外抗辐射现场可编程门阵列。对芯片进行的模拟辐照试验表明,芯片在300 krad(Si)的总剂量辐照条件下依然可以正常工作。