海水集料混凝土抗压强度及配合比试验研究

海水集料混凝土利用球形SAP形成内部球孔,是一种基于内部孔结构的新型混凝土。对水泥用量、球形SAP体积分数、水胶比和复合外加剂质量分数4个因素,各取4个水平进行正交试验,采用极差分析和方差分析归纳各因素对海水集料混凝土抗压强度的影响。结果表明:球形SAP体积分数对抗压强度的影响最大,其次是水泥用量和水胶比,复合外加剂质量分数的影响最小。在正交试验的基础上,将海水集料混凝土中球形SAP体积率视为孔隙率,得到一系列抗压强度的回归关系式,提出基于经验公式的海水集料混凝土配合比设计方法。     

钢丝增强复合条带抗弹性能数值分析

为研究钢丝增强聚合物基复合条带的抗弹性能,基于冲击动力学理论分析其抗弹机理,再借助ANSYS/LS-DYNA软件和LS-PrePost前后处理器模拟有无增强钢丝2种工况下,条带对7.62 mm弹体的冲击响应。分析表明：条带的弹性模量、剪切模量和面密度会影响其能量吸收性能,能量吸收量随三者的增大而增大;由于聚合物基体的正交各向异性,应力云图显示出扁平椭圆状是合理的;在聚合物基复合条带中嵌入增强钢丝对条带整体的抗弹性能有积极的影响,但嵌入过量的钢丝会导致重量和成本的增加,因此需要对合理的钢丝配比率作进一步研究。研究结果可为钢丝增强聚合物基复合条带在野战防护结构中的应用提供参考。     

聚合物表面静电性能的离子束改性

用150Kev的Ar~-离于在中等剂量F辐照特种聚氯乙烯(RPVC)和有机玻璃(PMMA),能使材料表层静电特性得到显著改变。在相同条件下,摩擦起电量从1.24nc/cm~2下降到0.02nc/cm~2以下,起电电位从800～1000V下降到0～50V,静电半衰期从数小时降到1秒以下,表面电阻率下降四个数量级以上。适当选择注入条件,能够产生具有抗静电特性的新材料。本文讨论了改性机理和测试问题。     

核磁共振研究溶胀AB-交联聚合物中的分子运动

测定了溶胀的PPU/PSAB 交联聚合物中链段和侧基的13CT1和NOE ,用VJGM模型和三等价位跃迁内旋转、扩散内旋转以及等价、不等价两位置跃迁内旋转模型分析了其中的主链链段运动和侧基内旋转运动 ,求出了主链和侧基的运动相关时间、扩散系数和活化能等参数 .结果表明PS含量对PPU运动的影响极小 ,PS主链运动活化能与PPU含量存在线性关系 .丙烯酸与苯乙烯共聚对PPU的运动几乎无影响     

聚合物抗静电改性机理与工艺

采用离子注入和电子束等物理方法,对PTFE、KPVC、PMMA等聚合物材料进行了抗静电改性实验。实验结果表明,合理选择改性工艺,可以得到优良的抗静电材料。本文对离子注入和电子束的抗静电改性机理进行了分析,提出了选择最佳改性工艺条件的原则。     

热塑性互穿聚合物网络研究综述

概述了热塑性互穿聚合物网络（ＴＩＰＮ）的研究进展及其结构特点、制各方法和熔体的流动性,并对ＴＩＰＮ的前景作了简要的分析。     

SiO2 溶胶不同掺杂方式对含氟聚丙烯酸酯/SiO2 杂化涂层性能的影响

用酸催化溶胶-凝胶法制得SiO2溶胶,分别采用共混法和原位聚合法制备含氟聚丙烯酸酯/SiO2纳米杂化涂层.利用红外光谱、扫描电镜等表征了杂化涂层的结构、形态及SiO2相的分散性;研究了SiO2含量、分布和界面状况等与杂化涂层的表面性能和力学性能的关联与影响.结果表明,SiO2在两种方法制备的杂化涂层中均以Si-O网络的形式存在,原位聚合法中SiO2相的分散性优于共混法;含氟聚丙烯酸酯涂层中引入SiO2相后,涂层性能明显提高,共混法的疏水性优于原位聚合法;二者的力学性能随SiO2相含量变化的趋势相同,原位聚合法略优于共混法.     

侧链含锑聚硅烷的合成与性能研究

侧链含锑聚硅烷的合成可通过聚甲基硅烷的高分子反应在室温条件下实现,聚合物产率为75.2%,数均分子量为1600.其分子结构与组成可由元素分析、FT-IR、1H-NMR、29Si CP/MAS NMR、GPC和UV来确认.PSA可溶于一般常见的有机溶剂,紫外吸收的最大波长为330nm,其热分解特性表明,陶瓷收率为80%,可用作SiC陶瓷先驱体;其本体电导率为10-8～10-7S/cm,将其与碘掺杂,电导率可以达到10-5S/cm以上.     

全氢聚硅氮烷的合成与表征

采用二氢二氯硅烷氨解法合成了氮化硅陶瓷先驱体全氢聚硅氮烷,并用红外光谱、凝胶渗透色谱、热重、X射线衍射和元素分析等进行了表征。所合成的先驱体低聚物的分子骨架为[SiH2NH]n,数均分子量为106,重均分子量为178。固化后的先驱体在氮气下1000℃裂解转变为棕色粉末,陶瓷产率78wt%。将陶瓷产物在氮气下1400℃处理后,其主要成分为α-Si3N4,并含有少量富余硅,化学经验式为SiN1.036O0.060C0.028。陶瓷产物在氮气下1600℃处理后的X射线衍射谱图表明,游离硅已基本消失,α-Si3N4衍射峰加强,但是没有观察到从α-Si3N4到β-Si3N4的相转变。     

抗电磁干扰高分子材料的研究与应用

通过对电磁波干扰的现象分析,阐述了屏蔽作用原理及屏蔽方法,研究了表面导电材料和导电复合材料等抗电磁干扰高分子材料的性能、工艺及其屏蔽效果,并对它们的应用与发展前景进行了讨论。