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当集成电路制造工艺水平发展到超深亚微米阶段,漏流功耗所占的比例越来越大,成为微处理器功耗的重要来源.漏流功耗同电压、漏电流和晶体管数量等因素密切相关.Cache是微处理器中面积较大的部件,对其漏流功耗进行优化是微处理器低功耗设计的首要任务.除了采取工艺上的改进措施外,cache漏流功耗可以通过把握或改变cache的工作... 相似文献
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为全面贯彻落实《船舶工业中长期发展规划》和《船舶工业发展"十一五"规划纲要》,加强对全国船舶工业发展的引导,近日,国防科工委先后发布了《船舶科技发展"十一五"规划纲要》、《船舶配套业发展"十一五"规划纲要》和《全面建立现代造船模式行动纲要(2006-2010年)》。这三个关于船舶工业发展的专项规划,分别对"十一五"时期我国船舶工业在科技发展、配套业发展和建立现代造船模式方面的工作进行了部署,旨在进一步加快推进科技创新和跨越,增强船舶科技整体实力;提高本土化船舶配套产品装船率,推动造船与配套协调发展;努力解决阻碍我国建立现代造船模式的薄弱环节,尽快提高我国船舶工业制造技术水平和生产效率,切实转变经济发展方式,实现船舶工业又好又快发展。我们在杂志第9期和第10期上分别刊发对这三个专项规划的解读,以飨读者。 相似文献
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首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。 相似文献
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为全面贯彻落实《船舶工业中长期发展规划》和《船舶工业发展"十一五"规划纲要》,加强对全国船舶工业发展的引导,不久前,国防科工委先后印发了《船舶科技发展"十一五"规划纲要》、《船舶配套业发展"十一五"规划纲要》和《全面建立现代造船模式行动纲要(2006-2010年)》。这三个关于船舶工业发展的专项规划,分别对"十一五"时期我国船舶工业在科技发展、配套业发展和建立现代造船模式方面的工作进行了部署,旨在进一步加快推进科技创新和跨越,增强船舶科技整体实力;提高本土化船舶配套产品装船率,推动造船与配套协调发展;努力解决阻碍我国建立现代造船模式的薄弱环节,尽快提高我国船舶工业制造技术水平和生产效率,切实转变经济发展方式,实现船舶工业又好又快发展。我们已在上期杂志刊发了对《船舶科技发展"十一五"规划纲要》的解读,这期再刊发对另外两个专项规划的解读,以飨读者。 相似文献
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问:目前我国船舶配套业整体情况如何?答:"十五"期间,在造船业快速发展的拉动下,我国船舶配套业生产能力和技术水平有了一定的提高,重点产品研制取得一定突破,实现了大功率低速柴油机及其曲轴、大型锚绞机及螺旋桨等关键设备的自主生产。 相似文献
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新兴的三维静态存储器将代替二维静态存储器被广泛用于高性能微处理器中,但它依然会受到软错误的危害。为了能够快速、自动分析多层管芯堆叠结构的三维静态存储器软错误特性,搭建了三维静态存储器软错误分析平台。利用该平台对以字线划分设计的三维静态存储器和同等规模的二维静态存储器分别进行软错误分析,并对分析结果进行对比。研究结果表明二维和三维静态存储器的翻转截面几乎相同,但三维静态存储器单个字中发生的软错误要比二维静态存储器更严重,导致难以使用纠检错技术对其进行加固。静态模式下二维和三维静态存储器敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。 相似文献
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