电子装备模拟印制板电路故障自动诊断系统研究

为提高电子装备模拟印制板电路故障诊断的速度,本文使用直流故障字典法原理,运用区域性故障定位方法,改进器件模型和电路描述程序,设计了模拟印制板电路故障自动诊断系统。     

180nm CMOS工艺下SEL敏感性关键影响因素

研究了影响SEL敏感性的关键因素.针对180nm体硅工艺,基于校准的CMOS反相器器件模型,使用器件模拟的方法,研究了粒子入射位置、温度、阱/衬底接触位置、NMOS与PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响.模拟和分析表明,CMOS电路不同位置的闩锁响应差别很大,找出了电路发生闩锁的敏感区域,得出了温度、阱/衬底接触的位...     

电可编程模拟电路(EPAC)器件──IMP50E10

本文重点介绍了电可编程模拟电路（EPAC）器件的典型产品IMP50E10的内部框图、性能特点及主要功能,对其开发的要点作了简要的介绍,并给出了应用示例。     

数字电位器在P T100温度仿真中的应用

伴随高速可编程逻辑器件的广泛应用,实时快速可靠地对系统状态信号进行处理,实现对复杂机电系统运行状态的实时监控成为用户追求的目标。基于数字电位器由于可调精度高,控制方便,性能稳定等优点,给出了一种基于CPLD可编程器件,通过数字电位器实现在半实物仿真系统中对PT100热电阻的阻值变化进行等效模拟的工程应用。利用本研究内容,通过上位机界面对系统温度参数进行人工设定,即可轻易实现对PT100热电阻在不同温度下阻值的真实模拟,检验实际系统温度监测装置软硬件的可靠性,确保系统安全运行。     

基于CCD器件的光电位敏探测器研究

本文作为原理性探讨,在一定实验的基础上,提出了一种利用CCD器件和模拟电路构成光电位敏探测器(PSD)的新方法.用此方法构成的PSD具有高于CCD空间分辨率的定位精度、较宽的线性工作范围和较高的动态响应速度,能够满足特殊场合的使用需要.     

行波提取型同轴渡越时间振荡器模拟

提出了一种行波提取型同轴渡越时间振荡器,器件的提取腔采用了类膜片加载的扩展互作用腔结构,具有束波作用效率高,电子束空间电势能低等优点。提取腔的电场结构为3π/2模,与传统的类π模结构相比,提高了微波群速度,有利于微波能量的提取。通过引入前置反射腔,提高了调制腔的品质因数,显著降低了起振时间。利用数值模拟软件对所设计的器件进行了模拟和优化,在二极管电压530kV,二极管电流12.8kA,外加导引磁场0.7T的条件下,得到了2.41GW的输出功率,微波频率7.76GHz,束波功率转换效率达到35.5%。     

束流调制型虚阴极振荡器的研究

运用改进的"环形输运"模型和粒子模拟方法研究了调制型虚阴极振荡器中束流调制参数变化对虚阴极振荡器特性的影响。研究结果表明:束流的调制对虚阴极振荡器的运行性能有显著的影响,对电子束流进行适当的调制可以显著提高器件的束波转换效率。研究结果为设计高性能的虚阴极振荡器提供了基础。     

坦克排烟管热电转换模拟试验研究

为降低坦克排烟管的红外特性,设计了应用于坦克排烟管高温表面的热电转换方案,并进行了模拟试验和理论计算。结果表明：热电转换器件的开路电压和负载电压、负载电流随冷热面温差的增加呈线性增长,而输出功率、效率则以二次方的速度增长;多片热电转换器件组合能够实现所要求的电能输出。试验中热电系统产生的电能驱动散热风扇运转,说明热电转换用于高温度、高热通量场合实现红外抑制的目的是切实可行的。模拟试验表明：经热量转换和热量转移后热电转换系统表面温度较模拟坦克排烟管表面温度下降超过33％,说明利用热电转换方案实现坦克高温部位的红外抑制效果明显。     

多波切仑柯夫振荡器的设计

采用相对论全电磁模粒子模拟程序，对多波切仑柯夫振荡器进行了设计，给出了一套结构参数。模拟结果表明：所设计的器件在较宽的运行条件下（Ud＝300～500kV，Ib＝0．45～10kA，τγ＝10～102ns）能产生相干微波，微波频率位于X波段（～10GHz），辐射效率在10％左右，最大输出功率约300MW．     

核爆炸外观景像模拟方法浅探

总结了多年来在核爆观测训练中进行核爆炸外观影像模拟的方法,分析了影响核爆炸外观影像模拟效果的因素,提出了该技术的可行发展方向。     

22 nm全耗尽型绝缘体上硅器件单粒子瞬态效应的敏感区域

基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际电路中重离子轰击位置对22 nm FDSOI器件SET敏感性的影响,并从电荷收集机制的角度进行了解释。深入分析发现寄生双极放大效应对重粒子轰击位置敏感是造成器件不同区域SET敏感性不同的原因。而单管漏极接恒压源造成漏极敏感性增强是导致单管与反相器中器件SET敏感区域不同的原因。修正了FDSOI工艺下器件SET敏感性区域的研究方法,与单管相比,采用反相器进行仿真,结果更符合实际情况,这将为器件SET加固提供理论指导。     

具有电介质衬套的多波切仑柯夫振荡器

提出了具有电介质衬套的多波切仑柯夫振荡器的概念，并采用粒子模拟方法对之进行了研究。结果表明：电介质衬套能使器件在较低二极管电压下正常工作，同时，在低电压区的辐射效率明显提高。这对开发多波切仑柯夫振荡器在爆磁压缩产生高功率微波等领域的应用具有参考价值。研究还发现：微波频率随电介质的介电常数增大而单调下移，电介质的介电常数及导引磁场的强度均具有最佳值。     

轴向输出TE10模式的紧凑型相对论磁控管的粒子模拟研究

研究了一种轴向输出TE10模式的紧凑型相对论磁控管,该器件采用6谐振腔结构并工作在π模式上,通过4腔轴向输出的结构设计使得谐振腔结构与矩形输出波导之间形成了较好的过渡,实现了矩形TE10模式的微波输出。与衍射输出相对论磁控管相比,这种结构设计,不仅能减小磁控管的轴向和径向的尺寸,使得系统更加紧凑化,而且能在输出波导中获得更加纯净的低阶微波模式。利用粒子模拟软件,初步分析和优化了器件的工作性能。模拟结果表明：当电压为500 kV,磁场为0.5 T时,该器件的工作频率为2.58 GHz,输出功率为1.0 GW,功率转换效率达到25.0 %。     

轴向输出TE10模式的紧凑型相对论磁控管的粒子模拟

研究了一种轴向输出TE10模式的紧凑型相对论磁控管,该器件采用6谐振腔结构并工作在π模式上,通过4腔轴向输出的结构设计使得谐振腔结构与矩形输出波导之间形成了较好的过渡,实现了矩形TE10模式的微波输出。与衍射输出相对论磁控管相比,这种结构设计不仅能减小磁控管的轴向和径向的尺寸,使得系统更加紧凑化,而且能在输出波导中获得更加纯净的低阶微波模式。利用粒子模拟软件,初步分析和优化了器件的工作性能。模拟结果表明:当电压为500k V,磁场为0.5T时,该器件的工作频率为2.58GHz,输出功率为1.0GW,功率转换效率达到25.0%。     

模拟酶研究新进展

本文综述了模拟酶研究的新进展,讨论了人工脱辅酶蛋白和模拟酶的设计与功能等方面的问题,并探讨了模拟酶的发展方向。     

关于火灾模拟技术应用和发展的思考

火灾模拟技术为性能化设计提供依据和分析手段,促进了消防技术的发展。对火灾模拟技术进行了综述,介绍了火灾模拟技术在防灭火工作中的应用,对我国火灾模拟技术发展进行了展望。     

热管式电子设备散热器的实验及数值模拟研究

用Icepak软件对电子设备散热器的流速场、温度场进行了数值模拟,并将模拟分析值与实验值进行了比较,验证了数值模拟的结果的正确性,显示了Icepak软件在电子产品热设计中应用的优越性和可靠性。     

试论对抗模拟的基本原理

对抗模拟是作战模拟中的一种重要方法,文章就其基本原理作了系统深入的探讨.通过中外专家的论述,阐述了对抗模拟概念的关键要素.通过对信息流动的分析,进一步剖析了对抗模拟的内涵.对抗模拟这种作战模拟形式具有仿真性、拟剧性、博弈性和不可重复性等特征.按照层次、信息提供的方式、结果评价的方式、实施的方式、运用的工具以及地域等区分了不同类型的对抗模拟.对抗模拟需要的关键仿真技术包括分布交互仿真、人工智能、虚拟现实以及信息网格等方面.     

量子算法模拟实现技术研究

量子计算并行性展示了强大的运算能力 ,但现实条件决定了目前量子算法研究主要依靠模拟进行。本文介绍了量子计算的基本原理和计算模型 ,对量子算法的模拟实现技术进行了分析。通过对量子算法模拟的时空分析 ,指出目前量子算法模拟中存在的一些问题 ,讨论了今后的一些研究方向。     

透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性

透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器,是一种以SOI技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础,综合SOI器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程,介绍和分析了器件结构及其工作原理,建立电压、电流物理模型。应用SILVACO器件仿真软件,完成器件的数值模拟与验证。在中短波长工作段,器件光电流随栅极电压的增大而增大,表现出明显的栅压控制特性。全耗尽状态下,器件的内部量子效率在中短波长(400nm,450nm,530nm,600nm)的光辐射下,可达到96%以上,甚至接近100%。短波长下(280nm,350nm),量子效率最大值近80%。此外,器件的暗电流很低,光暗电流之比超过106,具有高灵敏度。